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公开(公告)号:CN102714492B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201080061271.8
申请日:2010-12-14
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 马尼什·加尔吉 , 柴家明 , 杰弗里·托德·布里奇斯
CPC分类号: H03K3/0315 , H03K2005/00058 , H03K2005/00215
摘要: 本发明揭示可用以产生用于功能电路的时钟信号以避免或减小性能裕度的自适应时钟产生器、系统和相关方法。在某些实施例中,时钟产生器根据在延迟电路中所提供的与在所述功能电路中的选定延迟路径相关的延迟路径而自主地且自适应地产生时钟信号。所述时钟产生器包括延迟电路,所述延迟电路适于接收输入信号并将所述输入信号延迟与功能电路的延迟路径相关的量以产生输出信号。反馈电路耦合到所述延迟电路并响应于所述输出信号,其中所述反馈电路适于在振荡回路配置中将所述输入信号产生回到所述延迟电路。所述输入信号可用以将时钟信号提供到所述功能电路。
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公开(公告)号:CN102884725B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201180022205.4
申请日:2011-04-05
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 史蒂芬·艾德华·李莱斯 , 柴家明 , 拉克希米康德·马米莱蒂
IPC分类号: H03K3/356 , G11C11/419
CPC分类号: H03K3/356182 , H03K3/356113
摘要: 本发明揭示一种动态电压电平移位电路、系统和方法。一种电平移位电路包括用于接受待移位的第一离散电压电平的输入、耦合到所述输入且耦合到第二离散电压电平的电平移位部分、具有启用输入且耦合到所述电平移位部分的启用部分,以及输出。所述电平移位电路经配置以将所述第一离散电压电平下的数据输入转变为第二离散电压电平。所述启用部分经配置以基于所述启用输入选择性地将所述第二离散电压电平提供到所述输出或将所述电平移位部分的至少一部分与所述输出解除耦合。
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公开(公告)号:CN102884725A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201180022205.4
申请日:2011-04-05
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 史蒂芬·艾德华·李莱斯 , 柴家明 , 拉克希米康德·马米莱蒂
IPC分类号: H03K3/356 , G11C11/419
CPC分类号: H03K3/356182 , H03K3/356113
摘要: 本发明揭示一种动态电压电平移位电路、系统和方法。一种电平移位电路包括用于接受待移位的第一离散电压电平的输入、耦合到所述输入且耦合到第二离散电压电平的电平移位部分、具有启用输入且耦合到所述电平移位部分的启用部分,以及输出。所述电平移位电路经配置以将所述第一离散电压电平下的数据输入转变为第二离散电压电平。所述启用部分经配置以基于所述启用输入选择性地将所述第二离散电压电平提供到所述输出或将所述电平移位部分的至少一部分与所述输出解除耦合。
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公开(公告)号:CN101536178B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200780041363.8
申请日:2007-11-19
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 柴家明 , 戴维·保罗·霍夫 , 贾森·菲利浦·马茨洛夫 , 迈克尔·泰坦·潘 , 曼朱·拉脱娜·瓦尔马
IPC分类号: H01L21/8239 , H01L27/02 , H01L27/105 , G11C15/04 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号: H01L27/105 , G11C11/412 , G11C15/00 , G11C15/04 , H01L21/8221 , H01L27/0207 , H01L27/0688 , H01L27/1052
摘要: 本发明揭示一种内容可寻址存储器(CAM)。所述CAM具有第一及第二CAM单元(710、720、730、740),其中每一邻近CAM单元相对于其相邻者旋转180°,此提供具有整体匹配的CAM阵列单元及RAM阵列单元行高度的紧凑物理布置。此外,交错组方案可应用于所述CAM单元以提供比较信号的减小的路由及减小的寄生电容。所述第一及第二CAM单元可垂直堆叠。
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公开(公告)号:CN107852150A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680043635.7
申请日:2016-08-09
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03K3/356 , H03K19/096
CPC分类号: H03K19/018528 , H03K3/356121 , H03K19/0963 , H03K19/20
摘要: 揭示了采用脉冲产生电路的动态电压电平移位器。一方面,动态电压电平移位器包含动态电压电平移位电路。所述动态电压电平移位电路(100)包含预充电电路(106),所述预充电电路(106)被配置成响应于具有预充电电压的时钟信号(110)向动态节点(108)提供第一电压域的供电电压。评估电路(112)被配置成在所述时钟信号(110)具有评估电压时响应于具有有功电压的输入信号(114)向所述动态节点提供接地电压。保持器电路(116)被配置成响应于脉冲信号(118)向所述动态节点(108)提供减小的驱动强度。所述脉冲信号是由脉冲产生电路(102)产生的,其中所述脉冲信号的脉冲宽度与第一和第二电压域的供电电压的差值相关。
