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公开(公告)号：CN105722927B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201480049611.3
申请日：2014-09-05
IPC分类号： C09D153/00 , C08L53/00 , G03F7/16
摘要： 本发明涉及用于控制包括沉积在表面上或者在模具中的嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组装体的周期的方法。嵌段共聚物的特征在于，该嵌段共聚物具有至少一种相同的嵌段共聚物每一嵌段各自的构成单体，但呈现不同的分子量。所述控制方法的目标在于获得几乎没有纳米结构缺陷的膜或物品的厚度，该厚度对于经处理的表面是足够大的，以使所述经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩膜，或者对于由此获得的物品是足够大的以呈现先前未公布的机械、声学或光学特性。
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公开(公告)号：CN105518089B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201480049607.7
申请日：2014-09-05
IPC分类号： C09D153/00 , C08F293/00 , C08J5/18 , G03F7/16 , C08L53/00 , G03F7/06
摘要： 本发明涉及用于在表面上无纳米结构缺陷地制造由嵌段共聚物获得的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物呈现在1.1和2之间的分散度指数(包括界限)，从而使该经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩模。
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公开(公告)号：CN107735727A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680039637.9
申请日：2016-05-26
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0002 , G03F7/168 , G03F7/2002
摘要： 本发明涉及用于控制嵌段共聚物(BCP1)的顶部界面处的表面能的方法，以便获得垂直于顶部界面和底部界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴取向，所述嵌段共聚物(BCP1)的底部界面与基底的预中性化的表面接触，所述方法在于用上表面中性化层(TC)覆盖所述嵌段共聚物(BCP1)的上表面，且所述方法的特征在于所述上表面中性化层(TC)由第二嵌段共聚物(BCP2)组成。
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公开(公告)号：CN106062104A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480068283.1
申请日：2014-12-11
IPC分类号： C09D153/00 , B82Y40/00 , H01L21/033
CPC分类号： C09D153/00 , B05D1/005 , B05D1/28 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08G77/60 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , Y10S977/892
摘要： 本发明涉及允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米(nanometric)结构体的方法，其中所述嵌段中的至少一种来自包括至少一种符合式I的环状实体的单体的聚合，其中X＝Si(R1,R2)，Ge(R1,R2)；Z＝Si(R3,R4)，Ge(R3,R4)，O，S，C(R3,R4)；Y＝O，S，C(R5,R6)；且T＝O，S，C(R7,R8)；其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8选自氢，具有或不具有杂原子的直链、支链、环状烷基基团，和具有或不具有杂原子的芳族基团。
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公开(公告)号：CN105980494A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480068285.0
申请日：2014-12-11
IPC分类号： C09D153/00 , B82Y40/00 , G03F1/00
CPC分类号： C09D183/00 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08G77/00 , C09D153/00 , G03F7/0002
摘要： 本发明涉及通过嵌段共聚物的自组装允许纳米结构的产生的方法，其中所述嵌段共聚物的至少一个嵌段可以是结晶的或具有至少一个液晶相。
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公开(公告)号：CN105518089A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049607.7
申请日：2014-09-05
IPC分类号： C09D153/00 , C08F293/00 , C08J5/18 , G03F7/16 , C08L53/00 , G03F7/06
CPC分类号： B05D3/046 , B05D1/005 , B05D3/0254 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08J5/18 , C08J2353/00 , C08L53/00 , C08L2205/025 , C08L2205/03 , C09D153/00 , G03F1/50 , G03F1/68 , G03F7/0002
摘要： 本发明涉及用于在表面上无纳米结构缺陷地制造由嵌段共聚物获得的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物呈现在1.1和2之间的分散度指数(包括界限)，从而使该经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩模。
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公开(公告)号：CN106029759B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201480075435.0
申请日：2014-12-10
CPC分类号： C09D187/005 , B01J31/06 , B05D3/06 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08J9/26 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271
摘要： 本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法，所述方法由以下构成：借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物，然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。
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公开(公告)号：CN106062104B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201480068283.1
申请日：2014-12-11
IPC分类号： C09D153/00 , B82Y40/00 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米(nanometric)结构体的方法，其中所述嵌段中的至少一种来自包括至少一种符合式I的环状实体的单体的聚合，其中X＝Si(R1,R2)，Ge(R1,R2)；Z＝Si(R3,R4)，Ge(R3,R4)，O，S，C(R3,R4)；Y＝O，S，C(R5,R6)；且T＝O，S，C(R7,R8)；其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8选自氢，具有或不具有杂原子的直链、支链、环状烷基基团，和具有或不具有杂原子的芳族基团。
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公开(公告)号：CN107850836A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044441.9
申请日：2016-05-26
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明涉及用于降低嵌段共聚物膜(BCP1)的缺陷率的方法，所述嵌段共聚物膜(BCP1)的底表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面覆盖有顶表面中性化层(TC)，以得到垂直于底界面和顶界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向，所述方法的特征在于为了覆盖嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面而实施的所述顶表面中性化层(TC)由第二前端共聚物(BCP2)构成。
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公开(公告)号：CN106029759A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480075435.0
申请日：2014-12-10
CPC分类号： C09D187/005 , B01J31/06 , B05D3/06 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08J9/26 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271
摘要： 本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法，所述方法由以下构成：借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物，然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。
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