公开(公告)号：CN106462519B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580022247.6

申请日：2015-04-14

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·W·小贝里 ,  R·J·彭宁顿 ,  J·D·亨德森 ,  D·库马

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F13/40

CPC分类号： H01R12/7076 ,  G06F11/008 ,  G06F11/07 ,  G06F11/2094 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/409 ,  G11C5/04 ,  G11C29/781 ,  G11C29/832

摘要： 一种增强型双列直插式存储器模块(DIMM)连接器包括内部导电路径，该内部导电路径提供对到工业标准DIMM的标准导电路径上的信令的访问。该内部导电路径通过连接器与标准导电路径串联或并联耦合。插入式电路系统(诸如控制电路系统和或补充存储器电路系统)可被纳入连接器上或连接器内。插入式电路系统可包括场效应晶体管(FET)开关电路系统，其被配置成选择性地将DIMM上有缺陷的动态随机存储器(DRAM)与到存储器控制器的导电路径解耦并将替换DRAM耦合到它的位置中的导电路径。

公开(公告)号：CN106462519A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022247.6

申请日：2015-04-14

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·W·小贝里 ,  R·J·彭宁顿 ,  J·D·亨德森 ,  D·库马

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F13/40

CPC分类号： H01R12/7076 ,  G06F11/008 ,  G06F11/07 ,  G06F11/2094 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/409 ,  G11C5/04 ,  G11C29/781 ,  G11C29/832

摘要： 一种增强型双列直插式存储器模块(DIMM)连接器包括内部导电路径，该内部导电路径提供对到工业标准DIMM的标准导电路径上的信令的访问。该内部导电路径通过连接器与标准导电路径串联或并联耦合。插入式电路系统(诸如控制电路系统和或补充存储器电路系统)可被纳入连接器上或连接器内。插入式电路系统可包括场效应晶体管(FET)开关电路系统，其被配置成选择性地将DIMM上有缺陷的动态随机存储器(DRAM)与到存储器控制器的导电路径解耦并将替换DRAM耦合到它的位置中的导电路径。