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公开(公告)号：CN115181954B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211109429.5
申请日：2022-09-13
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及电磁控制的物理气相沉积设备，包括腔体、靶材、基座、磁控组件，磁控组件的固定板上安装有多个永磁体，永磁体围成的空间内设置有多个电磁线圈，多个所述电磁线圈串联连接，并通过导电引脚与电源功率控制器串联；线圈组件靠近腔体的腔壁设置，包括至少两组上下设置的次级线圈，各组次级线圈分别与不同的高度调整部相连，高度调整部安装在腔体上磁控组件。本发明产生多个相互配合的辅助磁场，提高靶材中心的磁场强度及分布，改善溅射腔体内部的颗粒污染问题，提高产品的良率，保证稳定的溅射速率和膜层均匀性。
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公开(公告)号：CN113481484B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110745661.7
申请日：2021-07-01
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/18
摘要： 本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。
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公开(公告)号：CN113621936A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111184329.4
申请日：2021-10-12
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及一种真空镀膜中真空泵系统的工作方法及真空泵系统，所述真空泵系统包括工艺腔、泵体、保护气源和压缩空气源，包括如下步骤：S10：获取工艺腔的工作状态，当工艺腔处于工作状态，执行S20，当工艺腔处于非工作状态，则执行S30；S20：连通保护气源和泵体，使保护气体进入泵体；S30：连通压缩空气源和泵体，使压缩空气进入泵体。本发明通过判断工艺腔的工作状态，实现适时地将适合的气体通入真空泵，节约了成本。
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公开(公告)号：CN113416938B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110978336.5
申请日：2021-08-25
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种可调节薄膜应力的溅射设备和方法。设备包括腔体、磁控溅射装置、挡板、晶圆压环、基座及电磁线圈模块；晶圆压环一端与挡板相邻，另一端延伸到基座边缘的上方；基座与偏压电源相连接；电磁线圈模块位于基座内和/或晶圆压环与基座之间，包括多个电磁线圈组，其中，各电磁线圈组包括N极电磁铁和S极电磁铁，单个电磁线圈组中的N极电磁铁相邻设置于S极电磁铁的左侧，且N极电磁铁的N极磁极面和S极电磁铁的S极磁极面同时朝上或朝下；溅射过程中，将多个电磁线圈组分为多个通电单元，沿顺时针或逆时针方向对多个通电单元依次交替进行通断电，以于基底表面沉积薄膜并调节薄膜应力。本发明有助于提高薄膜厚度和应力分布均匀性。
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公开(公告)号：CN113257718B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110634714.8
申请日：2021-06-08
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备，涉及半导体高端设备制造技术领域。包括上下堆叠结构腔体、隔层台盘、台盘密封块、底层台盘、校准治具块和校准杆销，台盘密封块可拆卸地安装在台盘通孔内，台盘密封块上开设有密封块校准孔，底层台盘上开设有台盘校准孔，校准治具块可替换台盘密封块安装在台盘通孔内，校准治具块上开设有治具块校准孔，校准杆销用于插入第一校准孔和密封块校准孔、以校准第一机械抓手的位置，还用于插入治具块校准孔、第二校准孔和台盘校准孔、以校准第二机械抓手的位置。这样，利用校准杆销贯穿隔层台盘，且对腔室的性能不产生影响，再结合校准治具块实现对非顶层腔中的机械抓手直接校准，操作方便、且精度高。
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公开(公告)号：CN115579701A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211575895.2
申请日：2022-12-09
