公开(公告)号：CN102612750A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980162502.1

申请日：2009-11-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 菲利普·雷诺 ,  布鲁斯·格林

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 一种垂直功率晶体管器件，包括：衬底（100），其由III-V族半导体材料形成；和多层堆叠（116），其至少部分地容纳在所述衬底（100）中。所述多层堆叠包括：半绝缘层（108），其邻近所述衬底（100）设置；和第一层（110），其由第一III-V族半导体材料形成，并邻近所述半绝缘层（108）设置。多层堆叠（116）还包括：第二层（112），其由第二III-V族半导体材料形成，并邻近所述第一层（110）设置；和异质结，其形成在第一层和第二层的界面处。

公开(公告)号：CN102612750B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN200980162502.1

申请日：2009-11-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 菲利普·雷诺 ,  布鲁斯·格林

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 一种垂直功率晶体管器件，包括：衬底（100），其由III-V族半导体材料形成；和多层堆叠（116），其至少部分地容纳在所述衬底（100）中。所述多层堆叠包括：半绝缘层（108），其邻近所述衬底（100）设置；和第一层（110），其由第一III-V族半导体材料形成，并邻近所述半绝缘层（108）设置。多层堆叠（116）还包括：第二层（112），其由第二III-V族半导体材料形成，并邻近所述第一层（110）设置；和异质结，其形成在第一层和第二层的界面处。