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公开(公告)号:CN105229746A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201480029174.9
申请日:2014-05-06
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 柴家明 , 葛绍平 , 史蒂芬·爱德华·莱尔斯
IPC分类号: G11C29/00
CPC分类号: G06F3/0689 , G06F3/0619 , G06F3/0665 , G11C29/785 , G11C29/848
摘要: 所揭示实施例包含在进行数据存取之前将数据从存储器中的有缺陷的数据项重导向到冗余数据项。本发明也揭示相关系统及方法。所述存储器经配置以接收存储器存取请求。所述所接收存储器存取请求包括数据项地址。所述存储器在第一数据存取路径中使用所述数据项地址来存取存储在所述存储器中的数据阵列中的数据。以下情形为有可能的:所述存储器中的行或列由于制造工艺而可能为有缺陷的。在所述数据阵列中的所述数据项地址处的行或列为有缺陷的情况下,数据项重导向电路在进行数据存取之前将所述存储器存取请求重导向到所述数据阵列中的冗余行或列。
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公开(公告)号:CN102272843A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201080004268.2
申请日:2010-01-21
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: G11C8/08 , G11C11/408 , G11C11/419
CPC分类号: G11C11/419 , G11C8/08
摘要: 本发明提供一种存储器单元,其包括存储元件、耦合到所述存储元件的写入电路及耦合到所述存储元件的读取电路。所述存储元件的至少一部分及所述写入电路的至少一部分是使用较厚功能性栅极氧化物制造的,且所述读取电路的至少一部分是使用较薄功能性栅极氧化物制造的。
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公开(公告)号:CN101689851A
公开(公告)日:2010-03-31
申请号:CN200880021803.8
申请日:2008-06-26
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 葛绍平 , 柴家明 , 杰弗里·赫伯特·菲舍尔
IPC分类号: H03K5/1534 , G01R29/027
CPC分类号: H03K5/1534 , H03K19/19
摘要: 本发明描述若干逻辑状态捕捉电路(200),其使用逻辑电路(204),所述逻辑电路(204)具有第一输入(210)、第二输入(232)及输出。所述逻辑电路(204)经配置以响应于耦合到所述第一输入(210)的数据值的状态改变,从而致使在所述输出(212)上产生所述数据值的代表值。所述第二输入(232)接收所述数据值的经锁存版本,以在所述数据值已返回到其原始状态之后,将所述代表值保持于所述输出上。锁存元件(206)经配置以通过锁存所述数据值而响应于所述数据值的所述状态改变,且将所述数据值的所述经锁存版本耦合到所述第二输入(232)。复位元件(208)经配置以通过复位所述锁存元件(206)而响应于时钟输入(230)的状态改变。
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公开(公告)号:CN105229746B
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201480029174.9
申请日:2014-05-06
申请人: 高通股份有限公司
发明人: 柴家明 , 葛绍平 , 史蒂芬·爱德华·莱尔斯
IPC分类号: G11C29/00
CPC分类号: G06F3/0689 , G06F3/0619 , G06F3/0665 , G11C29/785 , G11C29/848
摘要: 所揭示实施例包含在进行数据存取之前将数据从存储器中的有缺陷的数据项重导向到冗余数据项。本发明也揭示相关系统及方法。所述存储器经配置以接收存储器存取请求。所述所接收存储器存取请求包括数据项地址。所述存储器在第一数据存取路径中使用所述数据项地址来存取存储在所述存储器中的数据阵列中的数据。以下情形为有可能的:所述存储器中的行或列由于制造工艺而可能为有缺陷的。在所述数据阵列中的所述数据项地址处的行或列为有缺陷的情况下,数据项重导向电路在进行数据存取之前将所述存储器存取请求重导向到所述数据阵列中的冗余行或列。
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公开(公告)号:CN105427882A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510792144.X
申请日:2010-01-21
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: G11C8/08 , G11C11/419
CPC分类号: G11C11/419 , G11C8/08
摘要: 本发明涉及使用双技术晶体管的低泄漏高性能静态随机存取存储器单元。本发明提供一种存储器单元,其包括存储元件、耦合到所述存储元件的写入电路及耦合到所述存储元件的读取电路。所述存储元件的至少一部分及所述写入电路的至少一部分是使用较厚功能性栅极氧化物制造的,且所述读取电路的至少一部分是使用较薄功能性栅极氧化物制造的。
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