公开(公告)号：CN107249892B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201680010417.3

申请日：2016-02-03

Applicant: 马姆杰特科技有限公司

Inventor： 安格斯·诺斯 ,  罗南·奥莱利 ,  格雷戈里·麦卡沃伊

IPC: B41J2/16 ,  B81C1/00

Abstract: 一种用于填充限定在晶片衬底的前侧表面中的一个或多个蚀刻孔的方法。所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述前侧表面上和每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体；(iv)任选地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像的第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从这些孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物；以及(vii)平坦化所述前侧表面以提供用包含彼此不同的所述第一和第二聚合物的堵塞物填充的孔。每个堵塞物具有与所述前侧表面共面的相应上表面。

公开(公告)号：CN107249892A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680010417.3

申请日：2016-02-03

Applicant: 马姆杰特科技有限公司

Inventor： 安格斯·诺斯 ,  罗南·奥莱利 ,  格雷戈里·麦卡沃伊

IPC: B41J2/16 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0121 ,  B81C1/00087

Abstract: 一种用于填充限定在晶片衬底的前侧表面中的一个或多个蚀刻孔的方法。所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述前侧表面上和每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体；(iv)任选地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像的第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从这些孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物；以及(vii)平坦化所述前侧表面以提供用包含彼此不同的所述第一和第二聚合物的堵塞物填充的孔。每个堵塞物具有与所述前侧表面共面的相应上表面。