一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺

    公开(公告)号:CN112201724A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202010990550.8

    申请日:2020-09-19

    摘要: 本发明涉及一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺,包括如下步骤:步骤一,采用碱性抛光液对多晶硅片进行化学抛光处理;步骤二,采用镀挖一体处理液对抛光后的硅片进行挖孔处理,在硅片表面制备出纳米孔洞;步骤三,采用脱银处理液对挖孔后的多晶硅片进行脱银处理,脱除硅片表面银颗粒;步骤四,采用扩孔处理液对脱银处理后的硅片进行扩孔处理,在硅片表面形成亚微米或微米级的孔洞。本发明通过对抛光、镀银挖孔、脱银、扩孔的合理控制,使得整个黑硅制绒过程便于控制,简化了制绒步骤,节省槽体数量和设备空间,降低了成本;提高开路电压,提高了组件的CTM;通过优化镀银添加剂组分,降低银含量,配合合理的污水处理工艺,降低了废液处理成本。

    多晶铸锭炉的石墨底盘及多晶铸锭炉

    公开(公告)号:CN108950681B

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201710395349.3

    申请日:2017-05-27

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶铸锭炉的石墨底盘,石墨底盘上设置供气流进入的进气口,所述石墨底盘内围绕所述进气口设置多个与所述进气口连通的气室,各所述气室中设置多个用于对进入所述气室中的气流进行导流的导流部件;本发明的多晶铸锭炉的石墨底盘,在石墨底盘的进气口周围形成温度始终较低的气室,便于长晶初期形成中部微凸的生长界面,然后通过来回曲折迂回设置的布满石墨底盘周边的气道,使冷却气体充分换热,提升了多晶硅铸锭的质量,便于调节晶相结构,结构简单,易于实施,制造成本低廉,易于推广。

    一种防贴片的黑硅制绒装置

    公开(公告)号:CN109841704A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910140983.1

    申请日:2019-02-26

    IPC分类号: H01L31/18 C30B33/10

    摘要: 本发明公开了一种防贴片的黑硅制绒装置,包括机械臂、预脱水槽槽体和硅片花篮,所述预脱水槽槽体的顶部设置有开口,机械臂连接硅片花篮,硅片花篮内放置硅片;机械臂包括两组机械杆,两组机械杆分别与硅片花篮相对的两个侧壁连接,两组机械杆之间设置有上下活动的压杆,压杆的底面设置有若干个卡齿;机械臂带动其底部的硅片花篮经预脱水槽槽体顶部的开口纵向运动,压杆向下移动至卡齿将硅片花篮内的若干块硅片依次横向分隔开;本发明的装置设置在硅片烘干前的预脱水槽中,通过在提抓承载器的机械臂上增加可上下活动的压杆,在预脱水槽中,压杆放下,分离硅片,机械臂提升硅片的过程中确保硅片不贴片,硅片经过提拉脱水后,压杆上升抽出。

    一种预防红外仪漏气影响晶体品质的装置

    公开(公告)号:CN108981931A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201710414599.7

    申请日:2017-06-05

    发明人: 丁一 余刚 王剑

    IPC分类号: G01J5/04

    摘要: 本发明公开了一种预防红外仪漏气影响晶体品质的装置,包括保护套管和红外仪,保护套管的一端固接有红外仪安装法兰,红外仪安装法兰上安装有红外安装底座,红外仪安装底座上固接有压帽,压帽上固接有法兰,法兰上安装有保护套管,保护套管顶端安装有接线端子,接线端子与红外仪相连,红外仪的接线端位于保护套管内,红外仪的测温端依次穿过法兰、压帽、红外仪安装底座、红外仪安装法兰和红外仪下保护套管,从红外仪下保护套管的另一端伸出。本装置能及时处理红外仪在运行中出现漏气的问题,实施在线封孔,保证设备正常运行。

    一种石英坩埚侧部保温装置

    公开(公告)号:CN107268077A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710647120.4

    申请日:2017-08-01

    发明人: 孙鹏 丁一

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    CPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种石英坩埚侧部保温装置,包括围绕坩埚四周依次连接的四块石墨护板、包覆于石墨护板外的保温软毡以及用于固定保温软毡的角部固定装置;所述角部固定装置包括两个成直角连为一体的长条板,其中一个长条板板面上设置有若干沿长度方向排列的第一螺纹孔;所述石墨护板的左右两侧边上设置有相应排列的第二螺纹孔,通过螺栓穿过第一螺纹孔后与第二螺纹孔的配合实现角部固定装置与石墨护板的连接。本发明结构简单,便于装配与拆卸,节约成本,通过角部固定装置和石墨护板外壁对软毡的摩擦力固定保温软毡,能够自由调节保温区域,从而稳定长晶中后期长晶界面的温度均匀性,降低位错和杂质含量,提升铸锭质量。

