公开(公告)号：CN116722080A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202311002086.7

申请日：2023-08-10

申请人： 长春理工大学

发明人： 李金华 ,  王婉玉 ,  石凯熙 ,  翟英娇 ,  姜振峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种全空间尖端结构的等离子体增强型光电探测器的制备方法，包括以下步骤：在叉指电极上制备WS2薄膜，制得WS2基光电探测器；制备金纳米粒子；金纳米粒子为具有全空间尖端结构的海胆形金纳米粒子；将金纳米粒子溶于PMMA溶液，将溶于PMMA溶液的金纳米粒子集成在WS2薄膜上，制得等离子体增强型WS2基光电探测器。本申请提供的光电探测器的制备方法，通过将具有全空间尖端结构的金纳米粒子与二维薄膜材料集成，利用具有多尖端效应的海胆形金纳米粒子实现更强的LSPR效果，使二维材料获得更强光吸收；利用PMMA层避免金纳米粒子与二维材料直接接触，有效降低器件暗电流，对发展高性能光电器件具有重要意义。

公开(公告)号：CN116722080B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311002086.7

申请日：2023-08-10

申请人： 长春理工大学

发明人： 李金华 ,  王婉玉 ,  石凯熙 ,  翟英娇 ,  姜振峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种全空间尖端结构的等离子体增强型光电探测器的制备方法，包括以下步骤：在叉指电极上制备WS2薄膜，制得WS2基光电探测器；制备金纳米粒子；金纳米粒子为具有全空间尖端结构的海胆形金纳米粒子；将金纳米粒子溶于PMMA溶液，将溶于PMMA溶液的金纳米粒子集成在WS2薄膜上，制得等离子体增强型WS2基光电探测器。本申请提供的光电探测器的制备方法，通过将具有全空间尖端结构的金纳米粒子与二维薄膜材料集成，利用具有多尖端效应的海胆形金纳米粒子实现更强的LSPR效果，使二维材料获得更强光吸收；利用PMMA层避免金纳米粒子与二维材料直接接触，有效降低器件暗电流，对发展高性能光电器件具有重要意义。

公开(公告)号：CN116190497A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310465138.8

申请日：2023-04-27

申请人： 长春理工大学

发明人： 李金华 ,  王婉玉 ,  石凯熙 ,  楚学影 ,  姜振峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109

摘要： 本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：将S源置于双温管式炉的低温区，将Mo源置于双温管式炉的高温区；其中，Mo源包括MoO3粉末以及生长在衬底上的MoO3薄膜；S源与Mo源在高温环境下一步外延生长MoS2/MoO3异质结；将MoS2/MoO3异质结转移至金叉指电极上，制备光电探测器。本申请提供的基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，一步法生长的MoS2/MoO3异质结表现出较强的界面耦合质量，高界面耦合质量能够促进层间电荷转移，进一步提高异质结光电探测器的光响应。

公开(公告)号：CN116190497B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310465138.8

申请日：2023-04-27

申请人： 长春理工大学

发明人： 李金华 ,  王婉玉 ,  石凯熙 ,  楚学影 ,  姜振峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109

摘要： 本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：将S源置于双温管式炉的低温区，将Mo源置于双温管式炉的高温区；其中，Mo源包括MoO3粉末以及生长在衬底上的MoO3薄膜；S源与Mo源在高温环境下一步外延生长MoS2/MoO3异质结；将MoS2/MoO3异质结转移至金叉指电极上，制备光电探测器。本申请提供的基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，一步法生长的MoS2/MoO3异质结表现出较强的界面耦合质量，高界面耦合质量能够促进层间电荷转移，进一步提高异质结光电探测器的光响应。

公开(公告)号：CN115663068A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211341842.4

申请日：2022-10-31

申请人： 长春理工大学

发明人： 石凯熙 ,  杨惠 ,  李金华 ,  楚学影 ,  王婉玉

IPC分类号： H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  H01L31/109

摘要： 本发明公开了一种通过物理吸附构建二硫化钼基异质结光电探测器的方法，属于复合纳米材料光电探测技术领域。光电探测器自下而上依次有Si/SiO2衬底层、叉指电极、MoS2层、CuO纳米棒。其制造步骤包括：先通过机械剥离将MoS2薄膜转移至叉指电极上，再将研磨并干燥后的CuO纳米棒通过洗耳球斜吹至MoS2薄膜上，来构建异质结光电探测器。本实验通过材料间的范德华力构建异质结，实施过程不引入其他杂质，且无需考虑材料间的晶格结构匹配等问题。与目前其他常见的构建异质结的方法如辅助转移法、涂敷法和直接生长法等相比，通过本发明构建的异质结光电探测器有着光响应特性优良，表面无杂质污染，选用材料泛围广，制备过程简便等众多优点。