公开(公告)号：CN117801019A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311814264.6

申请日：2023-12-27

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 刘艳芬 ,  徐西昌

IPC: C07F9/655 ,  C08K5/529 ,  C08L63/00

Abstract: 本发明涉及一种无卤环氧树脂阻燃剂，其制备方法及应用。该阻燃剂具有高阻燃效率、无卤、低毒、环保等优点，适用于电子封装材料领域。通过将环氧丙醇与三氯乙基磷酸酯进行Williamson反应，经过滤、洗涤、干燥等后处理步骤，可得到白色粉末状固体。该制备方法简单、高效，使用的溶剂易得，反应温度温和，合成时间短，且无副产物产生。所得产品纯度高，具有良好的热性能和力学性能。无卤环氧树脂阻燃剂的应用可有效提高电子产品的安全性，降低火灾风险，避免因使用含卤阻燃剂而产生的环境污染问题，对绿色化学的发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN117747637A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311834213.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 汤雨欣 ,  张军亮 ,  徐西昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种具有N埋层的场限环终端结构及工艺方法，本发明所述的一种具有N埋层的场限环终端结构，在场限环注入前注入一层N埋层，N埋层可以有效地降低场限环的结深，使场限环在多一道推结的情况下与主结有相近的结深。同时可以有效的降低场限环边缘的曲率，在器件承担反向耐压时，空间电荷区边缘的曲率更缓，器件表面电场更平缓，相同的耐压效率下，仅需要更少的场限环数目，终端面积更小。可以缓解芯片成本和耐压效率之间的矛盾关系。且本发明的N埋层可以与场限环注入共用同一套Mask，无需增加新的Mask，不增加Mask成本。

公开(公告)号：CN110265300B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201910525348.5

申请日：2019-06-18

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 周宏伟 ,  刘鹏飞 ,  刘杰 ,  徐西昌

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小。在发生短路的时候，本方法可以有效限制短路电流的大小，增强芯片短路耐受的能力，避免芯片的意外损坏，提高芯片的鲁棒性，在不影响微元胞结构IGBT开通和关断损耗的情况下，减小短路电流，提高芯片的短路耐受能力。

公开(公告)号：CN117877978A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311853442.6

申请日：2023-12-29

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 张军亮 ,  张园园 ,  王荣华 ,  李铁生 ,  徐西昌

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，具体包括以下步骤：首先制备轻掺杂的单晶硅衬底，然后形成P型dummy区。接着在正面刻蚀沟槽并生长栅氧化层，淀积多晶硅形成沟槽栅极。之后进行PBody区和发射区的离子注入，并淀积层间介质层。刻蚀接触孔并注入硼和二氟化硼形成欧姆接触区域，再淀积金属。最后在背面形成场截止层和集电区，溅射背面金属。本发明通过改变发射极N+的Layout结构，增大了NPN晶体管发射极电阻，降低NPN管的电流增益，提高IEGT器件的抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN117832085A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311860768.1

申请日：2023-12-31

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 张军亮 ,  汤雨欣 ,  杜琬婷 ,  杨晶 ,  徐西昌

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供了一种超结IGBT器件及其制造方法，具体技术方案为：本发明通过P柱区将超结IGBT的正向导通电流路径和，关断空穴抽取路径及分离，并且将正面P型区与第二P柱区相连，这样形成了纵向PNP结构，在器件短路器件的强集电极发射极电压下开启，可以通过双极型晶体管形成超结IGBT结构的短路电流泄放通道。本发明提供了一种具有创新性和实用性的超结IGBT，通过优化电子注入增强结构和关断空穴抽取路径，显著提升了超结IGBT的导通性能、开关特性和短路能力的折中。

公开(公告)号：CN112510079A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011361521.1

申请日：2020-11-27

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 张军亮 ,  张园园 ,  李铁生 ,  徐西昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法，所述整流器包括第一掺杂类型重参杂衬底和其上方的第一掺杂类型轻掺杂外延层；第一掺杂类型轻掺杂外延层内侧为第一沟槽填充物，第一沟槽填充物上方为第二掺杂类型阱区、第一掺杂类型离子注入重参杂区和第二掺杂类型注入区离子注入重参杂区；第一掺杂类型轻掺杂外延层中为第二沟槽侧壁的栅氧化物和第二沟槽的填充物。本发明的整流器通过沟槽结构，消除传统平面SBR器件的JFET区电阻；引入了电荷平衡结构漂移区，提高了SBR器件耐压漂移区的掺杂浓度，进一步降低了SBR的通态电阻。

