公开(公告)号：CN101864597A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010192355.7

申请日：2010-06-07

申请人： 长春理工大学

发明人： 刘景和 ,  张莹 ,  曾繁明 ,  张学建 ,  李春 ,  林海 ,  金银锁 ,  秦杰明

IPC分类号： C30B29/22 ,  C30B15/00

摘要： 钬铥双掺镓酸钆激光晶体属于光电子材料领域。现有技术中掺有稀土激活离子的的复合钨酸盐、稀土钒酸盐、铝酸盐或者氟化物受其组成、结构等方面因素所限，或此或彼地存在晶体生长周期长、生长温度高、生长困难、成晶率、晶体尺寸小等问题。本发明之钬铥双掺镓酸钆激光晶体其特征在于掺有2μm波段稀土激活离子钬和铥，分子式为Ho:Tm:GdGaO3，属于正交晶系，激光晶体基质为镓酸钆晶体。本发明可应用于激光器件制造领域。

公开(公告)号：CN101864595B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010192338.3

申请日：2010-06-07

申请人： 长春理工大学

发明人： 刘景和 ,  李春 ,  曾繁明 ,  张学建 ,  张莹 ,  林海 ,  金银锁 ,  秦杰明 ,  董仲伟 ,  董国飞

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

摘要： 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。

公开(公告)号：CN101864595A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010192338.3

申请日：2010-06-07

申请人： 长春理工大学

发明人： 刘景和 ,  李春 ,  曾繁明 ,  张学建 ,  张莹 ,  林海 ,  金银锁 ,  秦杰明 ,  董仲伟 ,  董国飞

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

摘要： 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。