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公开(公告)号：CN111162018B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201911349059.0
申请日：2019-12-24
申请人： 陕西电器研究所
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544 , G01B7/16
摘要： 本发明涉及一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，属于传感器测量技术领域。本方法采用等离子体刻蚀在惠斯通电桥桥臂上刻蚀零位调整电阻，通过调整惠斯通电桥桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。本发明所述方法能够实现初始零位偏差值较大的薄膜传感器的零位调整，调整过程环保无污染，而且调整后的薄膜传感器使用温度范围宽。
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公开(公告)号：CN112611315B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202011339181.2
申请日：2020-11-25
申请人： 陕西电器研究所
摘要： 本发明公开了一种离子束溅射薄膜高温应变片及其制备方法，该离子束溅射薄膜高温应变片包括镍基合金基底、绝缘薄膜层、镍铬丝栅薄膜层、保护薄膜层以及电极薄膜；镍基合金基底、绝缘薄膜层、以及镍铬丝栅薄膜层从下到上依次层叠设置；电极薄膜和保护薄膜层均通过离子束溅射镀膜工艺沉积于镍铬丝栅薄膜层的顶部，电极薄膜和保护薄膜层同层设置；镍铬丝栅薄膜层由通过离子束溅射镀膜工艺沉积于绝缘薄膜层的镍铬薄膜层经过刻蚀形成；电极薄膜用于连接耐高温导线。上述离子束溅射薄膜高温应变片能够在高温下进行稳定的测量工作。
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公开(公告)号：CN116254506B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310046859.5
申请日：2023-01-31
申请人： 陕西电器研究所
摘要： 本发明涉及一种爆炸箔及其批量化制备方法，属于点火起爆装置和微电子机械技术领域。所述爆炸箔为由下向上依次由Ti膜、Al膜、Ni膜、Cu膜和Au膜组成的复合膜；所述Ti膜的厚度为5～200nm，Al膜的厚度为100～300nm、Ni膜的厚度为100～300nm、Cu膜的厚度为1000～5000nm，Au膜的厚度为5～100nm；所述爆炸箔以蓝宝石晶圆为衬底，采用匀胶光刻和磁控溅射镀膜工艺在晶圆上由下向上依次沉积Ti、Al、Ni、Cu、Au膜，最后通过激光切割划片并在衬底上加工通孔，得到沉积有所述爆炸箔的单个晶圆；全过程采用半导体制备工艺，可批量化生产，提高生产效率，降低成本并提高爆炸箔的精度。
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公开(公告)号：CN116254506A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310046859.5
申请日：2023-01-31
申请人： 陕西电器研究所
摘要： 本发明涉及一种爆炸箔及其批量化制备方法，属于点火起爆装置和微电子机械技术领域。所述爆炸箔为由下向上依次由Ti膜、Al膜、Ni膜、Cu膜和Au膜组成的复合膜；所述Ti膜的厚度为5～200nm，Al膜的厚度为100～300nm、Ni膜的厚度为100～300nm、Cu膜的厚度为1000～5000nm，Au膜的厚度为5～100nm；所述爆炸箔以蓝宝石晶圆为衬底，采用匀胶光刻和磁控溅射镀膜工艺在晶圆上由下向上依次沉积Ti、Al、Ni、Cu、Au膜，最后通过激光切割划片并在衬底上加工通孔，得到沉积有所述爆炸箔的单个晶圆；全过程采用半导体制备工艺，可批量化生产，提高生产效率，降低成本并提高爆炸箔的精度。
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公开(公告)号：CN109556463B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811385797.6
申请日：2018-11-21
申请人： 陕西电器研究所
摘要： 本发明公开了一种起爆器爆炸桥箔的制作方法，包括陶瓷基底的表面处理，陶瓷基底经过表面处理研磨抛光后，表面粗糙度达到小于15nm时，将陶瓷基底放入酒精进行超声波清洗干净并用氮气吹干，在待镀膜面上均匀涂覆一层光刻胶，通过紫外光刻工艺在光刻胶表面制作特定的桥箔掩膜图形，将胶膜经过固胶处理后，采用双离子束溅射镀膜工艺在陶瓷基底待镀膜面叠加沉积纯钛、纯铜和纯金三种膜层，桥箔制作结束后放入酒精进行超声波清洗去胶获得最终的桥箔图形，桥箔电阻值范围为30～50Ω。采用该工艺制作的爆炸桥箔与基底的附着力较高，桥箔纯度高使桥箔在燃爆过程中能量利用率高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN112611315A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011339181.2
申请日：2020-11-25
申请人： 陕西电器研究所
摘要： 本发明公开了一种离子束溅射薄膜高温应变片及其制备方法，该离子束溅射薄膜高温应变片包括镍基合金基底、绝缘薄膜层、镍铬丝栅薄膜层、保护薄膜层以及电极薄膜；镍基合金基底、绝缘薄膜层、以及镍铬丝栅薄膜层从下到上依次层叠设置；电极薄膜和保护薄膜层均通过离子束溅射镀膜工艺沉积于镍铬丝栅薄膜层的顶部，电极薄膜和保护薄膜层同层设置；镍铬丝栅薄膜层由通过离子束溅射镀膜工艺沉积于绝缘薄膜层的镍铬薄膜层经过刻蚀形成；电极薄膜用于连接耐高温导线。上述离子束溅射薄膜高温应变片能够在高温下进行稳定的测量工作。
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公开(公告)号：CN111162018A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911349059.0
申请日：2019-12-24
申请人： 陕西电器研究所
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544 , G01B7/16
摘要： 本发明涉及一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，属于传感器测量技术领域。本方法采用等离子体刻蚀在惠斯通电桥桥臂上刻蚀零位调整电阻，通过调整惠斯通电桥桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。本发明所述方法能够实现初始零位偏差值较大的薄膜传感器的零位调整，调整过程环保无污染，而且调整后的薄膜传感器使用温度范围宽。
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公开(公告)号：CN111141429A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911340713.1
申请日：2019-12-23
申请人： 陕西电器研究所
摘要： 本发明涉及一种真空封装的溅射薄膜压力敏感元件，属于压力测量装置技术领域。本发明通过将暴露在大气中的敏感薄膜进行真空封装，使溅射薄膜压力敏感元件的表面存在一层真空层，使得敏感薄膜与大气产生隔离，减少空气产生的氧化作用并能够减小溅射薄膜压力敏感元件因大气压力变化而产生的测量误差，该溅射薄膜压力敏感元件具有精度高、稳定性高、使用温度范围广及动态频响高的特点，能够极大扩展溅射薄膜压力敏感元件的应用范围。
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