一种具有高荧光产率和稳定性的卤化物钙钛矿玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN117228957A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311157755.8

    申请日:2023-09-08

    摘要: 本发明制备了一种操作简单、成本低以及具有高光致发光量子产率的钙钛矿玻璃。本文成功制备了Cs4PbBr6纳米晶体和硼硅酸盐玻璃的复合材料,该材料具有高荧光产率、窄带发射和在可见光范围内波长可调的特点。Cs4PbBr6NCs@glass具有良好的发射稳定性,紫外灯照射5000h后仍保持93%的初始发光量子产率。此外,通过调整卤素含量,我们在Cs4PbX6玻璃中实现了可调发射颜色,实现了覆盖127%的NTSC标准的可调发光。我们发现钙钛矿玻璃复合材料在照明和显示方面的巨大应用潜力。

    一种通用的界面工程促进电荷提取提高光催化析氢策略

    公开(公告)号:CN115041163B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202210735199.7

    申请日:2022-06-27

    发明人: 戴方旭 邢军 王磊

    摘要: 本发明提供一种通用的界面工程促进电荷提取策略及Pt/(Cu,Rh,Co,or Ni)/TiO2纳米复合材料制备方法,以及该策略促进电荷提取用于高效光催化制氢中的应用。与现有技术相比,本发明提供的Pt/(Cu,Rh,Co,or Ni)/TiO2的制备方法中的所用原料易于购买且价格较低,同时制备方法简单,易于操作,便于大规模投入生产。另外,将本发明提供的通用界面工程促进电荷提取策略在光催化制氢领域中,其制氢效果相较于传统Pt/TiO2光催化剂有了较为明显的提高,4小时内高达1L g‑1 h‑1,并且该类材料在光催化制氢过程中能够保持良好的循环稳定性。

    一种制备芳香族氮化碳暖白光发光二极管的方法

    公开(公告)号:CN115589758A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211109718.5

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: H10K85/10 H10K50/11 H10K71/00

    摘要: 本发明涉及一种制备芳香族氮化碳暖白光发光二极管的方法,属于白光发光二极管领域,解决探究白光起源的问题。本文通过对原始氮化碳材料进行芳香化处理,制备出一种具有覆盖可见光范围的宽带电致发光的芳香族氮化碳,并将其作为单组分发射层,用于白光发光二极管的设计,成功实现了明亮的暖白光电致发光。本发明拓宽了氮化碳材料的应用领域,为物理化学原理研究和光电应用提供了材料选择。本发明为白光发光二极管的材料选择和低成本设计提供了一条崭新的途径。

    一种通过离子液体钝化消除蓝色准二维钙钛矿薄膜中低维量子阱域的方法

    公开(公告)号:CN114171707A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111243539.6

    申请日:2021-10-25

    IPC分类号: H01L51/54 H01L51/56 H01L51/50

    摘要: 本发明通过引入离子液体来消除基于传统铵盐制备的低维准二维钙钛矿薄膜中的量子阱域(钙钛矿薄膜层数为1、2、3),由于乙酸正丁铵(BAAc)与溴化甲铵(MABr)分子独特的作用机制,使得乙酸根负离子(Ac‑)与溴负离子(Br‑)具有较低的阴离子交换能垒,故BAAc仅对基于甲铵基的钙钛矿薄膜材料具有钝化作用。基于此,本发明成功制备出具有光滑、窄量子阱域且随机晶粒排列的准二维钙钛矿薄膜。与基于传统有机配体正丁铵溴(BABr)制备的PeLEDs相比,基于乙酸正丁铵(BAAc)制备的PeLED在发光亮度和效率方面得到了极大提升。

    一种制备供体-受体取代氮化碳白光发光二极管的方法

    公开(公告)号:CN118660607A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410721385.4

