一种单晶炉引晶埚位的确定方法

    公开(公告)号:CN104947180A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510387092.8

    申请日:2015-07-06

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 一种单晶炉引晶埚位的确定方法,涉及到直拉法生产单晶硅棒领域,在石墨坩埚中设置一圆盘,且该圆盘的上表面与正常拉晶时液面位置相平齐,然后依次确定上轴的下降行程和下轴的上升行程,从而最终精确确定引晶埚位。本发明通过使用圆盘来精确定位引晶埚位,操作简单,所需工具易于加工、成本低廉,可应用到所有直拉单晶炉,对于不同尺寸的热场,只需要改变圆盘尺寸即可,对于同一单晶炉,调整投料量后,也可以精确定位引晶埚位,可以保证不同炉次的引晶埚位一致,拉制出的单晶棒质量稳定。

    一种单晶炉引晶埚位的确定方法

    公开(公告)号:CN104947180B

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201510387092.8

    申请日:2015-07-06

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 一种单晶炉引晶埚位的确定方法,涉及到直拉法生产单晶硅棒领域,在石墨坩埚中设置一圆盘,且该圆盘的上表面与正常拉晶时液面位置相平齐,然后依次确定上轴的下降行程和下轴的上升行程,从而最终精确确定引晶埚位。本发明通过使用圆盘来精确定位引晶埚位,操作简单,所需工具易于加工、成本低廉,可应用到所有直拉单晶炉,对于不同尺寸的热场,只需要改变圆盘尺寸即可,对于同一单晶炉,调整投料量后,也可以精确定位引晶埚位,可以保证不同炉次的引晶埚位一致,拉制出的单晶棒质量稳定。

    一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉及除磷方法

    公开(公告)号:CN107523878A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710791559.4

    申请日:2017-09-05

    IPC分类号: C30B31/16 C30B31/10 C30B29/06

    CPC分类号: C30B31/16 C30B29/06 C30B31/10

    摘要: 一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉,该单晶炉的主真空泵通过抽空管道与炉筒的底部连通,以控制主真空泵通过抽空管道抽取炉筒内的气体;抽空管道靠近炉筒的一端上连接有进空气管道,进空气管道与空气开关连接,以通过空气开关的控制向抽空管道中充入空气,进而使抽空管道内沉积的含磷挥发物进行氧化去除。本发明通过在单晶炉抽空管道的最前端增加一个进空气管道,进空气管道上的空气开关开启后可以通过该进空气管道向抽空管道中输入空气,进而对管道壁、过滤器等沉积挥发物的部位进行氧化,避免反应产生的热量积聚达到爆炸极限,从而很好的控制了磷的燃烧速度,解决了管道爆炸问题。

    一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法

    公开(公告)号:CN105755533A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610338045.9

    申请日:2016-05-20

    IPC分类号: C30B15/04 C30B29/06

    CPC分类号: C30B15/04 C30B29/06

    摘要: 一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法,首先利用直拉法制备出电阻率在0.015~0.020Ω/CM的若干母合金样片,然后再利用该母合金样片继续用直拉法制备出高电阻硅单晶。本发明通过精确控制每一小批次母合金的电阻率,提高母合金的掺杂量,减少母合金的计算和称量的误差,实现直拉高阻硅单晶的稳定生长,使P型单晶硅的电阻率能达到300Ω/CM,且电阻率径向均匀性在3%以内,从而极大提高器件性能和稳定性、安全性,同时也实现了稳定批量生产直拉高阻硅单晶,本方法同样适用于拉制N型高阻单晶棒,能满足拉制N型电阻率在100Ω/CM以内的单晶棒。

    一种直拉单晶炉挥发物清扫装置

    公开(公告)号:CN204690160U

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201520360611.7

    申请日:2015-05-30

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本实用新型公开一种直拉单晶炉挥发物清扫装置,包括支架和设置在支架上的过滤腔,过滤腔的一侧设有进气口,另一侧设有排气口,过滤腔的底部依次连接锥形导流筒和收尘筒;所述过滤腔的内部水平设置有多个滤芯,滤芯的出气口处设有脉冲反吹管道,脉冲反吹管道的进气端与压缩空气管道连接,且在脉冲反吹管道上,沿进气方向依次设有球阀、脉冲阀和稳压阀;所述过滤腔的排气口处连接有排气管道,排气管道上设有气环真空泵。本实用新型提供的直拉单晶炉挥发物清扫装置有效地解决了清扫单晶炉和更换滤芯对工作人员造成伤害和环境污染的问题,同时提高了清扫效率。

