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公开(公告)号：CN112981520A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110024166.7
申请日：2021-01-08
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。
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公开(公告)号：CN117702268A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311267505.X
申请日：2023-09-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种单晶硅棒及其制得的硅片、电池和电池组件，其中在所述硅棒中锑元素的浓度为0.04E+16atom/cm3至2E+16atom/cm3。本申请在探索优异的硅片电阻率范围同时，通过控制锑元素在单晶硅棒中的浓度，获得具有优异电阻率范围以及电阻率集中度的单晶硅棒，从而提高了单晶硅棒产品的整体成品质量，获得光伏电池更高的能量转化效率。
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公开(公告)号：CN118507556A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311269308.1
申请日：2023-09-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/068
摘要： 本申请涉及一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3；所述硅片的电阻率变化率≤0.6；可选电阻率变化率≤0.5；可选电阻率变化率≤0.4。本申请还涉及包括硅片的太阳能电池和电池组件。本申请还涉及一种太阳能电池，包括硅衬底，在所述硅衬底至少一侧表面内有掺杂区，所述硅衬底含有锑元素，所述掺杂区掺杂有掺杂元素，所述掺杂元素选自第三主族元素或第五主族元素，所述硅衬底中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.3E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3；所述硅衬底的电阻率变化率≤0.6；可选电阻率变化率≤0.5；可选电阻率变化率≤0.4。
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公开(公告)号：CN117702269A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311270249.X
申请日：2023-09-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3；以及所述硅片的少子寿命大于等于200微秒；优选大于等于300微秒；进一步优选大于等于500微秒。还涉及另一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3，进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3；以及所述硅片的少子寿命大于等于300微秒；优选大于等于400微秒；进一步优选大于等于600微秒。
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公开(公告)号：CN113529163A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010307430.3
申请日：2020-04-17
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种拉晶方法，涉及太阳能光伏技术领域。应用于热场中，所述热场中设置有热屏和加热器，熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；所述第一预设距离小于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离；拉晶至第一预设长度；在从所述第一预设长度拉晶至第二预设长度的过程中，调整所述相对距离至第二预设距离；所述第一预设距离大于或等于所述第二预设距离；在所述相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。通过调整热屏与加热器之间的距离，降低氧的溶解度，降低了单晶的氧含量，操作便捷，具有很强的通用性。
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公开(公告)号：CN117712204A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311269282.0
申请日：2023-09-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/068 , C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/20
摘要： 本申请涉及一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，所述硅片中的总氧含量在25ppma以下，优选在18ppma以下，进一步优选在14ppma以下。本申请涉及包括该硅片的电池和电池组件。本申请涉及一种电池，其中，所述电池的衬底包括锑元素，锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3，所述衬底中的总氧含量在35ppma以下，优选在25ppma以下，进一步优选在18ppma以下。
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公开(公告)号：CN115832101A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211379744.X
申请日：2022-11-04
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种太阳能电池片的前处理方法和硅片异常检测的方法，该方法包括如下步骤：S1：将电池片进行第一酸浸，然后进行第一冲洗，得到第一冲洗后电池片；S2：使用第一碱液对所述第一冲洗后电池片进行第一碱洗，得到第一碱洗后电池片，然后进行第二冲洗，得到第二冲洗后电池片；S3：使用第二碱液对所述第二冲洗后电池片进行第二碱洗，得到第二碱洗后硅片，然后进行第三冲洗，得到第三冲洗后硅片；S4：将所述第三冲洗后硅片进行第二酸浸，然后进行漂洗；所述第一碱液和第二碱液各自独立地为无机碱的水溶液。本公开提供的前处理方法可充分去除电池片表面的覆盖物，更好地将电池片还原为硅片，提高少子寿命的测试值，可用于电池片异常原因的检测。
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公开(公告)号：CN115132291A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110321051.4
申请日：2021-03-25
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种掺杂剂的投料量确定方法及装置和计算机存储介质，涉及拉晶技术领域，以控制晶体生长过程的杂质掺杂量，从而保证晶体品质。所述方法包括：根据晶体的目标电学参数确定晶体目标杂质浓度；利用第一杂质分凝模型处理等径前杂质挥发参数、等径阶段杂质挥发参数和晶体目标杂质浓度，获得熔液在转肩结束时的杂质浓度；利用第二杂质分凝模型处理等径前杂质挥发参数和所述熔液在转肩结束时的杂质浓度，获得熔液初始杂质浓度；根据熔液初始杂质浓度确定掺杂剂的投料量。所述装置包括处理器以及与处理器耦合的通信接口；所述处理器用于运行计算机程序或指令，以实现所述方法。本发明提供的方法用于确定晶料中掺杂剂的投料量。
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公开(公告)号：CN212128335U
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202020115858.3
申请日：2020-01-17
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供的一种单晶炉用保温盖及单晶炉，该单晶炉保温盖包括：多个块体，所述多个块体拼接形成环形结构；所述保温盖的材质包括：在大于或等于预设温度的情况下，不与硅的氧化物发生反应的材质。本实用新型实施例提供的保温盖由于在大于或等于预设温度的情况下，不产生碳扩散现象，因此能够在单晶硅生长过程中，避免碳的污染，能够提高单晶硅的生长质量，此外，本实用新型实施例提供的保温盖由于采用多个块体结构拼接形成，能够提高保温盖的稳定性。
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公开(公告)号：CN215887304U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202120961538.4
申请日：2021-05-07
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种加热装置，包括环状的加热主体件，加热主体件包括沿周向交替设置的多个第一加热部和多个第二加热部，第一加热部的长度与第二加热部的长度不同，其中，第一加热部和第二加热部中的至少一个在长度方向上为分段式结构，且包括依次连接的两个以上的加热段。本申请提供的加热装置，通过将第一加热部和第二加热部中的至少一个设置为分段式加热部，分段式加热部在加工时需要进行分段加工，不仅缩减了分段式加热部的加工长度，降低加热主体件的加工难度，同时分段式加热部中部分加热段还能利用废料加工形成，降低了废料量，进而降低加热器的生产成本。
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