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公开(公告)号：CN107863607B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711086758.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域。基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，包括：一介质基板，介质基板呈矩形；一工型金属线，刻蚀于介质基板的上表面，工型金属线的长边与介质基板的长边方向的对称轴平行；第一谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，位于工型金属线长边的一侧；第二谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，与第一谐振器对称设置于工型金属线长边的另一侧，第一谐振器与第二谐振器均是由宽度相同，长度不同的长方形结构旋转7次构成的螺旋结构。本发明利用电环偶极子谐振和电偶极子谐振之间电磁场的破坏性干涉，抑制超材料的辐射损耗，提高传输系数。
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公开(公告)号：CN106847325A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218768.1
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。
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公开(公告)号：CN109525236B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201811417823.9
申请日：2018-11-26
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了现有的锁存器所需硬件多、面积大、功耗高、传播延时时间长、抗双节点翻转的能力差以及无法实现对双节点翻转的容错的问题。本发明包括20个NMOS晶体管N1至N20、12个PMOS晶体管P1至P12，所用器件少，体积小，结构简单，由于所用器件少，从而降低整个锁存器的功耗及拥有较低的硬件开销。锁存器输入端的信号只通过一个传输门就可以传输到输出端口，数据传输时间短，还能够实现对任意单节点和双节点翻转的容错，从而实现抗单节点和双节点翻转的容错保护。本发明特别适用于在航空航天、宇航飞行、核电站等具有核辐射效应中。
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公开(公告)号：CN108598714A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810389169.9
申请日：2018-04-26
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 一种极化无关的电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域，解决了现有非对称结构的电磁感应透明超材料的电磁感应透明特性受限于入射波极化方向稳定度的问题。本发明所述的电磁感应透明超材料结构包括介质基板和风车形金属单元，介质基板为正方形，风车形金属单元包括第一金属线～第四金属线，四者的形状和尺寸均相同。第一金属线为由长线和两条短线构成的直角Z形结构，第一金属线～第四金属线共平面且长边共形心地刻蚀在介质基板上。对于介质基板上的第一金属线～第四金属线，前者逆时针旋转45°后与后者重合。本发明所述的电磁感应透明超材料结构基于金属线之间散射电磁场的破坏性耦合来模拟实现电磁感应透明效应。
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公开(公告)号：CN107910651A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711086042.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了极化和入射角度不敏感的低损耗电磁感应透明全介质超材料结构，属于超材料技术领域。该低损耗电磁感应透明全介质超材料结构的第一立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第一正方形空气孔和第二正方形空气孔，第一正方形空气孔和第二正方形空气孔的重心均与第一立方体的重心重合；第二立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第三正方形空气孔和第四正方形空气孔，第三正方形空气孔和第四正方形空气孔的重心均与第二立方体的重心重合，第二立方体与第一立方体之间的间隙为1mm。当这两种谐振器被组合成超材料单元时，由于米氏电磁谐振之间的近场耦合作用，可实现低损耗、高透波率的目的。
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公开(公告)号：CN105336362B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510915575.0
申请日：2015-12-10
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 抗辐射加固的静态随机存取储存器，涉及抗辐射加固电路领域。本发明是为了解决现有的静态随机存取储存器对空间和自然辐射环境下的辐射粒子敏感，导致可靠性差的问题。本发明所述的由12个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8以及NMOS晶体管N1、N2、N3和N4。本发明可以对SRAM单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。它用在集成电路设计中。
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公开(公告)号：CN106847324A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218756.9
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗辐射存储单元，涉及集成电路设计领域。本发明是为了解决现有缺少对存储器进行抗辐射加固设计的问题。本发明包括PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2、PMOS晶体管P3、PMOS晶体管P4、PMOS晶体管P5、PMOS晶体管P6、NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4；在电荷共享引起的多节点翻转现象中，多余两个节点的电荷共享是不会引起存储器状态发生有效地改变，因此，本发明对抗多节点翻转加固主要考虑的是对两个敏感节点进行抗辐射加固。用于对两个敏感节点进行抗辐射加固。
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公开(公告)号：CN109525236A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811417823.9
申请日：2018-11-26
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了现有的锁存器所需硬件多、面积大、功耗高、传播延时时间长、抗双节点翻转的能力差以及无法实现对双节点翻转的容错的问题。本发明包括20个NMOS晶体管N1至N20、12个PMOS晶体管P1至P12，所用器件少，体积小，结构简单，由于所用器件少，从而降低整个锁存器的功耗及拥有较低的硬件开销。锁存器输入端的信号只通过一个传输门就可以传输到输出端口，数据传输时间短，还能够实现对任意单节点和双节点翻转的容错，从而实现抗单节点和双节点翻转的容错保护。本发明特别适用于在航空航天、宇航飞行、核电站等具有核辐射效应中。
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公开(公告)号：CN107863607A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711086758.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域。基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，包括：一介质基板，介质基板呈矩形；一工型金属线，刻蚀于介质基板的上表面，工型金属线的长边与介质基板的长边方向的对称轴平行；第一谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，位于工型金属线长边的一侧；第二谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，与第一谐振器对称设置于工型金属线长边的另一侧，第一谐振器与第二谐振器均是由宽度相同，长度不同的长方形结构旋转7次构成的螺旋结构。本发明利用电环偶极子谐振和电偶极子谐振之间电磁场的破坏性干涉，抑制超材料的辐射损耗，提高传输系数。
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公开(公告)号：CN107634755A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710972544.8
申请日：2017-10-18
IPC分类号： H03K19/20
摘要： 大数逻辑门构造电路，涉及大数逻辑门构造电路领域。本发明是为了解决现有大数逻辑门需要耗费较多硬件、功耗和延迟开销，严重影响存储器性能的问题。本发明输入信号输入到PMOS上拉电路和NMOS下拉电路中，输入信号中的低电平信号用于开启PMOS上拉电路，并以高电平信号形式输出；输入信号中的高电平信号用于开启NMOS上拉电路，并以低电平信号形式输出；PMOS上拉电路和NMOS下拉电路的输出均接入反相器的信号输入端；反相器，用于将不同时刻接收到的高电平信号和低电平信号分别取反，从而输出正确的多数逻辑值。它用于构造大数逻辑门。
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