    一种大直径单晶炉用热屏连接装置

    公开(公告)号:CN207227594U

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201721067553.4

    申请日:2017-08-24

    IPC分类号: C30B29/06 C30B15/00

    摘要: 一种大直径单晶炉用热屏连接装置,在U形连杆上部通过横向螺栓将籽晶卡头基体固定在U形连杆内;U形连杆的底部设置有带竖直开口孔道的销钉式卡头,在竖直开口孔道内设置有带连接孔的籽晶式吊装连杆,籽晶式吊装连杆的底部设置有固定盘,固定盘的边缘均匀铰接有三个热屏挂件,热屏挂件通过其底部设置的挂件环与热屏的热屏挂钩连接。本实用新型U形连杆的上部与籽晶卡头基体配合连接,下部通过竖直开口孔道与籽晶式吊装连杆上部可拆卸连接,籽晶式吊装连杆底部通过热屏挂件和挂件环与热屏上的热屏挂钩实现热屏的吊装,具有结构简单、操作方便、安全可靠的优点,有效的化解了现有连接方法所存在的不足。

    一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉

    公开(公告)号:CN207227595U

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201721131163.9

    申请日:2017-09-05

    IPC分类号: C30B31/16 C30B31/10 C30B29/06

    摘要: 一种用于重掺磷硅单晶生产的防爆单晶炉,该单晶炉的主真空泵通过抽空管道与炉筒的底部连通,以控制主真空泵通过抽空管道抽取炉筒内的气体;抽空管道靠近炉筒的一端上连接有进空气管道,进空气管道与空气开关连接,以通过空气开关的控制向抽空管道中充入空气,进而使抽空管道内沉积的含磷挥发物进行氧化去除。本实用新型通过在单晶炉抽空管道的最前端增加一个进空气管道,进空气管道上的空气开关开启后可以通过该进空气管道向抽空管道中输入空气,进而对管道壁、过滤器等沉积挥发物的部位进行氧化,避免反应产生的热量积聚达到爆炸极限,从而很好的控制了磷的燃烧速度,解决了管道爆炸问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种用于籽晶卡头和掺杂器之间的连接装置

    公开(公告)号:CN207227587U

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201721068104.1

    申请日:2017-08-24

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 一种用于籽晶卡头和掺杂器之间的连接装置,包括籽晶状连接杆,包括籽晶状连接杆的上部设置有与籽晶卡头配合卡接的凹槽,凹槽通过一销钉将籽晶状连接杆与籽晶卡头连接;籽晶状连接杆的底端与其垂直设置有一水平固定板,水平固定板的两侧分别设置两块竖直挂板,两块竖直挂板与水平固定板形成倒U形结构,且两块竖直挂板与水平固定板围成的半封闭空间形成供石英掺杂器上端的圆柱体插入的连接腔,在两块竖直挂板上分别设置有位于同一直线上的螺纹孔和通孔,以使螺纹孔、通孔与圆柱体上的水平通孔通过螺钉串接,从而将石英掺杂器固定在连接腔内,具有结构简单、操作方便、安全可靠,有效的化解了现有连接方法所存在的不足。

    一种单晶硅头尾料破碎装置

    公开(公告)号:CN204779913U

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201520515599.2

    申请日:2015-07-16

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 一种单晶硅头尾料破碎装置,适用于硅单晶生产中对头尾料的破碎。本实用新型主要是由箱体(1)、四氟护板(2)、压空管道(3)、压空阀门(4)、液氮管道(5)、液氮阀门(6)、排气口(7)、喷洒盘(8)构成;箱体(1)的内壁镶嵌有四氟护板(2)进行屏蔽,防止金属沾污;箱体(1)与四氟板(2)之间填有保温材料(9);箱体(1)的顶部开有2个圆形的排气口(7),箱体(1)顶部中间连接有液氮管道(5),液氮管道(5)的上下两端连接有液氮阀门(6)和喷洒盘(8),喷洒盘(8)在箱体(1)内部,喷洒盘(8)上有圆形的喷洒孔(10);箱体(1)的侧面连接有压空管道(3),压空管道上有压空阀门(4)。本实用新型操作简便,高纯洁净,安全可靠,有效的解决了现有破碎方法所存在的不足。

    一种单晶炉中石墨坩埚与托盘防粘结结构

    公开(公告)号:CN207347691U

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201721172271.0

    申请日:2017-09-13

    IPC分类号: C30B15/10 C30B29/06

    摘要: 一种单晶炉中石墨坩埚与托盘防粘结结构,石墨坩埚设置在单晶炉炉腔内的托盘上,在石墨坩埚的侧壁与底部连接处设置有一环形平台,该环形平台将石墨坩埚的底部隔离成一环状凸台,且该环状凸台放置在托盘上时,托盘的侧壁顶部处于环形平台上;在环形平台与石墨坩埚的侧壁之间设置有环形挡块。本实用新型通过在石墨坩埚与托盘连接的环形平台外部设置环形挡块,环形挡块在环形平台的外侧形成类似于“裙边”的结构,当硅蒸汽凝结的硅液珠流到“裙边”处时,硅液珠凝固在“裙边”上或从“裙边”的底部边缘滴落到炉底,这样就阻止了硅液珠流入石墨坩埚和坩埚托盘之间连接的环形平台上,进而避免了石墨坩埚与托盘的粘结。