一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺

    公开(公告)号:CN112201724A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202010990550.8

    申请日:2020-09-19

    摘要: 本发明涉及一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺,包括如下步骤:步骤一,采用碱性抛光液对多晶硅片进行化学抛光处理;步骤二,采用镀挖一体处理液对抛光后的硅片进行挖孔处理,在硅片表面制备出纳米孔洞;步骤三,采用脱银处理液对挖孔后的多晶硅片进行脱银处理,脱除硅片表面银颗粒;步骤四,采用扩孔处理液对脱银处理后的硅片进行扩孔处理,在硅片表面形成亚微米或微米级的孔洞。本发明通过对抛光、镀银挖孔、脱银、扩孔的合理控制,使得整个黑硅制绒过程便于控制,简化了制绒步骤,节省槽体数量和设备空间,降低了成本;提高开路电压,提高了组件的CTM;通过优化镀银添加剂组分,降低银含量,配合合理的污水处理工艺,降低了废液处理成本。

    一种用于去除多晶切割线网厚片端面残胶的脱胶剂

    公开(公告)号:CN110819471A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201910960801.5

    申请日:2019-10-11

    摘要: 本发明涉及一种用于去除多晶切割线网厚片端面残胶的脱胶剂,由以下质量百分比的物质组成:有机酸占10-30%;乳酸占2-10%;异辛醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚占0.1-1%;二辛基磺化琥珀酸钠占0.1-1%;1,6-二苯基-1,3,5-己三烯占10-30%;去离子水占40-80%。所述脱胶剂的制备方法如下:将上述质量百分比的物料按照如下顺序放入反应釜内:去离子水、乳酸、有机酸、异辛醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、二辛基磺化琥珀酸钠、二辛基磺化琥珀酸钠;在室温下进行充分搅拌混合0.5小时,直至混合均匀获得所述脱胶剂。本发明提供了脱胶剂的配方和制备方法以及在生产过程中的使用方法,该去除多晶切割线网厚片端面残胶的脱胶剂,降低了成本,有效脱除残胶,最终达到清洁环保的效果。

    一种黑硅含银废水处理添加剂及处理方法

    公开(公告)号:CN109911997A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910132607.8

    申请日:2019-02-22

    摘要: 本发明公开了一种黑硅含银废水处理添加剂及处理方法,由以下的三种添加剂组成:添加剂X1,其为氯化钠,硫化钠,二甲基二硫代氨基甲酸钠中的一种或几种以任意比例混合的混合物;添加剂X2,其为聚合氯化铝铁,聚合硫酸铁,聚合硫酸铝,聚合氯化铁以及聚合硫酸铝铁中的一种或几种以任意比例混合的混合物;添加剂X3,其为聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸钙、苯乙烯磺酸盐、木质磺酸盐、丙烯酸、甲基丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一种或几种以任意比例混合的混合物。本发明的添加剂能在常温下与废水中的银离子迅速反应,生成不溶于水,且具有良好的化学稳定性的螯合物,从而达到捕捉去除重金属的目的。

    一种大尺寸硅片的清洗槽

    公开(公告)号:CN213996979U

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202022789264.3

    申请日:2020-11-26

    摘要: 本实用新型涉及一种大尺寸硅片的清洗槽,包括槽体(1),所述的槽体(1)的左右两端分别设置清洗药液进口(2)、碱液进口(3),所述的槽体(1)的两侧设置有清洗装置,所述的槽体(1)的底面上设置有升降结构,所述的升降结构包括电机(7)、升降杆(8)、硅片托块(9),所述的升降杆(8)的底端与电机(7)连接,所述的升降杆(8)的上端与硅片托块(9)连接,所述的电机通过支杆(701)与槽体的侧壁连接,从而将电机固定在槽体内,所述的槽体(1)的底面上安装有两个超声波发生器(10)。本实用新型中的清洗槽能够在一个槽内完成硅片清洗的多种步骤,并且设置有超声波发生器,便于对硅片的清洗更加彻底,适合在工业中推广使用。