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公开(公告)号:CN107850836A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680044441.9
申请日:2016-05-26
IPC分类号: G03F7/00
摘要: 本发明涉及用于降低嵌段共聚物膜(BCP1)的缺陷率的方法,所述嵌段共聚物膜(BCP1)的底表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面覆盖有顶表面中性化层(TC),以得到垂直于底界面和顶界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向,所述方法的特征在于为了覆盖嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面而实施的所述顶表面中性化层(TC)由第二前端共聚物(BCP2)构成。
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公开(公告)号:CN108473812A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680062091.9
申请日:2016-10-07
IPC分类号: C09D153/00 , C08G77/60 , C08J5/18 , G03F7/16 , B01J32/00 , C08F297/02
CPC分类号: C08F297/02 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08G77/60 , C09D153/00 , G03F7/0002
摘要: 本发明涉及一种通过二嵌段共聚物的自组装形成纳米结构的方法,其一个嵌段通过至少一种对应于式(I)的环状实体的(共)聚合而获得,而其另一个嵌段通过至少一种乙烯基芳族单体的(共)聚合而获得。(I)=其中X=Si(R1,R2);Ge(R1,R2)Z=Si(R3,R4);Ge(R3,R4);O;S;C(R3,R4)Y=O;S;C(R5,R6)T=O;S;C(R7,R8)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8选自氢、具有或不具有杂原子的直链、支链或环状烷基以及具有或不具有杂原子的芳族基团。
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公开(公告)号:CN107735727A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201680039637.9
申请日:2016-05-26
IPC分类号: G03F7/00
CPC分类号: G03F7/0002 , G03F7/168 , G03F7/2002
摘要: 本发明涉及用于控制嵌段共聚物(BCP1)的顶部界面处的表面能的方法,以便获得垂直于顶部界面和底部界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴取向,所述嵌段共聚物(BCP1)的底部界面与基底的预中性化的表面接触,所述方法在于用上表面中性化层(TC)覆盖所述嵌段共聚物(BCP1)的上表面,且所述方法的特征在于所述上表面中性化层(TC)由第二嵌段共聚物(BCP2)组成。
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