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公开(公告)号：CN103882726B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201410116982.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 陕西科技大学 , 广东菲安妮皮具股份有限公司
IPC: D06N3/14 , B32B37/26 , B32B27/40 , C09D175/04 , C09D127/16
Abstract: 一种制备合成革用干法PU/PVDF疏水聚氨酯涂层的方法，包括有以下步骤：1）首先将聚氨酯PU和聚偏氟乙烯PVDF混合；2）加入氮氮二甲基甲酰胺DMF：丙酮MEK=0～50:0～20质量份数的有机溶剂，再加入色浆辅助助剂物料，配置成面层；按照PU:DMF:MEK:色浆=0～100:0～50:0～20:0～15的比例配置成黏结层，将面层浆料、黏结层面料分别充分在室温下用真空搅拌机搅拌，形成黏度溶液浆料；3）将干法面层涂料涂布于离型纸上固化成型后得到PU/PVDF干法面层；在面层上涂覆黏结层，将合成革湿法基材用半干贴方法与干法面层贴合，烘干熟化后得到本发明产品；PU/PVDF共混改性后，涂层的疏水性、抗污染性、阻燃系数高，机械拉伸强度高，方法简单、要求条件低、成本低、易于合成革工业化生产的应用。
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公开(公告)号：CN118852691A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411108359.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明属于聚合物薄膜领域，公开了一种聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法和应用，包括：混合N，N‑二甲基甲酰胺、聚偏氟乙烯和硫酸钙离子低聚物，得到混合体系溶液；以及将混合体系溶液固化成膜，得到聚偏氟乙烯介电复合薄膜。在加入硫酸钙离子低聚物的聚偏氟乙烯介电复合薄膜中，复合薄膜的介电常数明显升高，介电损耗没有明显升高。本发明通过制备具有介电性多功能的聚偏氟乙烯介电复合薄膜代替传统的陶瓷类介电材料，制备方法工艺简单且操作方便，赋予了聚偏氟乙烯介电复合薄膜优异的介电性能与耐高温性，可以在压力传感器、锂离子电池、汽车马达以及耐高温的热敏电阻器件等领域中广泛应用。
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公开(公告)号：CN117624673A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311659032.8
申请日：2023-12-05
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C08J5/18 , C08K5/3445 , C08L27/16 , C08L1/04 , H01C7/00
Abstract: 本发明属于聚合物薄膜领域，公开了一种微晶纤维素掺杂的聚偏氟乙烯介电复合薄膜及制备方法和应用，包括：以N，N‑二甲基甲酰胺作为溶剂，配制溶质为聚偏氟乙烯、1‑烯丙基‑3‑甲基氯化咪唑和微晶纤维素的混合体系溶液；将所述混合体系溶液固化成膜，得到聚偏氟乙烯介电复合薄膜。经过检测对比发现，在加入微晶纤维素的聚偏氟乙烯介电复合薄膜中，聚偏氟乙烯/离子液体系的介电损耗明显降低，通过制备具有介电性多功能的聚偏氟乙烯介电复合薄膜可代替传统的陶瓷类介电材料，制备方法工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN113248762B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110622202.X
申请日：2021-06-03
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 一种快速制备γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法，以N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制质量浓度为3％‑8％聚偏氟乙烯(PVDF)溶液，采用溶液浇注法制备PVDF固化薄膜，在140‑160℃的温度下PVDF快速成核为α相晶核，并在165‑170℃快速相变为γ相晶核，从而提高了PVDFγ相的成核能力，γ相含量能够达到80％；并且由于成核数量增加，从而加快了生长速率；相较于传统的熔融结晶的方法，本方法大大提高了γ相的成核能力并加快了γ相的生长速度，从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜；制备工艺简单、操作方便、且性能优异，耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强，在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN115028871A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210712016.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 一种制备取向γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法，包括有以下步骤：1)在取向α相的PVDF薄膜上涂覆5‑20μL/cm2的离子液体或20‑50μL/cm2的离子型化合物的水溶液，制得样品；2)将步骤1)制得的样品在140‑160℃下的温度下退火2‑12h；本发明可以快速制备取向γ相聚偏氟乙烯，并且制备工艺简单、操作方便且性能优异，耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强，可作为一种耐高温功能性高分子材料，在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114409944A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210177885.