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公开(公告)号：CN118583095B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411068282.9
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本发明涉及射线厚度测量技术领域，具体涉及一种异形玻璃基板镀膜厚度在线监测方法。该方法通过异形玻璃镀膜样本上扫描点在局部范围的双掠入射角和镀膜厚度的偏差情况，得到镀膜区域紊乱影响；确定扫描点的邻近等厚点，通过扫描点与邻近等厚点在双掠入射角分布和边界分布上的特征，得到异形表面复杂影响；根据扫描点的镀膜区域紊乱影响和异形表面复杂影响，结合扫描点的位置分布得到异形矫正程度，进而确定映射关系进行镀膜厚度监测。本发明考虑扫描点受到区域影响和异形玻璃基板镀膜影响情况，得到更优质的矫正系数，使双掠入射角与镀膜厚度的映射关系能够更准确的被获取，进而实现较为准确的异形玻璃基板镀膜厚度的在线检测。
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公开(公告)号：CN118583069B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411068150.6
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
IPC分类号： G01B11/06 , G06F18/22 , G06F18/232
摘要： 本发明涉及镀膜测试技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜厚度均匀性检测方法及系统，包括：根据每个光谱数据点的透过光谱极值序列和透过光谱极值位置序列确定每一层子膜的主体基准均匀序列和主体基准均匀位置序列；根据每一层子膜的每个光谱数据点的透过光谱极值序列、透过光谱极值位置序列、主体基准均匀序列以及主体基准均匀位置序列，确定光谱数据点的主体凌乱显著度；根据主体凌乱显著度确定每一层子膜的厚度均匀评估指标；对厚度均匀评估指标进行阈值判断，得到待检测玻璃基板镀膜的厚度均匀性结果。本发明通过分析透过光谱数据的特征量化主体凌乱显著度，提高了玻璃基板厚度均匀性检测的准确性。
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公开(公告)号：CN118583094A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411066912.9
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
IPC分类号： G01B15/02 , G01N23/2251 , G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/60
摘要： 本发明涉及镀膜检测技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜检测方法及系统。该方法将镀膜玻璃基板分割为局部板块，获取局部板块横截面的SEM图像和局部板块的镀膜厚度测量值；根据每个局部板块与其所在镀膜玻璃基板的其他每个局部板块之间横截面的SEM图像差异，获取每个局部板块的误差程度；根据每个镀膜玻璃基板的每个局部板块的误差程度和镀膜厚度测量值，获取每个镀膜玻璃基板的实际镀膜厚度，对镀膜玻璃基板的镀膜是否合格进行检测。本发明通过获取误差程度准确对每个局部板块的镀膜厚度测量值进行修正，降低了外在因素对镀膜厚度测量值的影响，进而准确获取每个镀膜玻璃基板的实际镀膜厚度，对玻璃基板的镀膜情况进行准确检测。
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公开(公告)号：CN118581436A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411068418.6
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本发明涉及磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜位置智能调整方法，该方法基于磁靶间距的不同会影响靶材表面磁场分布的特点，对每个磁靶间距下的电子云光谱数据进行分析，根据靶材元素光谱强度和工艺气体元素光谱强度之间的相对浓度时序变化稳定性，对每个磁靶间距下的等离子稳定系数进行确定，从而筛选出对应的等离子体稳定性更好的最优磁靶间距，进一步地根据最优磁靶间距进行玻璃基板镀膜位置调整，使得通过磁控溅射镀膜方法进行玻璃基板镀膜的稳定性和准确性更好。
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公开(公告)号：CN118583094B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411066912.9
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
IPC分类号： G01B15/02 , G01N23/2251 , G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/60
摘要： 本发明涉及镀膜检测技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜检测方法及系统。该方法将镀膜玻璃基板分割为局部板块，获取局部板块横截面的SEM图像和局部板块的镀膜厚度测量值；根据每个局部板块与其所在镀膜玻璃基板的其他每个局部板块之间横截面的SEM图像差异，获取每个局部板块的误差程度；根据每个镀膜玻璃基板的每个局部板块的误差程度和镀膜厚度测量值，获取每个镀膜玻璃基板的实际镀膜厚度，对镀膜玻璃基板的镀膜是否合格进行检测。本发明通过获取误差程度准确对每个局部板块的镀膜厚度测量值进行修正，降低了外在因素对镀膜厚度测量值的影响，进而准确获取每个镀膜玻璃基板的实际镀膜厚度，对玻璃基板的镀膜情况进行准确检测。
