约瑟夫森结的制备方法、装置、设备以及超导器件

    公开(公告)号:CN113257989A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202011187173.0

    申请日:2020-10-29

    发明人: 高然 秦金 邓纯青

    IPC分类号: H01L39/24 H01L27/18 H01L39/22

    摘要: 本发明实施例提供了一种约瑟夫森结的制备方法、装置、设备以及超导器件。方法包括:获取至少一个第一图案结构和多个第二图案结构;基于第一蒸发方向在至少一个第一图案结构和多个第二图案结构上蒸发预设材料,生成第一电极层;在第一电极层上形成绝缘层,绝缘层由与预设材料相对应的化合物构成;基于第二蒸发方向在至少一个第一图案结构和多个第二图案结构上蒸发预设材料,生成第二电极层;第一蒸发方向和第二蒸发方向与第一图案结构的边缘和第二图案结构的边缘相平行;分别通过在第一图案结构和第二图案结构中的第一电极层、绝缘层和第二电极层获得第一类约瑟夫森结和第二类约瑟夫森结,第一类约瑟夫森结与第二类约瑟夫森结的结区面积不同。

    电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路

    公开(公告)号:CN114678200A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210129248.2

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: H01F41/00 H01L39/02

    摘要: 本发明实施例提供了一种电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路。制备方法包括:获取用于制备电感元件的化合物,化合物的超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件;对化合物进行退火操作,以使化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离,生成电感元件,其中,电感元件的动态电感大于几何电感。本实施例提供的技术方案,通过获取用于制备电感元件的化合物,对化合物进行退火操作,使得化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离,从而可以生成动态电感大于几何电感的电感元件,并且有效地降低了对电感元件的制备难度和制备流程。

    硬掩模及其制备方法、约瑟夫森结的制备方法及超导电路

    公开(公告)号:CN113257988B

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202010250679.5

    申请日:2020-04-01

    IPC分类号: H01L39/24 H01L39/02 H01L39/22

    摘要: 本发明实施例提供了一种硬掩模及其制备方法、约瑟夫森结的制备方法及超导电路。硬掩模包括:氧化硅层,用于设置于裸硅片上;氮化硅层,设置于氧化硅层的上端;在氮化硅上设置有第一图案,氧化硅层上设置有与第一图案相对应的第二图案,第一图案与第二图案的形状不同,第一图案与第二图案用于辅助在裸硅片上形成约瑟夫森结。本实施例提供的技术方案,通过氧化硅层和氮化硅层构成硬掩模,使得硬掩模可以承受不同加工温度的材料,适用于多种表面处理工艺,可以与超高真空环境兼容,且在制备约瑟夫森结时,可以适用于材料淀积前后,较强烈的处理工艺;不仅保证了约瑟夫森结的制备质量和效率,同时也提高了对约瑟夫森结进行制备的工艺多样性和兼容性。

    硬掩模及其制备方法、约瑟夫森结的制备方法及超导电路

    公开(公告)号:CN113257988A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010250679.5

    申请日:2020-04-01

    IPC分类号: H01L39/24 H01L39/02 H01L39/22

    摘要: 本发明实施例提供了一种硬掩模及其制备方法、约瑟夫森结的制备方法及超导电路。硬掩模包括:氧化硅层,用于设置于裸硅片上;氮化硅层,设置于氧化硅层的上端;在氮化硅上设置有第一图案,氧化硅层上设置有与第一图案相对应的第二图案,第一图案与第二图案的形状不同,第一图案与第二图案用于辅助在裸硅片上形成约瑟夫森结。本实施例提供的技术方案,通过氧化硅层和氮化硅层构成硬掩模,使得硬掩模可以承受不同加工温度的材料,适用于多种表面处理工艺,可以与超高真空环境兼容,且在制备约瑟夫森结时,可以适用于材料淀积前后,较强烈的处理工艺;不仅保证了约瑟夫森结的制备质量和效率,同时也提高了对约瑟夫森结进行制备的工艺多样性和兼容性。

    电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路

    公开(公告)号:CN113257552A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010431535.X

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: H01F41/00 H01L39/02

    摘要: 本发明实施例提供了一种电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路。制备方法包括:获取用于制备电感元件的化合物,化合物的超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件;对化合物进行退火操作,以使化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离,生成电感元件,其中,电感元件的动态电感大于几何电感。本实施例提供的技术方案,通过获取用于制备电感元件的化合物,对化合物进行退火操作,使得化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离,从而可以生成动态电感大于几何电感的电感元件,并且有效地降低了对电感元件的制备难度和制备流程。

    测量系统、方法、装置及设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113255921A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010086900.8

    申请日:2020-02-11

    IPC分类号: G06N10/00

    摘要: 本发明实施例提供了一种测量系统、方法、装置及设备。系统包括:超导电路,位于预设环境中,用于产生超导量子比特;控制电路与超导电路电连接,用于:获取与超导量子比特相对应的初始环境信息;在超导量子比特的量子能级为第一预设能级的预设条件下,确定与超导量子比特相对应的第一环境信息;在超导量子比特的量子能级为第二预设能级的预设条件下,确定与超导量子比特相对应的第二环境信息;基于第一环境信息和第二环境信息确定有效环境信息;根据有效环境信息和初始环境信息,确定任意阶关联信息。本实施例提供的技术方案可以准确、有效地确定任意阶关联信息,而后可以基于任意阶关联信息对环境噪音进行分析识别。

    电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路

    公开(公告)号:CN113257552B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202010431535.X

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: H01F41/00 H01L39/02

    摘要: 本发明实施例提供了一种电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路。制备方法包括:获取用于制备电感元件的化合物,化合物的超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件;对化合物进行退火操作,以使化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离,生成电感元件,其中,电感元件的动态电感大于几何电感。本实施例提供的技术方案,通过获取用于制备电感元件的化合物,对化合物进行退火操作,使得化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离,从而可以生成动态电感大于几何电感的电感元件,并且有效地降低了对电感元件的制备难度和制备流程。

    中心对准结构及量子计算机的制备装置

    公开(公告)号:CN213211074U

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202021409099.8

    申请日:2020-07-16

    IPC分类号: G06N10/00 G03F7/16 H01L21/68

    摘要: 本实用新型提供了一种中心对准结构及量子计算机的制备装置,其中,中心对准结构包括:板体,包括具有高度差的第一定位平面和第二定位平面,第二定位平面高于第一定位平面;第一定位立面,设置于第一定位平面和第二定位平面之间;凸起部,设置于第二定位平面上,凸起部设置有第二定位立面,其中,第一定位立面和第二定位立面之间具有预设距离D。本申请的技术方案解决了现有技术中的手动对准精度差且耗时的问题。