公开(公告)号：CN119753770A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411861757.X

申请日：2024-12-17

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 刘艳芬 ,  徐西昌

IPC: C25D3/30 ,  C25D3/32

Abstract: 本发明涉及一种无氰镀锡电镀液及其制备方法，主要包含甲基磺酸亚锡、甲基磺酸、复合光亮剂、电镀明胶、抗氧化剂、表面活性剂和络合剂等组分，其中复合光亮剂由光亮剂I和光亮剂II组成。通过特定的制备工艺，在去离子水中依次加入各组分并搅拌均匀，得到均匀透明的电镀液。该电镀液能有效提升镀层与基材的附着力，形成防腐蚀性能优异、导电性和可焊接性好的镀层，且不含氰类和钒类化合物，符合环保要求。本发明的电镀液适用于多数情况下基材的镀锡工艺，实用面广，能显著增强涂层与基材的附着力，提高涂层的耐腐蚀性，保证电镀层表面光滑、光泽度高，达到良好的外观和防腐效果。

公开(公告)号：CN118969822A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411442448.9

申请日：2024-10-16

Applicant: 旭矽半导体(上海)有限公司 ,  龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 张朝阳 ,  朱洋洋 ,  陈桥梁 ,  王新 ,  徐西昌

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制备方法，功率器件包括：衬底、磁性金属材料、若干导电体、绝缘层、控制极、第一电极和第二电极，其中，衬底中形成有若干沟槽，若干沟槽从衬底的表面延伸至内部，将衬底具有凹槽的部分分隔为若干绝缘体；磁性金属材料设置在若干沟槽中，磁性金属材料的厚度小于沟槽的深度；若干导电体一一对应设置在若干绝缘体上；绝缘层位于若干导电体上，且覆盖若干沟槽；控制极设置在绝缘层上且投影与磁性金属材料交叠；第一电极和第二电极设置在绝缘层上，且分布在控制极的两侧，与控制极间隔排布。该功率器件能有效提高耐压、减小导通电阻、提高开关速度。

公开(公告)号：CN117766477A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311771991.9

申请日：2023-12-21

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 张锴 ,  曹琳 ,  徐西昌

IPC: H01L23/31 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种三相桥功率模块的封装结构，包括左右两个基岛，每个基岛上从下至上依次堆叠多个芯片和连接片，每层之间填充焊料。本发明所述的封装结构将上管和下管分别叠封在一起，降低了封装体积，减小了寄生电感。所有焊料均使用纳米银烧结工艺，大幅度提升了散热性能。所有封装内部的电气连接材料均使用Cu‑clip，相比与传统的焊线工艺，可以提升散热性能及减小寄生电感。各功率芯片之间均采用DBC进行绝缘，提高了系统的可靠性和稳定性。为了提高散热性能，采用AlN材质的DBC。本发明提出的封装结构使得三相桥功率模块更加紧凑、减小了寄生电感、提高了散热效率、提高了系统的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN112349768B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202011005385.2

申请日：2020-09-23

Applicant: 龙腾半导体股份有限公司

Inventor： 刘雯娇 ,  刘琦 ,  李恩求 ,  李铁生 ,  徐西昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及场限环‑沟槽负斜角复合终端结构及其制备方法，步骤为：制备器件的有源区和终端区，终端区设置至少一个以上的场限环；用掩模版1进行掩蔽曝光，在终端区刻蚀垂直沟槽；用掩模版2进行掩蔽曝光，在终端区进行二次刻蚀，形成负斜角沟槽；在负斜角沟槽区填充氮氧化硅绝缘材料，最后进行背面减薄、镀金及三端电极引出，得到场限环‑沟槽负斜角复合终端结构。本发明适用于功率MOS器件的场限环‑沟槽负斜角复合终端结构，由于工艺简单，高温稳定性好，并且能在芯片面积与击穿电压两者之间取得较好的折衷，因此，该复合终端也可推广到IGBT和IEGT等功率器件。