公开(公告)号：CN102239552A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148878.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 杰弗里·K·琼斯 ,  玛格丽特·A·希马诺夫斯基 ,  米歇尔·L·米耶拉 ,  任小伟 ,  韦恩·R·布格尔 ,  马克·A·贝内特 ,  科林·克尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 期望在公共衬底(45)上具有有源器件区域(46)和接合垫(BP)区域(60)的电子元件(44、44′、44″)包括BP(35)下面的电介质区域以随着电子元件(44、44′、44″)被缩放至较高的功率和/或工作频率来减小BP(35)及其互连(41)的寄生阻抗。由纯(例如，仅氧化物)电介质区域(36′)产生的机械应力可能负面地影响性能、制造合格率、垫与器件接近度和所占用面积。这可以通过提供具有比其中它们所嵌入的电介质材料(78、78′、78″)小的热膨胀系数(TEC)和/或接近衬底(45)TEC的电隔离内含物(65、65′、65″)的复合电介质区(62、62′、62″)来避免。对于硅衬底(45)而言，多晶或非晶硅适用于内含物(65、65′、65″)和用于电介质材料(78、78′、78″)的氧化硅。内含物(65、65′、65″)优选地具有通过电介质材料(78、78′、78″)隔离并被包含在电介质材料(78、78′、78″)内的叶片状形状中。

公开(公告)号：CN102239552B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980148878.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 杰弗里·K·琼斯 ,  玛格丽特·A·希马诺夫斯基 ,  米歇尔·L·米耶拉 ,  任小伟 ,  韦恩·R·布格尔 ,  马克·A·贝内特 ,  科林·克尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 期望在公共衬底(45)上具有有源器件区域(46)和接合垫(BP)区域(60)的电子元件(44、44′、44″)包括BP(35)下面的电介质区域以随着电子元件(44、44′、44″)被缩放至较高的功率和/或工作频率来减小BP(35)及其互连(41)的寄生阻抗。由纯(例如，仅氧化物)电介质区域(36′)产生的机械应力可能负面地影响性能、制造合格率、垫与器件接近度和所占用面积。这可以通过提供具有比其中它们所嵌入的电介质材料(78、78′、78″)小的热膨胀系数(TEC)和/或接近衬底(45)TEC的电隔离内含物(65、65′、65″)的复合电介质区(62、62′、62″)来避免。对于硅衬底(45)而言，多晶或非晶硅适用于内含物(65、65′、65″)和用于电介质材料(78、78′、78″)的氧化硅。内含物(65、65′、65″)优选地具有通过电介质材料(78、78′、78″)隔离并被包含在电介质材料(78、78′、78″)内的叶片状形状中。