公开(公告)号：CN113839550A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111150322.0

申请日：2021-09-29

申请人： 陕西省地方电力(集团)有限公司 ,  陕西能源研究院有限公司 ,  陕西省地方电力(集团)有限公司榆林电力分公司 ,  青海大学

发明人： 王婷 ,  范斌涛 ,  张华 ,  马岩浩 ,  王璞 ,  陈来军 ,  魏春燕 ,  陈相吾

IPC分类号： H02M1/38 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

摘要： 本发明公开一种适用于SiC MOSFET的桥臂互锁电路，涉及互锁电路领域，包括与非门芯片U1A和与门芯片U1B，所述与非门芯片U1A的1号引脚连接PWM1信号，2号引脚连接PWM2信号，4号引脚连接PWM3信号，5号引脚连接PWM4信号，所述非门芯片U1A的3号引脚输出一路使能信号S1，6号引脚输出二路使能信号S2，通过在SiC MOSFET的驱动芯片前加入桥臂互锁电路，使用与非门芯片74LS00和与门芯片74LS08，通过逻辑电路，确保半桥、全桥、推挽等电路上下桥臂不会同时导通。设计所需器件少，无需占用太大的PCB板空间，同时可以保护SiC MOSFET不被损坏。

公开(公告)号：CN113839653A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111153240.1

申请日：2021-09-29

申请人： 陕西省地方电力(集团)有限公司 ,  陕西能源研究院有限公司 ,  陕西省地方电力(集团)有限公司榆林电力分公司

发明人： 张华 ,  范斌涛 ,  王婷 ,  魏春燕 ,  陈相吾 ,  刘锋 ,  马岩浩 ,  王璞

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/687

摘要： 本发明公开一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，涉及保护电路领域，包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路，所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接，且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入，所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接，通过在SiC MOSFET的源极串接电阻检测电流,将电流信号转为电压信号，使用LM211比较器与预定值进行比较，将比较信号经过光耦隔离输出后，直接接入SiC MOSFET驱动芯片的使能端，直接在SiC MOSFET驱动芯片侧进行保护，同时使用另一个光耦隔离输出接入主控模块的硬件保护中断引脚，双重保护。