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种可旋转电连接的插头组件及半导体设备，包括固定部、壳体、定子、第一与第二接线端、转子、第一与第二转动导电杆、第一与第二触点结构、第三与第四接线端，其中，壳体装设于固定部上并设有中心通孔、第一与第二环形凹腔；定子包括第一、第二环形导电组件，第一、第二接线端分别连接第一、第二环形导电组件；第一、第二转动导电杆横向贯穿转子且分别伸入第一、第二环形凹腔内；第一、第二触点结构分别固定连接于第一、第二转动导电杆并分别与第一、第二环形导电组件滑动连接；第三、第四接线端分别与第一、第二转动导电杆连接。采用本发明的可旋转电连接的插头组件可有效避免供电导线破损、断裂导致的漏电、触电、火灾等安全隐患。
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公开(公告)号：CN113430492A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110985070.7
申请日：2021-08-26
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种PVD镀膜设备，包括：腔体、溅射单元、基座、承载装置、形变传感器和边缘顶针装置；溅射单元位于腔体上部；基座、承载装置位于腔体内部，承载装置包括承载件和升降机构，承载件位于基座的外围，升降机构与承载件相连接；形变传感器位于腔体内壁，一端电性连接有控制单元；边缘顶针装置有两个，分别与控制单元电性连接，根据控制单元接收到的晶圆形变的信号将镀膜后的晶圆顶起。本发明中的设备保证晶圆只在边缘处接触边缘凸环，减少了晶圆正面的划伤和晶圆碎片，提升良率且有效防止晶圆正面产品被镀；且兼顾镀膜后不同的晶圆翘曲形变，大幅降低晶圆滑落及碎片的几率。
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公开(公告)号：CN113416938A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110978336.5
申请日：2021-08-25
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种可调节薄膜应力的溅射设备和方法。设备包括腔体、磁控溅射装置、挡板、晶圆压环、基座及电磁线圈模块；晶圆压环一端与挡板相邻，另一端延伸到基座边缘的上方；基座与偏压电源相连接；电磁线圈模块位于基座内和/或晶圆压环与基座之间，包括多个电磁线圈组，其中，各电磁线圈组包括N极电磁铁和S极电磁铁，单个电磁线圈组中的N极电磁铁相邻设置于S极电磁铁的左侧，且N极电磁铁的N极磁极面和S极电磁铁的S极磁极面同时朝上或朝下；溅射过程中，将多个电磁线圈组分为多个通电单元，沿顺时针或逆时针方向对多个通电单元依次交替进行通断电，以于基底表面沉积薄膜并调节薄膜应力。本发明有助于提高薄膜厚度和应力分布均匀性。
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公开(公告)号：CN118207517A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410636636.9
申请日：2024-05-22
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种声波辅助薄膜沉积设备，包括两个沿左右方向依次分布的工艺腔体，每个工艺腔体中均设有加热器及声波发生模块，声波发生模块能产生超声波或兆声波，加热器位于声波发生模块上，加热器包括加热层，声波发生模块产生的超声波或兆声波能通过加热层传递至晶圆，且两个工艺腔体之间设有声波隔离单元，声波隔离单元包括声波隔离块，声波隔离块包括两个沿左右方向间隔分布且相互平行的声波隔离板及声波反射板，声波反射板的两端分别与两个所述声波隔离板固接，声波反射板相对于两个所述声波隔离板倾斜设置，声波反射板与声波隔离板之间形成声波隔离空腔。本声波辅助薄膜沉积设备，能有效提高薄膜的覆盖率及均匀性。
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公开(公告)号：CN118028784B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410418735.X
申请日：2024-04-09
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆加热盘及半导体设备，晶圆加热盘设置的声波源组件具有双层液冷结构，冷却液从外界通过管路进入冷却液进口后先在声波发生器上表面的空隙流动，实现声波发生器上层液冷功能，然后冷却液汇入回液槽并进入冷却道，通过冷却道对回液槽内部区域的声波发生器的下表面进行全面液冷，实现声波发生器下层液冷功能；该双层液冷结构可实现对声波发生器上下表面的散热，大大提高散热能力，保证器件的使用寿命及性能。另外，还由于声波发生器设置于底座的上表面且与隔热组件直接接触，有效减小了声波源与晶圆之间的距离，同时还降低了声波在冷却液中传播的几率，从而有效提高了声波源的能量利用率，保证声波对晶圆上沉积薄膜的辅助效果。
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