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公开(公告)号：CN101203921A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022351.6
申请日：2006-06-12
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H02K3/40 , H01C7/1006 , H01C7/112 , Y10T428/25 , Y10T428/28
摘要： 本发明涉及一种包含ZnO微可变电阻颗粒的非线性的场控制带。该掺杂ZnO颗粒通过压碎烧结的ZnO块或通过粉碎或压碎煅烧的粒状颗粒或压碎煅烧或烧结的带(带铸件)而产生。实施例具体涉及：通过粒化技术产生的中空的ZnO微可变电阻颗粒具有降低的平均密度并且其直径小于90微米；在用来注入带的粘合剂中混合ZnO填充物。与传统的内含非线性填充物颗粒的非线性场控制带相比，能获得更强且更可靠的非线性电阻率，并且该ZnO填充物的生产和在粘合剂中的混合更简单。该带是柔行的，优选具有自粘性及具有很强的非线性电阻率。该带用于保护电子元件中的高场应力区域。
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公开(公告)号：CN101821818B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200780101092.0
申请日：2007-10-08
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H01B19/04 , C23C16/401 , H01B3/30 , Y10T428/26 , Y10T428/264
摘要： 本发明涉及包括包含至少一种填料和任选的其他添加剂的硬化或固化的合成聚合物组合物的表面改性的电绝缘系统，其中所述合成聚合物组合物的表面通过用薄涂层涂布改性；所述薄涂层通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)施用，其厚度为约50纳米至约50微米；和/或所述薄涂层通过溶胶-凝胶技术施用，其厚度为约0.5微米至约1毫米；且其中所述薄涂层为具有明显高于所述合成的含填料聚合物组合物的熔点或降解温度的熔点的非导电性聚合物材料；和制备所述电气系统的方法。
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公开(公告)号：CN101821817A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200780101006.6
申请日：2007-10-08
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H01B3/40 , C08K3/36 , Y10T428/25 , Y10T428/252 , Y10T428/256 , Y10T428/257 , Y10T428/259 , Y10T428/269 , C08L63/00
摘要： 聚合物混凝土电绝缘体系包含用不导电的无机填料组合物填充的硬化的环氧树脂组合物，其中所述的聚合物混凝土电绝缘体系任选地可包含其它添加剂，并且其中(a)环氧树脂组合物基于一种脂环族环氧树脂；(b)相对于聚合物混凝土电绝缘体系的总重量进行计算，无机填料组合物以约76重量％至约86重量％的范围内存在；(c)无机填料组合物包含(i)和(ii)的均匀混合物，所述的(i)为平均粒径在1微米(μm)至100微米(μm)范围内的无机填料[组分c(i)]，所述的(ii)为平均粒径在0.1mm(100微米)至2mm范围内的无机填料[组分c(ii)]；其中(d)相对于聚合物混凝土电绝缘体系的总重量进行计算，平均粒径在1微米(μm)至100微米(μm)范围内的无机填料[组分c(i)]的含量范围为22％至42％；并且(e)相对于聚合物混凝土电绝缘体系的总重量进行计算，平均粒径在0.1mm至2mm范围内的无机填料[组分c(ii)]的含量范围为约41％至61％；以及所述电绝缘体系的制备方法。
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公开(公告)号：CN101427326B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200680054371.1
申请日：2006-04-24
申请人： ABB研究有限公司
IPC分类号： H01C7/10
CPC分类号： H01C7/1006 , H01C7/1013 , H01C7/112 , Y10T29/49099 , Y10T428/257 , Y10T428/2982
摘要： 本发明涉及一种用于保护电气元件(6、6b、6c、6d、6e、8、9、11-13)的包含ZnO微变阻器颗粒(2)的过电压保护装置以及用于生产该装置的方法。根据本发明，将单微变阻器颗粒(2)放置在具有单层厚度(t)的布置(1)中并将其电耦合到电气元件(6、6b、6c、6d、6e、8、9、11-13)，以便保护其耐过电压.在成形中，单层过电压保护装置允许非常紧凑的集成和高的柔性，并使其适合电气或电子元件(6、6b、6c、6d、6e、8、9、11-13).另外，获得了降低的电容及由此降低的过电压保护的反应时间。
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公开(公告)号：CN101821817B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780101006.6
申请日：2007-10-08
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H01B3/40 , C08K3/36 , Y10T428/25 , Y10T428/252 , Y10T428/256 , Y10T428/257 , Y10T428/259 , Y10T428/269 , C08L63/00
