公开(公告)号：CN103890906B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280049378.X

申请日：2012-08-15

Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学

Inventor： 穆罕默德·M·胡赛因 ,  约纳森·普列托·罗雅斯

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02109 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制造机械柔性的硅基底的方法。在一个实施例中，该方法包括提供硅基底。该方法进一步包括在所述硅基底中形成第一蚀刻停止层和在所述硅基底中形成第二蚀刻停止层。该方法还包括在所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层上方形成一个或多个沟槽。该方法进一步包括移除所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层之间的硅基底。

公开(公告)号：CN107424913A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710346555.5

申请日：2012-08-15

Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学

Inventor： 穆罕默德·M·胡赛因 ,  约纳森·普列托·罗雅斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制造机械柔性的硅基底的方法。在一个实施例中，该方法包括提供硅基底。该方法进一步包括在所述硅基底中形成第一蚀刻停止层和在所述硅基底中形成第二蚀刻停止层。该方法还包括在所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层上方形成一个或多个沟槽。该方法进一步包括移除所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层之间的硅基底。

公开(公告)号：CN103890906A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280049378.X

申请日：2012-08-15

Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学

Inventor： 穆罕默德·M·胡赛因 ,  约纳森·普列托·罗雅斯

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02109 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制造机械柔性的硅基底的方法。在一个实施例中，该方法包括提供硅基底。该方法进一步包括在所述硅基底中形成第一蚀刻停止层和在所述硅基底中形成第二蚀刻停止层。该方法还包括在所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层上方形成一个或多个沟槽。该方法进一步包括移除所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层之间的硅基底。