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公开(公告)号：CN108598714A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810389169.9
申请日：2018-04-26
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 一种极化无关的电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域，解决了现有非对称结构的电磁感应透明超材料的电磁感应透明特性受限于入射波极化方向稳定度的问题。本发明所述的电磁感应透明超材料结构包括介质基板和风车形金属单元，介质基板为正方形，风车形金属单元包括第一金属线～第四金属线，四者的形状和尺寸均相同。第一金属线为由长线和两条短线构成的直角Z形结构，第一金属线～第四金属线共平面且长边共形心地刻蚀在介质基板上。对于介质基板上的第一金属线～第四金属线，前者逆时针旋转45°后与后者重合。本发明所述的电磁感应透明超材料结构基于金属线之间散射电磁场的破坏性耦合来模拟实现电磁感应透明效应。
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公开(公告)号：CN107910651A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711086042.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了极化和入射角度不敏感的低损耗电磁感应透明全介质超材料结构，属于超材料技术领域。该低损耗电磁感应透明全介质超材料结构的第一立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第一正方形空气孔和第二正方形空气孔，第一正方形空气孔和第二正方形空气孔的重心均与第一立方体的重心重合；第二立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第三正方形空气孔和第四正方形空气孔，第三正方形空气孔和第四正方形空气孔的重心均与第二立方体的重心重合，第二立方体与第一立方体之间的间隙为1mm。当这两种谐振器被组合成超材料单元时，由于米氏电磁谐振之间的近场耦合作用，可实现低损耗、高透波率的目的。
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公开(公告)号：CN106847324A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218756.9
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗辐射存储单元，涉及集成电路设计领域。本发明是为了解决现有缺少对存储器进行抗辐射加固设计的问题。本发明包括PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2、PMOS晶体管P3、PMOS晶体管P4、PMOS晶体管P5、PMOS晶体管P6、NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4；在电荷共享引起的多节点翻转现象中，多余两个节点的电荷共享是不会引起存储器状态发生有效地改变，因此，本发明对抗多节点翻转加固主要考虑的是对两个敏感节点进行抗辐射加固。用于对两个敏感节点进行抗辐射加固。
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公开(公告)号：CN107863607B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711086758.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域。基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，包括：一介质基板，介质基板呈矩形；一工型金属线，刻蚀于介质基板的上表面，工型金属线的长边与介质基板的长边方向的对称轴平行；第一谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，位于工型金属线长边的一侧；第二谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，与第一谐振器对称设置于工型金属线长边的另一侧，第一谐振器与第二谐振器均是由宽度相同，长度不同的长方形结构旋转7次构成的螺旋结构。本发明利用电环偶极子谐振和电偶极子谐振之间电磁场的破坏性干涉，抑制超材料的辐射损耗，提高传输系数。
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公开(公告)号：CN106847325A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218768.1
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。
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公开(公告)号：CN107863607A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711086758.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域。基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，包括：一介质基板，介质基板呈矩形；一工型金属线，刻蚀于介质基板的上表面，工型金属线的长边与介质基板的长边方向的对称轴平行；第一谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，位于工型金属线长边的一侧；第二谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，与第一谐振器对称设置于工型金属线长边的另一侧，第一谐振器与第二谐振器均是由宽度相同，长度不同的长方形结构旋转7次构成的螺旋结构。本发明利用电环偶极子谐振和电偶极子谐振之间电磁场的破坏性干涉，抑制超材料的辐射损耗，提高传输系数。
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公开(公告)号：CN107910651B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711086042.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了极化和入射角度不敏感的低损耗电磁感应透明全介质超材料结构，属于超材料技术领域。该低损耗电磁感应透明全介质超材料结构的第一立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第一正方形空气孔和第二正方形空气孔，第一正方形空气孔和第二正方形空气孔的重心均与第一立方体的重心重合；第二立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第三正方形空气孔和第四正方形空气孔，第三正方形空气孔和第四正方形空气孔的重心均与第二立方体的重心重合，第二立方体与第一立方体之间的间隙为1mm。当这两种谐振器被组合成超材料单元时，由于米氏电磁谐振之间的近场耦合作用，可实现低损耗、高透波率的目的。
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公开(公告)号：CN118920112A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411071697.1
申请日：2024-08-06
申请人： 齐齐哈尔大学
摘要： 用于打印成像和全息成像的全空间八通道超表面单元及其排布方法，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决超表面成像技术在信息容量和操作空间上的限制以及电磁资源浪费的问题。本发明所述的用于打印成像和全息成像的全空间八通道超表面单元及其排布方法，利用超表面的频率复用能力，能够在多个频率上独立控制电磁波特性，在实际应用时通过高度精确的振幅和相位控制，能够实现高效的电磁波控制，并采用打印成像与全息成像结合的方法，提高超表面的信息容量。使得超表面可以在反射空间和传输空间有效工作，并且与打印、全息技术相结合极大地增强了系统集成度。本发明适用于全空间超表面全息成像技术领域。
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公开(公告)号：CN114552228A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210318775.8
申请日：2022-03-29
申请人： 齐齐哈尔大学
摘要： 基于2位相位编码的单层全空间超表面单元及编码超表面，涉及电磁结构技术领域。本发明是为了解决传统编码超表面在进行全息成像时，只能实现半空间全息成像，而能够实现全空间全息成像的超表面层数多、体积大的问题。本发明包括依次层叠设置的顶层、介质层和底层，顶层包括“π”字形金属贴片和矩形框金属贴片，“π”字形金属贴片的每个线条中间均留有缝隙，底层为矩形接地金属片，底层上开有两个直角缝隙，两个直角缝隙以底层的一个对角线为对称轴呈轴对称设置、且开口相对，两个直角缝隙的角分别与底层相对的两个角正对。本发明避免了电磁资源的浪费，满足超表面全息成像在小型化、高度集成化的需求。
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公开(公告)号：CN113258299A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110522865.4
申请日：2021-05-13
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/14
摘要： 用于全空间电磁全息成像的单层编码超表面，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决现有多层介质级联结构实现的超表面全息体积大、不利于与现代电磁器件或系统进行集成的问题。本发明编码单元包括上金属层和下金属层，上金属层包括“Ⅱ”字形的第一金属片和两个矩形环并列排布而成的第二金属片，第一金属片和第二金属片重叠设置、且呈“十”字形结构，第二金属片的一条边与介质层的一条边相互平行，下金属层能够完全覆盖介质层下表面，下金属层上开有与第二金属片形状完全相同的镂空结构，该镂空结构与第二金属片镜像对称，上金属层、下金属层和介质层的几何中心重叠设置。
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