公开(公告)号：CN116165849A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211725772.2

申请日：2022-12-30

申请人： 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

发明人： 吴华标 ,  施亿昌 ,  独俊红 ,  叶甜春 ,  陈少民 ,  李彬鸿 ,  苏炳熏

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/70

摘要： 本发明公开了一种光刻图形拼接方法及拼接误差检测方法，其可满足大尺寸芯片电路图形的光刻需求，可防止光刻出的电路图形缺失，光刻图形拼接方法包括：将芯片版图分割成至少两个，获得若干芯片拼接版图，根据芯片版图设计光罩版图，对光罩版图进行分割，获得若干光罩拼接版图，依次采用不同的光罩拼接版图对芯片进行曝光，获得电路图形，拼接误差检测方法，用于对采用光刻图形拼接方法获得的电路图形的误差进行检测，该方法包括提供若干测试图形，收集验证集中的测试图形数据，建立相应的尺寸数据库、形状数据库，收集拼接曝光导致的第一间距误差，建立误差数据库，建立拼接效果判断方法及OPC修正模型。

公开(公告)号：CN116072535A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310055946.7

申请日：2023-01-18

申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

发明人： 吴宗晔 ,  施亿昌 ,  叶甜春 ,  罗军 ,  李彬鸿 ,  王云

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/027

摘要： 本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽的制备方法。一种沟槽的制备方法包括：提供基底，基底包括待第一刻蚀区；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底的上表面；在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，Sbar标记的宽度小于第一待刻蚀区的宽度；对Sbar标记及光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，图形化光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，第一开口内对应Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于图形化光刻胶层对基底进行刻蚀，以于基底内形成第一沟槽，第一沟槽的底部呈阶梯状。本方法通过在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，达到了同一个沟槽内产生不同的刻蚀深度。

公开(公告)号：CN115951555A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310056099.6

申请日：2023-01-18

申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

发明人： 吴宗晔 ,  施亿昌 ,  叶甜春 ,  罗军 ,  李彬鸿

IPC分类号： G03F1/36 ,  G06T7/00

摘要： 本申请涉及半导体光刻工艺领域，特别是涉及一种图形边界缺陷处理方法包括：获取待处理图形，待处理图形包括器件单元图形及背面图形，器件单元图形内及至少部分背面图形内具有Sbar标记；选取具有Sbar标记的背面图形及与选取的背面图形临接的器件单元图形；选取的背面图形及器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的背面图形提至与选取的器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的Sbar标记并进行修正。本方法可有效检查出全耗尽型绝缘体上硅FDSOI因背面层次结构引起的缺陷，在光罩制作之前就把问题解决，从而节省开发资源与时间。避免了层次结构错误而检查不出来造成晶圆上的缺陷。