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公开(公告)号：CN114597292A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210359299.4
申请日：2022-04-07
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法，其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条，所述巴条包括从下到上依次设置的N‑GaAs衬底层、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs下包层、GaAs下波导层、In(Ga)As量子点有源区、GaAs上波导层、P‑AlGaAs上包层、P+‑GaAs欧姆接触层；所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导；所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层；所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5/SiO2高反射涂层；制造方法包括，步骤S1,外延结构生长；步骤S2,脊型波导蚀刻加工；步骤S3,电极加工；步骤S4，光学镀膜加工；本发明的超辐射发光二极管能够同时具有高功率和宽光谱的特性，能够良好的适用于OCT系统等非相干光学系统。
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公开(公告)号：CN115083885A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210508097.1
申请日：2022-05-11
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光诱导原位生长周期性纳米结构的方法，包括如下步骤：步骤一：在衬底上进行首次生长形成缓冲层对衬底表面进行平整；步骤二：在衬底上利用多道激光光束照射的同时进行继续生长，其中多道激光光束在衬底上形成干涉，继续生长1‑4h后形成周期性纳米结构。使用激光干涉诱导在衬底上进行原位生长，避免了光刻、腐蚀、清洗等复杂的过程，降低了成本。激光干涉诱导定位生长定位更加准确，精确度更高。同时避免了开腔操作，对后续结构生长不会造成污染，结构性能更好。
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公开(公告)号：CN218525878U
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202222315594.8
申请日：2022-08-31
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种中红外辐射发光二极管，其技术方案的要点是包括管体，所述管体上部设置有脊型波导，所述脊型波导包括依次相连的竖直波导、斜向波导以及J型弯曲波导；所述竖直波导长度方向与腔面法线方向平行设置；所述J型弯曲波导包括长度方向与腔面法线方向平行设置的直段部以及与直段部平滑弯曲过渡的弯钩部；所述斜向波导分别与竖直波导以及J型弯曲波导倾斜相交；本实用新型相比于传统的中红外辐射发光二极管具有更小的体积。
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公开(公告)号：CN215896967U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202122406872.6
申请日：2021-09-30
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种短腔高重频激光器，其技术方案的要点是包括泵浦源以及谐振腔，所述谐振腔包括波分复用器、半导体可饱和吸收镜以及增益介质，所述波分复用器与泵浦源相连，所述波分复用器分别与半导体可饱和吸收镜以及增益介质相连，所述增益介质包括介质衬底以及若干层设置在介质衬底上的增益层；所述增益层包括由介质衬底一侧向远离介质衬底一侧依次排布的下限制层、量子层以及上限制层；所述量子层为量子点或量子阱构造；本实用新型在满足直线腔激光器‑斜率效率要求的同时，具有更短的谐振腔腔长，从而能够达到高重频的性能，进而满足更多工况的使用需求。
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公开(公告)号：CN220874009U
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202321594982.2
申请日：2023-06-21
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01S3/113
摘要： 本实用新型公开了一种复合结构的半导体可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的分布式布拉格反射镜层、位于所述分布式布拉格反射镜层上的半导体吸收层，半导体吸收层上还设有空腔层，空腔层包括若干均匀排列的内腔，内腔包括上空腔和下空腔，上空腔为半球形状的空腔，内腔的高度为上空腔的直径。本实用新型使半导体可饱和吸收镜反射的特定波长的光在空腔层内空腔产生共振，促进了半导体吸收层对光子的吸收，增强了半导体可饱和吸收镜的调制深度，可提高脉冲光纤激光器的性能。
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公开(公告)号：CN215896966U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202122406254.1
申请日：2021-09-30
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种高阶光栅单纵模沟槽激光器，包括基片，所述基片的顶部设置有脊型波导，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置；所述脊型波导的两侧垂直于所述脊型波导均匀设置有若干高阶光栅。本申请采用倾斜的沟槽结合高阶光栅结构无需采用电子束光刻技术即可实现精确波长单纵模输出，极大的节省成本，而且相较于传统的DFB激光器制备工艺更简单，成品率更高；采用量子点外延结构，有利于实现低阈值、高特征温度；利用倾斜沟槽结合高阶光栅结构可以对边模消除，避免了仅采用高阶光栅时，其耦合系数较低，不能很好的实现模式筛选的问题，进而实现精确的输出波长调控。
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公开(公告)号：CN220122326U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202321594973.3
申请日：2023-06-21
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01S3/113
摘要： 本实用新型公开了一种新型可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的金属反射层，金属反射层上覆盖有空腔吸收层，空腔吸收层上设有介质膜增透层，介质膜增透层包括若干层叠放置的增透层，相邻增透层间设有第二增透层，第一增透层材料与第二增透层材料折射率不同。本实用新型结构简单，有效的减少了半导体材料的层数堆积，制造工艺比半导体可饱和吸收镜的制造工艺的流程简便，避免了生产过程的缺陷，提高了可饱和吸收镜的工作性能及使用寿命。
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公开(公告)号：CN218242554U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222301186.7
申请日：2022-08-31
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种中红外激光器增益介质结构，其技术方案的要点是包括两个电极以及若干层设置在两个电极之间的增益层，所述增益层包括从上到下依次设置的上布拉格反射器、黑磷半导体层以及下布拉格反射器；本实用新型通过应用黑磷替代现有的量子点/量子阱结构，结构简单，能够良好的激发中红外光源。
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公开(公告)号：CN215896963U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202122326283.7
申请日：2021-09-24
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种单纵模F‑P激光器的沟槽结构，包括基片以及脊型波导，所述脊型波导位于所述基片的顶部，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置。沟槽位于基片中，能够在基片各层的外延生长过程中采用紫外光刻机光刻形成沟槽，相较于直接在脊型波导上刻蚀，无需增加刻蚀深度，简化了工艺而且提高了成品率；而且掩埋结构的沟槽制备在更加接近有源区的位置，极大的提高了耦合效率，有利于实现更优异的选模特性。
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公开(公告)号：CN219596114U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320780659.8
申请日：2023-04-10
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种洗涤塔水循环使用系统，洗涤塔出水口通过第三逆止阀连通到过滤系统，过滤系统通过第四逆止阀连通储水罐，储水罐通过第七球阀开关连通纯净水罐，储水罐的顶部安装压力表，储水罐的底部连通带第八球阀开关的排污管，储水罐通过PH值检测仪连通到供水装置，供水装置与洗涤塔顶部的供水口连通在一起，储水罐的上部安装有液位计，储水罐的顶部有排气装置。通过过滤系统和出水管沉淀排污同对废水进行处理，将循环水制备成洗涤塔所需要纯度的循环水，当储水罐内水量低于液位计最低水位要求时，通过纯净水罐补水，如此往复使用，可以节约大量纯净水，也避免了直接排放废水和废气造成污染。
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