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公开(公告)号：CN104098065A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410145511.2
申请日：2014-04-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2207/09 , B81C1/00047 , B81C1/00269 , B81C1/00365 , B81C1/00531 , B81C1/00936 , B81C2201/0104 , B81C2201/0107 , B81C2201/0121 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714 , G06F17/5009
Abstract: 本发明公开微电子机械系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。该方法包括：通过使至少在微电子机械系统（MEMS）梁之上和之下的钨材料和半导体材料两者排出以在MEMS梁之上形成上腔体结构和在MEMS梁之下形成下腔体结构，来形成MEMS梁结构。
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公开(公告)号：CN105593964B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480054306.3
申请日：2014-09-24
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C2201/0104 , B81C2201/0109 , H01G5/011 , H01H59/0009
Abstract: 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
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公开(公告)号：CN103596876A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280028056.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B2203/0376 , B81C2201/0104
Abstract: 一种成形基板的方法在一个实施例中包括：提供第一支撑层；在第一支撑层上提供第一成形图案；在第一成形图案上提供基板；在定位于第一成形图案上的基板上实施第一化学机械抛光（CMP）过程；和将已经被抛光的基板从第一成形图案上移除。
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公开(公告)号：CN101897018B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880120715.3
申请日：2008-12-12
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: B81C1/00317 , B81C2201/0104 , B81C2201/0108 , B81C2201/0125 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置和其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：贴合工序，其将具有光透过性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以上述功能元件与上述第一基板相对的方式贴合；薄板化工序，其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化；以及贯通孔形成工序，其在上述第一基板和上述第二基板的贴合部的至少一部分，形成空腔和与该空腔连通的贯通孔。根据本发明，能够避免由空腔的有无引起的研削后的凹凸或裂纹的产生，能够使基板更均匀地薄板化。此外，能够以更简便的工序制造能够有助于器件和搭载有它们的电子设备的小型化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN103596876B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280028056.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B2203/0376 , B81C2201/0104
Abstract: 一种成形基板的方法在一个实施例中包括：提供第一支撑层；在第一支撑层上提供第一成形图案；在第一成形图案上提供基板；在定位于第一成形图案上的基板上实施第一化学机械抛光（CMP）过程；和将已经被抛光的基板从第一成形图案上移除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102858681A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020735.5
申请日：2011-02-25
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 托马斯·L·麦圭尔 , 维克拉姆·乔希 , 丹尼斯·J·约斯特
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00095 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0104
Abstract: 本发明大体而言涉及互补式金属氧化物半导体(CMOS)后段(BEOL)处理中微机电系统(MEMS)悬臂式开关(cantilever switch)的形成。所述悬臂式开关经形成为与所述结构中的下电极电气交流。所述下电极可全覆沉积并图案化或仅沉积在下层结构的介层洞(via)或沟槽内。然后利用化学机械研磨或平坦化(CMP)处理将用于所述下电极的过量材料平坦化。接下来在所述平坦化的下电极上形成所述悬臂式开关。
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公开(公告)号：CN101897018A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120715.3
申请日：2008-12-12
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: B81C1/00317 , B81C2201/0104 , B81C2201/0108 , B81C2201/0125 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置和其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：贴合工序，其将具有光透过性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以上述功能元件与上述第一基板相对的方式贴合；薄板化工序，其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化；以及贯通孔形成工序，其在上述第一基板和上述第二基板的贴合部的至少一部分，形成空腔和与该空腔连通的贯通孔。根据本发明，能够避免由空腔的有无引起的研削后的凹凸或裂纹的产生，能够使基板更均匀地薄板化。此外，能够以更简便的工序制造能够有助于器件和搭载有它们的电子设备的小型化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN108931515A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810521807.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 三星电子株式会社 , 加利福尼亚州技术学院
CPC classification number: G01J3/4412 , B81B2203/0361 , B81B2207/056 , B81C1/00206 , B81C2201/0104 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , C23C18/06 , C23C18/08 , G01N21/658 , B81B2201/0214 , B81C1/00031
Abstract: 公开了一种感测用基底，制造感测用基底的方法。感测用基底包括：支撑层；多个金属纳米微粒簇，布置在所述支撑层上；以及多个穿孔，布置在所述多个金属纳米微粒簇之间。所述多个金属纳米微粒簇各自包括以三维结构堆叠的多个金属纳米微粒。所述多个穿孔中的每一个中传送入射光。
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公开(公告)号：CN107249892A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010417.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 马姆杰特科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00611 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , B81B2201/052 , B81B2203/0353 , B81C2201/0104 , B81C2201/0121 , B81C1/00087
Abstract: 一种用于填充限定在晶片衬底的前侧表面中的一个或多个蚀刻孔的方法。所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述前侧表面上和每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体；(iv)任选地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像的第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从这些孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物；以及(vii)平坦化所述前侧表面以提供用包含彼此不同的所述第一和第二聚合物的堵塞物填充的孔。每个堵塞物具有与所述前侧表面共面的相应上表面。
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公开(公告)号：CN105593964A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054306.3
申请日：2014-09-24
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C2201/0104 , B81C2201/0109 , H01G5/011 , H01H59/0009
Abstract: 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
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