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公开(公告)号：CN103890906B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201280049378.X
申请日：2012-08-15
申请人： 阿卜杜拉国王科技大学
发明人： 穆罕默德·M·胡赛因 , 约纳森·普列托·罗雅斯
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02005 , H01L21/02109 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种用于制造机械柔性的硅基底的方法。在一个实施例中，该方法包括提供硅基底。该方法进一步包括在所述硅基底中形成第一蚀刻停止层和在所述硅基底中形成第二蚀刻停止层。该方法还包括在所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层上方形成一个或多个沟槽。该方法进一步包括移除所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层之间的硅基底。
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公开(公告)号：CN106192000A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807979.2
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC分类号： C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02005
摘要： 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN105810721A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610029223.X
申请日：2016-01-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/02 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/0657 , H01L27/11534 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/02005 , H01L27/115
摘要： 本公开的各个实施例涉及半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法。根据各个实施例，可提供一种半导体衬底装置，其中该半导体衬底装置可包括：半导体衬底，限定处于第一层级的第一区域以及处于第二层级且靠近第一区域的第二区域，其中第一层级低于第二层级；多个平面型非易失性存储器结构，在第一区域中设置在半导体衬底之上；以及多个平面型晶体管结构，在第二区域中设置在半导体衬底之上。
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公开(公告)号：CN104781909A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380057792.X
申请日：2013-11-05
申请人： 戴纳洛伊有限责任公司
CPC分类号： C07F9/78 , C07F9/70 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L29/66803 , H01L21/04 , C07F9/68 , C07F9/80 , H01L21/02005
摘要： 描述了用于形成包含掺杂剂的基底的溶液配方和方法。在具体实施方案中，该掺杂剂可包含砷(As)。在一个实施方案中，提供了包含溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在一个特定实施方案中，该掺杂剂溶液可具有至少大致等于能够致使基底表面处的原子连接到掺杂剂溶液的含砷化合物上的最低温度的闪点。在一个实施方案中，基底表面处的多个硅原子共价键合到该含砷化合物上。
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公开(公告)号：CN103943742A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310024481.5
申请日：2013-01-23
申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02005 , C30B11/00 , C30B33/10 , H01L21/02013
摘要： 本发明提供一种蓝宝石衬底制造方法，其包括：提供一个模具，该模具开设一个薄膜状的凹陷；将蓝宝石原料置于该凹陷并加热使蓝宝石原料在毛细作用下布满凹陷而形成一个薄膜；将一个具有特定切面的蓝宝石晶种移动至该特定切面接触该薄膜表面而形成固液界面；拉提该蓝宝石晶种使该薄膜在该特定切面上凝固以形成一个蓝宝石衬底；对该蓝宝石衬底进行双面粗磨减薄；对该蓝宝石衬底进行双面细磨减薄；对该蓝宝石衬底进行双面粗抛光；及对该蓝宝石衬底进行双面精抛光。如此，相较于传统的制造方法，可缩短10倍左右的时间。
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公开(公告)号：CN103854972A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210521255.3
申请日：2012-12-06
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 郁新举
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02005
摘要： 本发明公开了一种改善晶圆表面翘曲的方法，包括：1）在晶圆中的硅基板上，形成制程所需的第一沟槽；2）在硅基板表面涂覆一层光刻胶，并对切割道处进行曝光，去除切割道处光刻胶；3）通过刻蚀，将切割道处刻一个第二沟槽，并去除光刻胶；4）在硅基板表面进行沟槽填充物沉积；5）对沟槽填充物进行干法回刻，至此将第一沟槽填充满。本发明对晶圆表面的应力进行释放，实现改善晶圆表面的翘曲度。
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公开(公告)号：CN103839771A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210485695.8
申请日：2012-11-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , G01R31/303
CPC分类号： H01L21/02005 , G01R31/303 , H01L22/30
摘要： 本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。
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公开(公告)号：CN103811301A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310551934.X
申请日：2013-11-07
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02005 , H01L21/02057 , H01L21/6836
摘要： 本发明提供晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆，该晶圆的加工方法在进行任意适当的加工工序前包括溶剂清洗工序，在该加工工序中，可适当地保持晶圆，并防止粘合片剥离后的残胶。本发明的晶圆的加工方法包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆；以及加工工序，加工该晶圆。本发明的晶圆的加工方法中，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。
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公开(公告)号：CN103682176A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310657047.0
申请日：2013-12-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02005 , H01L27/32 , H01L51/0096 , H01L51/56 , H01L2227/326
摘要： 本发明涉及一种刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板，其中用于柔性显示器件制作的刚性衬底基板的制作方法，包括以下步骤：在刚性基板表面形成一渗透层；在所述渗透层表面形成通道结构。本发明的有益效果是：缩短牺牲层的刻蚀时间，提高柔性基板的剥离效果。
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公开(公告)号：CN103515415A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210213205.9
申请日：2012-06-26
申请人： 群康科技(深圳)有限公司 , 奇美电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L23/367 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/0642 , H01L21/02005 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种叠层结构与其制造方法、以及包含其的电子装置。该叠层结构包括：一基板；一第一缓冲层配置于该基板之上；以及，多条第一坑道配置于该缓冲层与该基板之间。
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