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    用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片
    1.
    发明公开
    用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片 有权

    公开(公告)号：CN106233468A

    公开(公告)日：2016-12-14

    申请号：CN201580021644.1

    申请日：2015-04-17

    申请人： 1366科技公司

    发明人： E.M.萨赫斯 ,  R.荣茨克 ,  A.L.罗伦斯 ,  R.L.华莱士 ,  G.D.S.哈德尔森

    IPC分类号： H01L31/0236

    摘要： 带有在受控位置处的更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180-250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更少提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。

    用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片
    2.
    发明授权
    用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片 有权

    公开(公告)号：CN106233468B

    公开(公告)日：2019-11-29

    申请号：CN201580021644.1

    申请日：2015-04-17

    申请人： 1366科技公司

    发明人： E.M.萨赫斯 ,  R.荣茨克 ,  A.L.罗伦斯 ,  R.L.华莱士 ,  G.D.S.哈德尔森

    IPC分类号： H01L31/0236

    摘要： 在受控位置处带有更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180‑250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更小提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。

    创建具有分布掺杂的半导体晶片的方法和含分布场的晶片
    3.
    发明授权
    创建具有分布掺杂的半导体晶片的方法和含分布场的晶片 有权

    公开(公告)号：CN107408490B

    公开(公告)日：2021-05-25

    申请号：CN201580078308.0

    申请日：2015-10-14

    申请人： 1366科技公司

    发明人： R.荣茨克 ,  B.D.克南 ,  G.D.S.赫德尔森 ,  A.M.罗伦斯 ,  E.M.萨赫斯

    IPC分类号： H01L21/00

    摘要： 半导体晶片在包含掺杂剂的模具上形成。掺杂剂对邻近模具的熔体区域进行掺杂。在那里，掺杂剂浓度高于熔体块体中的掺杂剂浓度。晶片开始凝固。掺杂剂在固体半导体中不良地扩散。在晶片开始凝固之后，掺杂剂不能进入熔体。之后，邻近晶片表面的熔体中的掺杂剂的浓度小于晶片开始形成的地方存在的掺杂剂的浓度。新的晶片区域从其掺杂剂浓度随时间的推移减少的熔体区域生长。这在晶片中建立了掺杂剂梯度，邻近模具具有较高浓度。能够修整梯度。梯度产生能够起漂移场或背表面场的作用的场。太阳能收集器能够在背表面上具有开放栅格导体和更好的光学反射器，固有的背表面场使所述更好的光学反射器变得可能。