-
公开(公告)号:CN107258054A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201680011537.5
申请日:2016-01-27
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中,该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端子之间的电压差。在一些实施例中,辅保护二极管可以限制CMOS放大器的输入端子与供电电压之间、CMOS放大器的输入端子与地面之间、以及CMOS放大器的输入端子与输出端子之间的电压差。
-
公开(公告)号:CN107580753B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN201680026338.1
申请日:2016-04-08
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03F1/02 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/24 , H03F3/62 , H03F3/68 , H03F3/72 , H04W24/02 , H04B17/21
摘要: 公开了一种具有输出耦合器(640)的放大器模块(600)。放大器模块(600)可以包括多个输入端子(601‑605)以及两个或更多输出端子(610,611)。每个输入端子可以耦合到独立放大器(620‑624)的输入。来自独立放大器(620‑624)的输出可以耦合到两个或更多输出端子(610,611)。放大器模块(600)可以包括将两个或更多输出端子(610,611)耦合在一起的输出耦合器(640)。信号可以由第一输出端子(610)接收并且由输出耦合器(640)耦合到第二输出端子(611)。在一些实施例中,当两个或更多输出端子(610,611)耦合在一起时,可以使得独立放大器(620‑624)不活动或以最小增益配置来操作。
-
公开(公告)号:CN106464275B
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201580024916.3
申请日:2015-04-15
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 本公开的某些方面提供用于在增加或停止载波聚合(CA)方案中的分量载波(CC)的接收时动态调整压控振荡器(VCO)频率、本地振荡器(LO)分频比和/或接收路径的方法和装置。利用该动态调整以在VCO和LO分频器的最小(或至少减小的)电流消耗的情况下避免(或至少减少)VCO、LO和发射信号与多个分量载波的耦合问题。
-
公开(公告)号:CN106464277A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580025198.1
申请日:2015-05-08
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种具有多个低噪声放大器模块的射频(RF)前端。在示例性实施例中,设备包括配置用于放大已接收载波信号以产生至少一个第一级载波群组的至少一个第一级放大器。每个第一级载波群组包括载波信号的相应一部分。设备也包括配置用于放大第一级载波群组的第二级放大器。每个第二级放大器配置用于放大相应第一级载波群组以产生两个第二级输出信号,其可以输出至不同的解调级而每个解调级解调了选定的载波信号。
-
公开(公告)号:CN110581713B
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN201910918476.6
申请日:2015-05-08
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种具有多个低噪声放大器模块的射频(RF)前端。在示例性实施例中,设备包括配置用于放大已接收载波信号以产生至少一个第一级载波群组的至少一个第一级放大器。每个第一级载波群组包括载波信号的相应一部分。设备也包括配置用于放大第一级载波群组的第二级放大器。每个第二级放大器配置用于放大相应第一级载波群组以产生两个第二级输出信号,其可以输出至不同的解调级而每个解调级解调了选定的载波信号。
-
公开(公告)号:CN106464276B
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201580025166.1
申请日:2015-04-03
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H04B1/00
摘要: 本公开的某些方面提供了具有多个合成器的多路分集接收器。这样的多路分集接收器可以被实施在载波聚合(CA)收发器中。一个示例无线接收分集电路一般包括用于处理所接收的信号的三个或更多接收路径、以及被配置为生成本振信号以对所接收的信号下变频的两个或更多频率合成电路。频率合成电路中的每个频率合成电路由接收路径中的至多两个接收路径共享,并且频率合成电路中的每对频率合成电路可以生成具有相同频率的一对本振信号。
-
公开(公告)号:CN106716850A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201580050488.1
申请日:2015-08-18
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H04B1/00
摘要: 公开了一种用于在多频带接收器中使用的双级LNA。在示例性实施例中,一种装置包括多个第一级放大器,它们分别具有用以输出第一级放大的电压模式信号的多个第一级输出端口。该装置还包括多个第二级放大器,它们分别具有多个第二级输入端口和用以输出放大的电流模式信号的第二级输出端口。该装置还包括开关装置,其具有连接到第一级输出端口的输入端子和连接到第二级输入端口的输出端子,开关装置用以将所选择的第二级输入端口连接到所选择的第一级输出端口。
-
公开(公告)号:CN106464275A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580024916.3
申请日:2015-04-15
申请人: 高通股份有限公司
CPC分类号: H04W72/0453 , H04B1/16 , H04B1/30 , H04B1/38 , H04L5/001 , H04L5/003 , H04L27/2647 , H04B1/0082
摘要: 本公开的某些方面提供用于在增加或停止载波聚合(CA)方案中的分量载波(CC)的接收时动态调整压控振荡器(VCO)频率、本地振荡器(LO)分频比和/或接收路径的方法和装置。利用该动态调整以在VCO和LO分频器的最小(或至少减小的)电流消耗的情况下避免(或至少减少)VCO、LO和发射信号与多个分量载波的耦合问题。
-
-
公开(公告)号:CN107258054B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201680011537.5
申请日:2016-01-27
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中,该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端子之间的电压差。在一些实施例中,辅保护二极管可以限制CMOS放大器的输入端子与供电电压之间、CMOS放大器的输入端子与地面之间、以及CMOS放大器的输入端子与输出端子之间的电压差。
-
-
-
-
-
-
-
-
-