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公开(公告)号：CN115181954B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211109429.5
申请日：2022-09-13
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及电磁控制的物理气相沉积设备，包括腔体、靶材、基座、磁控组件，磁控组件的固定板上安装有多个永磁体，永磁体围成的空间内设置有多个电磁线圈，多个所述电磁线圈串联连接，并通过导电引脚与电源功率控制器串联；线圈组件靠近腔体的腔壁设置，包括至少两组上下设置的次级线圈，各组次级线圈分别与不同的高度调整部相连，高度调整部安装在腔体上磁控组件。本发明产生多个相互配合的辅助磁场，提高靶材中心的磁场强度及分布，改善溅射腔体内部的颗粒污染问题，提高产品的良率，保证稳定的溅射速率和膜层均匀性。
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公开(公告)号：CN115181954A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211109429.5
申请日：2022-09-13
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及电磁控制的物理气相沉积设备，包括腔体、靶材、基座、磁控组件，磁控组件的固定板上安装有多个永磁体，永磁体围成的空间内设置有多个电磁线圈，多个所述电磁线圈串联连接，并通过导电引脚与电源功率控制器串联；线圈组件靠近腔体的腔壁设置，包括至少两组上下设置的次级线圈，各组次级线圈分别与不同的高度调整部相连，高度调整部安装在腔体上磁控组件。本发明产生多个相互配合的辅助磁场，提高靶材中心的磁场强度及分布，改善溅射腔体内部的颗粒污染问题，提高产品的良率，保证稳定的溅射速率和膜层均匀性。
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公开(公告)号：CN113637947A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110932079.1
申请日：2021-08-13
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明涉及改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法，包括靶材本体，所述靶材本体为溅射面是凹弧面的半球形，所述靶材本体的背面安装于靶材背板上，所述靶材背板另一侧设置有磁性部，所述靶材本体、靶材背板和磁性部同轴设置，且所述靶材背板及磁性部与所述靶材本体的溅射面的形状相匹配。设备还包括箱体和加热器，靶材组件的形状通过设计方法得出。本发明的靶材组件能够提高对基片上深孔填充的均匀性；溅射设备在保证填充均匀性的同时，减小了薄膜的内应力，提高成膜的致密度；设计方法，操作简单，得到的靶材组件填充均匀性好。
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公开(公告)号：CN113388820B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110935312.1
申请日：2021-08-16
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺，包括固定底板、基台和倾斜组件，所述倾斜组件安装于所述固定底板上，所述倾斜组件连接所述基台外缘与所述固定底板，所述倾斜组件在所述基台周围设置有至少三组，所述倾斜组件调节所述基台的边缘与所述固定底板之间的距离以实现所述基台向四周均匀摇摆。溅射设备还包括靶材装置和磁吸组件。溅射工艺包括控制基台均匀摇摆。本发明通过令基台摇摆，使得从靶材装置上飞出的溅射粒子能够在基台上基片深孔的一周进行沉积，保证深孔填充的均匀性。
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公开(公告)号：CN113388820A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110935312.1
申请日：2021-08-16
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺，包括固定底板、基台和倾斜组件，所述倾斜组件安装于所述固定底板上，所述倾斜组件连接所述基台外缘与所述固定底板，所述倾斜组件在所述基台周围设置有至少三组，所述倾斜组件调节所述基台的边缘与所述固定底板之间的距离以实现所述基台向四周均匀摇摆。溅射设备还包括靶材装置和磁吸组件。溅射工艺包括控制基台均匀摇摆。本发明通过令基台摇摆，使得从靶材装置上飞出的溅射粒子能够在基台上基片深孔的一周进行沉积，保证深孔填充的均匀性。
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