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公开(公告)号：CN117626204A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311701114.4
申请日：2023-12-12
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体镀膜设备的磁铁组件调节治具，包括配重组件调节模块、蜗轮模块和磁铁位置调节模块；半导体镀膜设备包括上盖板和下盖板，磁铁位于下盖板上，所述配重组件调节模块包括配重块、第一滑杆和第一蜗杆，所述配重块通过第一蜗杆在第一滑杆上滑动；磁铁位置调节模块包括连接块和第二蜗杆，所述连接块与第二蜗杆螺纹配合；所述蜗轮模块带动第一蜗杆、第二蜗杆转动从而分别调节配重块和下盖板的位置；所述连接块位于上盖板上并穿过下盖板与第二蜗杆连接，所述第一蜗杆、第二蜗杆分别设置有一第一支撑架，本发明的磁铁组件调节治具，可以实现方便的对配重组件调节和磁铁位置调节，从而适应不同的工艺磁场，调节方便快捷。
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公开(公告)号：CN115181954B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211109429.5
申请日：2022-09-13
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及电磁控制的物理气相沉积设备，包括腔体、靶材、基座、磁控组件，磁控组件的固定板上安装有多个永磁体，永磁体围成的空间内设置有多个电磁线圈，多个所述电磁线圈串联连接，并通过导电引脚与电源功率控制器串联；线圈组件靠近腔体的腔壁设置，包括至少两组上下设置的次级线圈，各组次级线圈分别与不同的高度调整部相连，高度调整部安装在腔体上磁控组件。本发明产生多个相互配合的辅助磁场，提高靶材中心的磁场强度及分布，改善溅射腔体内部的颗粒污染问题，提高产品的良率，保证稳定的溅射速率和膜层均匀性。
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公开(公告)号：CN113481484B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110745661.7
申请日：2021-07-01
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/18
摘要： 本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。
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公开(公告)号：CN113621936A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111184329.4
申请日：2021-10-12
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及一种真空镀膜中真空泵系统的工作方法及真空泵系统，所述真空泵系统包括工艺腔、泵体、保护气源和压缩空气源，包括如下步骤：S10：获取工艺腔的工作状态，当工艺腔处于工作状态，执行S20，当工艺腔处于非工作状态，则执行S30；S20：连通保护气源和泵体，使保护气体进入泵体；S30：连通压缩空气源和泵体，使压缩空气进入泵体。本发明通过判断工艺腔的工作状态，实现适时地将适合的气体通入真空泵，节约了成本。
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公开(公告)号：CN113416938B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110978336.5
申请日：2021-08-25
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种可调节薄膜应力的溅射设备和方法。设备包括腔体、磁控溅射装置、挡板、晶圆压环、基座及电磁线圈模块；晶圆压环一端与挡板相邻，另一端延伸到基座边缘的上方；基座与偏压电源相连接；电磁线圈模块位于基座内和/或晶圆压环与基座之间，包括多个电磁线圈组，其中，各电磁线圈组包括N极电磁铁和S极电磁铁，单个电磁线圈组中的N极电磁铁相邻设置于S极电磁铁的左侧，且N极电磁铁的N极磁极面和S极电磁铁的S极磁极面同时朝上或朝下；溅射过程中，将多个电磁线圈组分为多个通电单元，沿顺时针或逆时针方向对多个通电单元依次交替进行通断电，以于基底表面沉积薄膜并调节薄膜应力。本发明有助于提高薄膜厚度和应力分布均匀性。
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公开(公告)号：CN113257718B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110634714.8
申请日：2021-06-08
