用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片

    公开(公告)号:CN106233468A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201580021644.1

    申请日:2015-04-17

    申请人: 1366科技公司

    IPC分类号: H01L31/0236

    摘要: 带有在受控位置处的更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米,带有在180-250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得,所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc,优选地少于2x1017,总氧少于8.75x1017 atoms/cc,优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成;更薄的区邻近带有更少提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。

    用配送管进行的含液材料至图案表面的配送

    公开(公告)号:CN102272935B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201080004068.7

    申请日:2010-01-06

    申请人: 1366科技公司

    IPC分类号: H01L31/00

    摘要: 含液体的材料被沉积到工件-如硅片表面上的凹槽内,以便形成太阳能电池。液体能够被配送入工件路径内,如在压力下通过配送管进入凹槽内。配送管机械地遵循凹槽中的轨迹。所述配送管可以较小,且能够在槽底搁置,侧壁起限制作用。或者其也可以较大,且能在凹槽的顶边上骑行。诸如突起、非圆形横截面、模制突起和凸起部的轨迹特征也能增强循迹效果。配送管可以通过弹性或磁性加载而对凹槽施力。对准引导件-如引入特征可以导引配送管进入凹槽。沿该路径的恢复特征可以恢复任意的管。可使用多根管。多个工件可排成行或在一个鼓状物上处理。

    用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片

    公开(公告)号:CN106233468B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201580021644.1

    申请日:2015-04-17

    申请人: 1366科技公司

    IPC分类号: H01L31/0236

    摘要: 在受控位置处带有更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米,带有在180‑250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得,所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc,优选地少于2x1017,总氧少于8.75x1017 atoms/cc,优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成;更薄的区邻近带有更小提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。

    用配送管进行的含液材料至图案表面的配送

    公开(公告)号:CN102272935A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201080004068.7

    申请日:2010-01-06

    申请人: 1366科技公司

    IPC分类号: H01L31/00

    摘要: 含液体的材料被沉积到工件-如硅片表面上的凹槽内,以便形成太阳能电池。液体能够被配送入工件路径内,如在压力下通过配送管进入凹槽内。配送管机械地遵循凹槽中的轨迹。所述配送管可以较小,且能够在槽底搁置,侧壁起限制作用。或者其也可以较大,且能在凹槽的顶边上骑行。诸如突起、非圆形横截面、模制突起和凸起部的轨迹特征也能增强循迹效果。配送管可以通过弹性或磁性加载而对凹槽施力。对准引导件-如引入特征可以导引配送管进入凹槽。沿该路径的恢复特征可以恢复任意的管。可使用多根管。多个工件可排成行或在一个鼓状物上处理。