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公开(公告)号:CN113839653A
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202111153240.1
申请日:2021-09-29
IPC分类号: H03K17/081 , H03K17/687
摘要: 本发明公开一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路,涉及保护电路领域,包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路,所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接,且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入,所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接,通过在SiC MOSFET的源极串接电阻检测电流,将电流信号转为电压信号,使用LM211比较器与预定值进行比较,将比较信号经过光耦隔离输出后,直接接入SiC MOSFET驱动芯片的使能端,直接在SiC MOSFET驱动芯片侧进行保护,同时使用另一个光耦隔离输出接入主控模块的硬件保护中断引脚,双重保护。
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公开(公告)号:CN106033896B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201510112456.1
申请日:2015-03-13
申请人: 陕西省地方电力(集团)有限公司 , 清华大学
IPC分类号: H02J3/46
摘要: 本申请公开了一种自动发电控制方法,包括:每个电网区域j,在每个预设的控制周期,确定当前本区域的负荷变化量、电网区域i的频率偏差量和电网区域k的频率偏差量,其中,所述电网区域i为功率流到所述电网区域j的每个电网区域,电网区域k为所述电网区域j的功率流到的每个电网区域;所述电网区域j,根据所述负荷变化量和所述频率偏差量,按照系统调节开销与频率偏差处罚之和最小的原则,确定当前控制周期本区域的出力控制指令和本区域的控制评价参数;并根据所述出力控制指令进行本区域的发电控制,根据所述控制评价参数,获知当前本区域的频率稳定性。采用本发明,可以有效实现电力系统内的频率稳定且成本低。
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公开(公告)号:CN106033896A
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201510112456.1
申请日:2015-03-13
申请人: 陕西省地方电力(集团)有限公司 , 清华大学
IPC分类号: H02J3/46
摘要: 本申请公开了一种自动发电控制方法,包括:每个电网区域j,在每个预设的控制周期,确定当前本区域的负荷变化量、电网区域i的频率偏差量和电网区域k的频率偏差量,其中,所述电网区域i为功率流到所述电网区域j的每个电网区域,电网区域k为所述电网区域j的功率流到的每个电网区域;所述电网区域j,根据所述负荷变化量和所述频率偏差量,按照系统调节开销与频率偏差处罚之和最小的原则,确定当前控制周期本区域的出力控制指令和本区域的控制评价参数;并根据所述出力控制指令进行本区域的发电控制,根据所述控制评价参数,获知当前本区域的频率稳定性。采用本发明,可以有效实现电力系统内的频率稳定且成本低。
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