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 一种快速诱导聚偏氟乙烯薄膜发生α到γ相变的方法，以N，N‑二甲基甲酰胺为溶剂，配制质量浓度为3％‑10％的PVDF溶液，然后将制备的溶液均匀刮涂至干燥洁净的玻璃片或硅片基底上，并在60‑100℃干燥6‑24h以使溶剂完全去除，制得PVDF薄膜，经190‑210℃消除热历史后，在30℃至160℃的温度下成核为α相晶核，经离子液体浸泡后，在140‑170℃快速相变为γ′相晶体，得到了高γ′含量的PVDF薄膜，γ′相含量高达92％；由于采用先结晶后快速退火的方法，使得γ‑PVDF的生成速度大大提高，从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜；制备工艺简单、操作方便、且可连续化生产，性能优异、耐高温、耐化学腐蚀、具有较强的铁电和压电性能，可应用于传感器、电容器和耐高温储能元件与热敏性材料。
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公开(公告)号：CN113248762A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110622202.X
申请日：2021-06-03
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 一种快速制备γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法，以N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制质量浓度为3％‑8％聚偏氟乙烯(PVDF)溶液，采用溶液浇注法制备PVDF固化薄膜，在140‑160℃的温度下PVDF快速成核为α相晶核，并在165‑170℃快速相变为γ相晶核，从而提高了PVDFγ相的成核能力，γ相含量能够达到80％；并且由于成核数量增加，从而加快了生长速率；相较于传统的熔融结晶的方法，本方法大大提高了γ相的成核能力并加快了γ相的生长速度，从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜；制备工艺简单、操作方便、且性能优异，耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强，在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN112480449A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011534352.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 一种极性相聚偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜材料。所述复合材料的制法为：将聚偏氟乙烯溶解在足量的N,N‑二甲基甲酰胺中；配制深共晶溶剂与聚偏氟乙烯共混（深共晶溶剂包括氯化胆碱/甘油、氯化胆碱/乙二醇、氯化胆碱/尿素、氯化胆碱/草酸）形成聚偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜；将偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜通过溶液浇铸法、旋涂法和热压法，得到具有高含量极性相聚偏氟乙烯的偏氟乙烯/深共晶溶剂复合材料。这种复合材料的制作工艺简单，成本低廉，流程可控。
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公开(公告)号：CN106496966B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610956294.4
申请日：2016-10-28
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 种可降解的聚己二酸丁二醇酯/溴化钾复合材料的制备方法,1)将溴化钾颗粒研磨,真空干燥干燥备用;2)将PBA置于容量瓶中,用良溶剂CHCl定容,使PBA完全溶解;3)将KBr加入制得的PBA溶液中,得到KBr共混溶液;4)向得到的不同含量KBr的PBA溶液中加入离子水,将容量瓶常温超声,制得PBA/KBr悬浊铸膜液;5)将制得的PBA铸膜液通过旋转涂膜法,制得复合薄膜,常温下待溶剂CHCl完全挥发,真空干燥6小时;6)将制得的复合薄膜恒温培养,消除热历史;7)将消除热历史的复合薄膜恒温培养使其完全重结晶;8)将步骤3)充分结晶后的产物冷却至室温,待检测;工艺简单科学,成本低廉,流程可控,有望工业化生产,具有极大的潜在应用前景和经济效益。
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公开(公告)号：CN105582850B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510975437.1
申请日：2015-12-22
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种线性‑超支化磷酸酯盐表面活性剂及其制备方法，通过合成AB2型单体继而合成端羟基超支化聚合物，在端羟基超支化聚合物中端引入长链，并在未改性的羟基继续进行磷酸化，合成线性‑超支化磷酸酯盐聚合物；本发明引入烷基长链增加亲油性，并将端羟基改性成为磷酸酯基，制得的聚合物具有多端亲水基和疏水基，可作为表面活性剂，并且能够赋予分散性、阻燃性、抗菌性、抗静电性等特殊性能，且具有优良的表面活性和生物相容性。
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