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公开(公告)号：CN118581436B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411068418.6
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本发明涉及磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜位置智能调整方法，该方法基于磁靶间距的不同会影响靶材表面磁场分布的特点，对每个磁靶间距下的电子云光谱数据进行分析，根据靶材元素光谱强度和工艺气体元素光谱强度之间的相对浓度时序变化稳定性，对每个磁靶间距下的等离子稳定系数进行确定，从而筛选出对应的等离子体稳定性更好的最优磁靶间距，进一步地根据最优磁靶间距进行玻璃基板镀膜位置调整，使得通过磁控溅射镀膜方法进行玻璃基板镀膜的稳定性和准确性更好。
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公开(公告)号：CN118579996B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411066780.X
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本发明涉及镀覆工艺的控制技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜蚀刻方法及系统。该方法包括获取偏置环境数据和镀膜环境数据，结合粒子滤波算法数据分析得到温度噪音矢量、等离子体热传导矢量和加热温度矢量，进而实现基片初始温度的调整，得到调整温度，结合所有温度粒子的调整温度确定基片实时温度；基于基片实时温度生成控制电信号，基于控制电信号对基片表面温度进行调控，完成镀膜。本发明实施例能够结合温度噪音矢量、等离子体热传导矢量和加热温度矢量，确定当前时刻更准确的基片实时温度，进而提升玻璃基板镀膜控制的可靠性。
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公开(公告)号：CN118581441B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411087780.8
申请日：2024-08-09
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本申请涉及芯片镀膜技术领域，具体涉及一种芯片真空镀膜方法及装置，该方法包括：芯片真空镀膜过程中，将镀膜腔体中的空气抽出，达到所需真空压强后，PLC发送指令到芯片蒸镀系统的坩埚控制系统的驱动器，驱动步进电机带动工作台进行移动，实现蒸镀材料的加注；利用电子束蒸发蒸镀材料，在芯片上凝结形成薄膜；所述所需真空压强的调整方法为：获取各采集时刻的腔体温度参数和腔体真空压强参数；获取各检测区间，确定各检测区间中各压强突变参数的真空异常系数和各温度突变参数的温度异常系数；确定各检测区间的关联异常因子和镀膜异常因子；调整镀膜腔体中的真空压强。本申请旨在保障芯片真空镀膜的稳定性与镀膜质量。
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公开(公告)号：CN118581440B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411066999.X
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本发明涉及镀膜温度控制技术领域，具体涉及一种玻璃基板镀膜温度智能控制方法及系统，包括：获取每个时刻下玻璃基板的红外灰度图像；根据红外灰度图像中像素点在局部范围内相邻行的灰度差异以及相邻列的灰度差异分布得到像素点的辐射相似因子；根据像素点的辐射相似因子和灰度值得到每个热辐射区域；根据热辐射区域的线性特征与加热过程中电阻丝的摆放方向之间的差异，得到热辐射区域的镀膜辐射匹配指数；根据红外灰度图像中所有镀膜辐射匹配指数的数据分布和波动情况，得到对应时刻的镀膜温度稳定指数；根据每个时刻的镀膜温度稳定指数对镀膜加热过程中的加热功率进行控制。本发明使得玻璃基板镀膜过程中的温度智能调控结果精度更高。
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公开(公告)号：CN118600386A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411067152.3
申请日：2024-08-06
申请人： 长沙韶光芯材科技有限公司
摘要： 本发明涉及镀膜工艺调节技术领域，具体涉及一种玻璃基板多层膜成膜过程优化方法及系统。该方法依据不同玻璃镀膜样本的薄膜折射率的差异、薄膜吸收率的差异和玻璃薄膜样本的薄膜折射率与薄膜吸收率的相关程度，获取薄膜增透指标；依据每个玻璃薄膜样本的薄膜折射率和薄膜吸收率的差异，以及每个玻璃薄膜样本与其余玻璃薄膜样本的薄膜折射率差异和薄膜吸收率差异获取增益影响指标；基于薄膜增透指标与增益影响指标优化玻璃基板多层膜成膜过程。本发明结合薄膜的折射率、吸收率与透过率三者之间的关系获取薄膜增透指标与增益影响指标，利用两者优化玻璃基板成膜过程，保证薄膜的理想厚度且具有优良透过率。
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