摘要： 聚合物混凝土电绝缘体系包含用不导电的无机填料组合物填充的硬化的环氧树脂组合物，其中所述的聚合物混凝土电绝缘体系任选地可包含其它添加剂，并且其中(a)环氧树脂组合物基于一种脂环族环氧树脂；(b)相对于聚合物混凝土电绝缘体系的总重量进行计算，无机填料组合物以约76重量％至约86重量％的范围内存在；(c)无机填料组合物包含(i)和(ii)的均匀混合物，所述的(i)为平均粒径在1微米(μm)至100微米(μm)范围内的无机填料[组分c(i)]，所述的(ii)为平均粒径在0.1mm(100微米)至2mm范围内的无机填料[组分c(ii)]；其中(d)相对于聚合物混凝土电绝缘体系的总重量进行计算，平均粒径在1微米(μm)至100微米(μm)范围内的无机填料[组分c(i)]的含量范围为22％至42％；并且(e)相对于聚合物混凝土电绝缘体系的总重量进行计算，平均粒径在0.1mm至2mm范围内的无机填料[组分c(ii)]的含量范围为约41％至61％；以及所述电绝缘体系的制备方法。
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公开(公告)号：CN101821818A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200780101092.0
申请日：2007-10-08
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H01B19/04 , C23C16/401 , H01B3/30 , Y10T428/26 , Y10T428/264
摘要： 本发明涉及包括包含至少一种填料和任选的其他添加剂的硬化或固化的合成聚合物组合物的表面改性的电绝缘系统，其中所述合成聚合物组合物的表面通过用薄涂层涂布改性；所述薄涂层通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)施用，其厚度为约50纳米至约50微米；和/或所述薄涂层通过溶胶-凝胶技术施用，其厚度为约0.5微米至约1毫米；且其中所述薄涂层为具有明显高于所述合成的含填料聚合物组合物的熔点或降解温度的熔点的非导电性聚合物材料；和制备所述电气系统的方法。
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公开(公告)号：CN101946288B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200780102382.7
申请日：2007-12-21
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H01B1/22 , H01H33/7038 , H01H33/7069 , H01H33/7076
摘要： 本发明提供一种气体断路器的喷嘴和由包含PTFE和至少一种使基于PTFE的材料具有弱介电电导率的添加剂的组合物制成的材料或气体断路器喷嘴，其中所述组合物包含作为主要物质的PTFE、赋予PTFE断路器喷嘴必要光学性质的第一颜料样添加剂和赋予PTFE受控介电电导率的第二添加剂，其中选择所述添加剂的量，以使得所述材料显示核壳样结构，其中所述核壳样结构的核主要由PTFE和/或PTFE与第一颜料样添加剂形成，且其中所述核壳样结构的壳主要由第二添加剂形成，第二添加剂通过形成所述核壳样结构的壳使得烧结产品的介电电导率σ在1×10-14S/m＜σ＜1×10-8S/m范围内。
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公开(公告)号：CN101946288A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780102382.7
申请日：2007-12-21
申请人： ABB研究有限公司
CPC分类号： H01B1/22 , H01H33/7038 , H01H33/7069 , H01H33/7076
摘要： 本发明提供一种气体断路器的喷嘴和由包含PTFE和至少一种使基于PTFE的材料具有弱介电电导率的添加剂的组合物制成的材料或气体断路器喷嘴，其中所述组合物包含作为主要物质的PTFE、赋予PTFE断路器喷嘴必要光学性质的第一颜料样添加剂和赋予PTFE受控介电电导率的第二添加剂，其中选择所述添加剂的量，以使得所述材料显示核壳样结构，其中所述核壳样结构的核主要由PTFE和/或PTFE与第一颜料样添加剂形成，且其中所述核壳样结构的壳主要由第二添加剂形成，第二添加剂通过形成所述核壳样结构的壳使得烧结产品的介电电导率σ在1x10-14S/m＜σ＜1x10-8S/m范围内。
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公开(公告)号：CN101816049A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200780100938.9
申请日：2007-10-03
申请人： ABB研究有限公司
摘要： 具有提高的电击穿强度的电绝缘体系，该电绝缘体系包括在其中引入了普通填料和所选择的预处理填料的硬化聚合物组分，其中(a)该硬化聚合物组分选自环氧树脂体系，聚酯，聚酰胺，聚对苯二甲酸丁二醇酯，聚氨酯和聚二环戊二烯；(b)普通的填料是具有在1μm-500μm范围内的平均粒度分布的已知填料，以相对于绝缘体体系的总重量计算的40％-65wt％范围内的量存在；和(c)所选择的预处理填料选自于具有在1μm-500μm范围内的平均粒度分布的硅石，石英，或硅酸盐，或是这些化合物的混合物，其中所选择的填料已经用插层化合物预处理和其中预处理填料是以相对于在绝缘体体系中存在的普通填料的重量计算的1％-30wt％的量存在。
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公开(公告)号：CN101427326A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200680054371.1
申请日：2006-04-24
申请人： ABB研究有限公司
IPC分类号： H01C7/10
CPC分类号： H01C7/1006 , H01C7/1013 , H01C7/112 , Y10T29/49099 , Y10T428/257 , Y10T428/2982
摘要： 本发明涉及一种用于保护电气元件(6、6b、6c、6d、6e、8、9、11－13)的包含ZnO微变阻器颗粒(2)的过电压保护装置以及用于生产该装置的方法。根据本发明，将单微变阻器颗粒(2)放置在具有单层厚度(t)的布置(1)中并将其电耦合到电气元件(6、6b、6c、6d、6e、8、9、11－13)，以便保护其耐过电压。在成形中，单层过电压保护装置允许非常紧凑的集成和高的柔性，并使其适合电气或电子元件(6、6b、6c、6d、6e、8、9、11－13)。另外，获得了降低的电容及由此降低的过电压保护的反应时间。
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