公开(公告)号：CN102239552A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148878.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 杰弗里·K·琼斯 ,  玛格丽特·A·希马诺夫斯基 ,  米歇尔·L·米耶拉 ,  任小伟 ,  韦恩·R·布格尔 ,  马克·A·贝内特 ,  科林·克尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 期望在公共衬底(45)上具有有源器件区域(46)和接合垫(BP)区域(60)的电子元件(44、44′、44″)包括BP(35)下面的电介质区域以随着电子元件(44、44′、44″)被缩放至较高的功率和/或工作频率来减小BP(35)及其互连(41)的寄生阻抗。由纯(例如，仅氧化物)电介质区域(36′)产生的机械应力可能负面地影响性能、制造合格率、垫与器件接近度和所占用面积。这可以通过提供具有比其中它们所嵌入的电介质材料(78、78′、78″)小的热膨胀系数(TEC)和/或接近衬底(45)TEC的电隔离内含物(65、65′、65″)的复合电介质区(62、62′、62″)来避免。对于硅衬底(45)而言，多晶或非晶硅适用于内含物(65、65′、65″)和用于电介质材料(78、78′、78″)的氧化硅。内含物(65、65′、65″)优选地具有通过电介质材料(78、78′、78″)隔离并被包含在电介质材料(78、78′、78″)内的叶片状形状中。

公开(公告)号：CN104134642A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410181369.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 费尔南多·A·桑托斯 ,  玛格丽特·A·希马诺夫斯基 ,  莫德·萨利敏·萨尔卢丁

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及自定义、低电容焊线盘。提供了键合盘区域(405)，该键合盘区域通过减小键合盘的有效面积，减小了在键合盘金属化和底层硅之间生成的寄生电容，同时保持了焊线位置的灵活性并确保了焊线的机械完整性。在将被填充有传统母线键合盘的区域中，实施例提供了小的母线键合盘(420)，该小的母线键合盘小于所述区域(405)面积的一半并且用未电连接到所述小的母线键合盘或彼此未电连接的金属块(430、620、630、640、650)填充了剩余面积的至少一部分。所述金属块给一个或多个焊线的至少一部分提供了附着面积。只有涉及了到焊线(610)的连接的那些块，连同小的母线键合盘有助于寄生电容(605、625、635、645)。

公开(公告)号：CN102239552B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980148878.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 杰弗里·K·琼斯 ,  玛格丽特·A·希马诺夫斯基 ,  米歇尔·L·米耶拉 ,  任小伟 ,  韦恩·R·布格尔 ,  马克·A·贝内特 ,  科林·克尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 期望在公共衬底(45)上具有有源器件区域(46)和接合垫(BP)区域(60)的电子元件(44、44′、44″)包括BP(35)下面的电介质区域以随着电子元件(44、44′、44″)被缩放至较高的功率和/或工作频率来减小BP(35)及其互连(41)的寄生阻抗。由纯(例如，仅氧化物)电介质区域(36′)产生的机械应力可能负面地影响性能、制造合格率、垫与器件接近度和所占用面积。这可以通过提供具有比其中它们所嵌入的电介质材料(78、78′、78″)小的热膨胀系数(TEC)和/或接近衬底(45)TEC的电隔离内含物(65、65′、65″)的复合电介质区(62、62′、62″)来避免。对于硅衬底(45)而言，多晶或非晶硅适用于内含物(65、65′、65″)和用于电介质材料(78、78′、78″)的氧化硅。内含物(65、65′、65″)优选地具有通过电介质材料(78、78′、78″)隔离并被包含在电介质材料(78、78′、78″)内的叶片状形状中。