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备，涉及半导体高端设备制造技术领域。包括上下堆叠结构腔体、隔层台盘、台盘密封块、底层台盘、校准治具块和校准杆销，台盘密封块可拆卸地安装在台盘通孔内，台盘密封块上开设有密封块校准孔，底层台盘上开设有台盘校准孔，校准治具块可替换台盘密封块安装在台盘通孔内，校准治具块上开设有治具块校准孔，校准杆销用于插入第一校准孔和密封块校准孔、以校准第一机械抓手的位置，还用于插入治具块校准孔、第二校准孔和台盘校准孔、以校准第二机械抓手的位置。这样，利用校准杆销贯穿隔层台盘，且对腔室的性能不产生影响，再结合校准治具块实现对非顶层腔中的机械抓手直接校准，操作方便、且精度高。
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公开(公告)号：CN117626204B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311701114.4
申请日：2023-12-12
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体镀膜设备的磁铁组件调节治具，包括配重组件调节模块、蜗轮模块和磁铁位置调节模块；半导体镀膜设备包括上盖板和下盖板，磁铁位于下盖板上，所述配重组件调节模块包括配重块、第一滑杆和第一蜗杆，所述配重块通过第一蜗杆在第一滑杆上滑动；磁铁位置调节模块包括连接块和第二蜗杆，所述连接块与第二蜗杆螺纹配合；所述蜗轮模块带动第一蜗杆、第二蜗杆转动从而分别调节配重块和下盖板的位置；所述连接块位于上盖板上并穿过下盖板与第二蜗杆连接，所述第一蜗杆、第二蜗杆分别设置有一第一支撑架，本发明的磁铁组件调节治具，可以实现方便的对配重组件调节和磁铁位置调节，从而适应不同的工艺磁场，调节方便快捷。
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公开(公告)号：CN115613002A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211601478.0
申请日：2022-12-14
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明涉及气相沉积设备，包括：腔体，基台包括台面和基轴，台面位于腔体内，基轴连接台面下表面，基轴穿过腔体连接有调节板；行星组件包括旋转架，旋转架内周设置有内齿圈，旋转架底面中心与旋转轴心转动连接，旋转轴心安装在支撑板上，旋转轴心位于旋转架内的一端连接有行星架，行星架中心转动连有中心齿轮，行星架的多个端部分别转动连接有行星轮，行星轮分别与内齿圈和中心齿轮啮合；多个旋转升降组件通过固定板相连，旋转升降组件与调节板相接，旋转升降组件通过行星轮的旋转驱动升降；支撑板和固定板通过安装板固定连接于腔体下方。本发明操作简便，实现多点同步调节，提高了基台升降便捷性。
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公开(公告)号：CN115579701A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211575895.2
申请日：2022-12-09
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种可旋转电连接的插头组件及半导体设备，包括固定部、壳体、定子、第一与第二接线端、转子、第一与第二转动导电杆、第一与第二触点结构、第三与第四接线端，其中，壳体装设于固定部上并设有中心通孔、第一与第二环形凹腔；定子包括第一、第二环形导电组件，第一、第二接线端分别连接第一、第二环形导电组件；第一、第二转动导电杆横向贯穿转子且分别伸入第一、第二环形凹腔内；第一、第二触点结构分别固定连接于第一、第二转动导电杆并分别与第一、第二环形导电组件滑动连接；第三、第四接线端分别与第一、第二转动导电杆连接。采用本发明的可旋转电连接的插头组件可有效避免供电导线破损、断裂导致的漏电、触电、火灾等安全隐患。
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公开(公告)号：CN113430492A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110985070.7
申请日：2021-08-26
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种PVD镀膜设备，包括：腔体、溅射单元、基座、承载装置、形变传感器和边缘顶针装置；溅射单元位于腔体上部；基座、承载装置位于腔体内部，承载装置包括承载件和升降机构，承载件位于基座的外围，升降机构与承载件相连接；形变传感器位于腔体内壁，一端电性连接有控制单元；边缘顶针装置有两个，分别与控制单元电性连接，根据控制单元接收到的晶圆形变的信号将镀膜后的晶圆顶起。本发明中的设备保证晶圆只在边缘处接触边缘凸环，减少了晶圆正面的划伤和晶圆碎片，提升良率且有效防止晶圆正面产品被镀；且兼顾镀膜后不同的晶圆翘曲形变，大幅降低晶圆滑落及碎片的几率。
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