公开(公告)号：CN119451213A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202510025444.9

申请日：2025-01-08

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 杜婉婷 ,  张军亮 ,  杨乐 ,  张朝阳 ,  陈桥梁

IPC: H10D84/80 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明公开了一种低反向恢复损耗的RC‑IGBT结构及其制备方法，属于功率器件技术领域，该RC‑IGBT结构反向导通时，n+短路区注入的电子在依次经过n场阻止层、n‑漂移区、P阱区之后，可以直接流向n型载流子存储区中的n+欧姆接触区，使得RC‑IGBT结构中集成二极管阳极区下方的电子密度降低，进而降低阳极区的空穴注入效率，提高集成二极管的反向恢复速度，减少反向恢复电荷，而且制备工艺简单。

公开(公告)号：CN119743997A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411861760.1

申请日：2024-12-17

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 杜婉婷 ,  张军亮 ,  徐西昌

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/80 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01

Abstract: 本发明提出了一种具有双场阻止层的RC‑IGBT结构及其制造方法，旨在解决传统RC‑IGBT导通时存在的电压折回现象及器件耐压降低的问题。该结构在集电极侧具有p浮置区的基础上，引入了两层场阻止层，即nFS1层和nFS2层。nFS1层可压缩电场，防止电场扩展至n+短路区，保障器件耐压；nFS2层则通过调节掺杂浓度调控背面空穴注入率。此外，采用局部氧化物进行隔离，降低了工艺难度。本发明的RC‑IGBT结构不仅可在更小的元胞尺寸下抑制电压折回现象，还显著提升了功率芯片性能和可靠性，具有更高的耐压能力和更好的动态特性，对推动电力电子技术的发展和应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN119743967A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411991939.9

申请日：2024-12-31

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 张军亮 ,  杜婉婷 ,  陈桥梁 ,  徐西昌

IPC: H10D12/00 ,  H10D62/10 ,  H10D12/01

Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及其制造方法,该器件包括：从下至上依次层叠的衬底层、载流子存储层及P型体区，其中，P型体区的上表面设置有延伸至衬底层的栅极沟槽和多个发射极沟槽；设置在P型体区的上表面的连续的栅氧化层，设置在栅氧化层、控制栅极及发射极填充层的上表面的层间介质层，其上还设置有延伸至P型体区的多个发射极接触孔，与栅极沟槽相邻的第一发射极接触孔设置在栅极沟槽和第一发射极沟槽之间且与第一发射极沟槽的间距较近。本发明提供的IGBT器件性能良好，可显著提升晶圆片内IGBT器件参数的一致性，提高IGBT器件的芯片良率。

公开(公告)号：CN117790302A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311761131.7

申请日：2023-12-20

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 杜婉婷 ,  张军亮 ,  汤雨欣 ,  杨晶 ,  徐西昌

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的目的是提供一种集电极侧具有p浮置区的RC‑IGBT结构及制造方法，包括选取硅片、注入CS层、挖沟槽、注入Pbody区、n+注入、淀积层间介质层、淀积金属层、N‑buffer区注入、倒掺杂工艺注入p浮置区、n+短路区注入和背面金属短接。在芯片背面在集电极侧n+短路区上方引入p浮置区，在正向导通初期，由于p浮置区对下方电子通道的耗尽，使得电子通道电阻很大，属于高阻区，阻碍了电子的流动，让电子在集电极侧积累，增大了p+/N‑buffer结两端电势差，使得p+/N‑buffer结提前开启注入空穴,器件较早的进入双极模式，有效控制了器件单双极模式的转变，从而抑制甚至消除snapback现象。