    申请日:2024-06-05

    发明人: 邢军 吴宁 张明明

    IPC分类号: H10K85/60 H10K50/11 H10K71/00

    摘要: 本发明涉及一种制备供体‑受体取代氮化碳白光发光二极管的方法,属于白光发光二极管领域,解决探究以及调控白光产生的问题。本文通过对原始氮化碳材料进行供体‑受体取代功能化,制备出一种具有覆盖可见光范围的宽带电致发光的供体‑受体取代氮化碳,并将其作为单组分发射层,用于白光发光二极管的设计,成功实现了明亮的白光电致发光。本发明拓宽了氮化碳材料的应用领域,为低成本白色发光二极管的制备提供了一种新材料,也为绿色技术和可持续发展方面发挥贡献。

    一种高稳定性锡基钙钛矿的制备方法

    公开(公告)号:CN115536533A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202210936754.2

    申请日:2022-08-05

    发明人: 邢军 张明明 陈谦

    摘要: 本发明涉及一种高稳定性锡基钙钛矿的制备方法,属于低维有机无机钙钛矿发光领域,解决了钙钛矿材料的稳定性问题。本文通过降温结晶法制备了的(4‑APEA)2SnBr6(4‑APEA:2‑(4‑Aminophenyl)ethylammonium)钙钛矿。得益于Sn4+稳定的价态和较少的缺陷态密度该材料在空气环境中展现了有优异的稳定性,在紫外光照射2000小时后仍能保持初始光致发光量子产率的90%。本发明为合成无毒稳定的荧光钙钛矿提供了一条有效途径,同时促进了有机无机钙钛矿材料的实际应用。

    一种烷基胺改性PEDOT:PSS及基于其的钙钛矿发光二极管制备方法

    公开(公告)号:CN114975837A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210494219.6

    申请日:2022-05-07

    发明人: 邢军 唐海丰

    摘要: 本发明公开了一种改性PEDOT:PSS,通过采用不同链长烷基胺对空穴传输层材料PEDOT:PSS进行改性,烷基胺可以中和PEDOT:PSS中的质子,降低空穴传输层的酸性。烷基胺改性PEDOT:PSS之后,能够形成疏水层并提高其疏水性,阻碍了空穴传输层与钙钛矿发光层之间的离子迁移,所制备的钙钛矿发光二极管的工作寿命随着烷基链长的增加而增加。相比于对照器件,基于辛胺改性PEDOT:PSS的钙钛矿发光二极管,其亮度提升了2.4倍,工作稳定性提高7.1倍。本发明中的改性方法成本低廉,操作简单,效果显著并且重复性高,可适用于旋涂、刮涂、印刷以及喷墨打印等多种现行制备工艺。

    一种制备硼和苯基共修饰氮化碳暖白光发光二极管的方法

    公开(公告)号:CN118102830A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410206142.7

    申请日:2024-02-26

    发明人: 邢军 张凯 张明明

    摘要: 本发明涉及一种制备硼和苯基共修饰氮化碳暖白光发光二极管的方法,属于白光发光二极管领域,解决探究白光起源的问题。本文通过对原始氮化碳材料进行硼和苯基共修饰处理,制备出一种具有覆盖可见光范围的宽带电致发光的氮化碳,并将其作为单组分发射层,用于白光发光二极管的设计,成功实现了明亮的暖白光电致发光。本发明拓宽了氮化碳材料的应用领域,为物理化学原理研究和光电应用提供了材料选择。本发明为白光发光二极管的材料选择和低成本设计提供了一条崭新的途径。

    一种制备全无机CsPbBr3/层状双氢氧化物超晶格的方法

    公开(公告)号:CN117756168A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311767287.6

    申请日:2023-12-21

    摘要: 本发明涉及一种制备全无机CsPbBr3/层状双氢氧化物(CsPbBr3/LDH)超晶格的方法。然而,目前钙钛矿量子阱材料主要是基于长链有机胺离子的有机‑无机杂化体系,其结构稳定性较差。因此,开发具有无机量子势垒的全无机二维钙钛矿超晶格对人工照明应用具有重要意义。在这里,我们设计了一种离子交换策略来制备全无机CsPbBr3/层状双氢氧化物(CsPbBr3/LDH)超晶格。制备的CsPbBr3/LDH超晶格发出蓝光,其中FWHM和PLQY分别为20nm和55%。我们的研究结果为制备全无机超晶格提供了通用策略,为合成有序和可设计的钙钛矿超晶格提供了平台。