    一种多边形铸锭及制造多边形铸锭的多晶硅铸锭炉

    公开(公告)号:CN107227491A

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201710542257.3

    申请日:2017-07-05

    发明人: 陈旭光 张涛

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06 C30B29/60

    CPC分类号: C30B28/06 C30B29/06 C30B29/60

    摘要: 本发明提出了一种侧面数大于4的多边形铸锭及制造多边形硅锭的铸造炉,所述铸锭炉包括圆柱形炉体、隔热笼、侧加热器、坩埚、坩埚侧护板、坩埚底护板、冷凝块;坩埚的矩形侧壁数为n;坩埚的侧护板有n个面,分别对应坩埚的n个侧壁;坩埚的底护板为边数为n的多边形。隔热笼的侧面有n个面,分别对应坩埚的n个侧壁。侧加热器的侧面有n个面,分别对应坩埚的n个侧壁。冷凝块为边数为n的多边形。n>4。本发明中的坩埚及热场,可铸造出侧面大于四面的多面柱状硅锭,相对四个侧面柱状的硅锭,更多侧面面的柱状硅锭,单炉装料量更多、产量更高、生产率更高。提高现有圆柱形炉体的利用率和产量,降低生产成本。

    一种带有旋转磁场的硅晶体生长炉

    公开(公告)号:CN107022790A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710355230.3

    申请日:2017-05-19

    发明人: 孙鹏 陈骏 张涛

    IPC分类号: C30B29/06 C30B30/04 C30B28/06

    CPC分类号: C30B29/06 C30B28/06 C30B30/04

    摘要: 本发明提供一种带有旋转磁场的硅晶体生长炉,硅晶体生长炉内坩埚四周磁场发生装置;所述磁场发生装置包括固定于晶体生长炉的炉体的绝缘体;所述绝缘体上设有三相导线,三相导线按次序以ABC的形式堆叠缠绕在绝缘体上,同相导线并联。本发明通过在晶体生长炉内施加一个电磁场,该电磁场由三相导线绕制而成,由于三相电源存在的相位差线圈会产生旋转的磁场,坩埚内的硅液在磁力作用下旋转,加强了熔池的搅拌作用;在强对流下,熔池内的冷热区分布更加均匀,固液界面平坦,同时涡流会促使杂质元素向熔池中心聚集,方便顶吹氩气将杂质带走,加强整体排杂。通过平坦固液界面和加强排杂,得到位错更低,晶体质量更好的硅锭。

    一种基于剪切增稠机理的太阳能硅片切割液及其制备方法

    公开(公告)号:CN106957710A

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201710306358.0

    申请日:2017-05-04

    发明人: 刘瑞鸿 孙培亚

    IPC分类号: C10M169/02

    摘要: 本发明提供一种基于剪切增稠机理的太阳能硅片切割液,该切割液由微/纳二氧化硅颗粒、分散介质和SiC粉体组成,通过在分散介质中溶入一定份数的微/纳二氧化硅颗粒,形成有剪切增稠效果的切割液。主要制备步骤包括:将微/纳粒子溶于预处理分散介质中,得到预混液;将预混液进一步分散在分散介质中,得到微/纳二氧化硅分散体系;将SiC粉体加入分散体系中,得到新型剪切增稠太阳能硅片切割液。其相对于现有太阳能多晶硅片切割液具有更好的分散性、稳定性和剪切增稠性能,同时切割成本更低,切割表面质量更好。本发明的基于剪切增稠机理的太阳能硅片切割液的制备工艺简单,操作方便,容易实现工业化生产。

    一种湿法黑硅片的高效量产制备方法

    公开(公告)号:CN109980043A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910145491.1

    申请日:2019-02-27

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种湿法黑硅片的高效量产制备方法,包括以下步骤:步骤一,去除损伤层:采用酸腐蚀或者碱腐蚀的方法,将硅片表面的损伤层去除;步骤二,清洗:将去除损伤层的硅片进行清洗,去除其表面多孔硅或者药液残留;步骤三,磷扩散吸杂:采用浓磷扩散在步骤二得到的硅片表面形成重掺杂区,吸收硅片体内杂质;步骤四,去磷硅玻璃:去除磷扩散后硅片表面形成的磷硅玻璃;步骤五,湿法黑硅制备:采用湿法黑硅工艺制备黑硅片。本发明的方法易于实现量产,去除多晶硅片中的杂质,提高多晶硅的少子寿命,提高电池的转换效率。