公开(公告)号：CN101689483B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880022501.2

申请日：2008-04-28

申请人： 阿祖罗半导体股份公司

发明人： 阿明·达德加 ,  阿洛伊斯·克罗斯特

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： 本发明涉及具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件，该层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上，该第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时，该第IV族衬底表面的单元晶格具有C2对称，但不具有比C2对称更高的旋转对称。该第III族氮化物层结构在直接邻接该第IV族衬底表面处具有由三元或四元的Al1-x-yInxGayN构成的籽晶层，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1。由此实现了高质量的单晶生长。本发明的优点在于可以在c面、a面和m面GaN的生长中获得高的可实现的晶体质量，以及轻易地全部或部分移除衬底的可能性，这是因为这比在(111)取向的衬底上更容易以湿法化学方式进行。

公开(公告)号：CN101689483A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022501.2

申请日：2008-04-28

申请人： 阿祖罗半导体股份公司

发明人： 阿明·达德加 ,  阿洛伊斯·克罗斯特

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： 本发明涉及具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件，该层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上，该第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时，该第IV族衬底表面的单元晶格具有C2对称，但不具有比C2对称更高的旋转对称。该第III族氮化物层结构在直接邻接该第IV族衬底表面处具有由三元或四元的Al 1-x-y In x Ga y N构成的籽晶层，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1。由此实现了高质量的单晶生长。本发明的优点在于可以在c面、a面和m面GaN的生长中获得高的可实现的晶体质量，以及轻易地全部或部分移除衬底的可能性，这是因为这比在(111)取向的衬底上更容易以湿法化学方式进行。