公开(公告)号：CN109427570B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201810988222.7

申请日：2018-08-28

申请人： ASM IP控股有限公司

发明人： 朱驰宇 ,  K·史瑞斯萨 ,  谢琦 ,  B·佐普

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供一种层形成方法，包括在衬底上沉积晶种层；以及在所述晶种层上沉积主体层。沉积所述晶种层包括向所述衬底供应包括金属和卤素原子的第一前体；以及向所述衬底供应第一反应物。沉积所述主体层包括向所述晶种层供应包括金属和卤素原子的第二前体；以及向所述晶种层供应第二反应物，其中所述第一和第二前体不同。通过使晶种层和主体层具有不同第一和第二前体，可以优化晶种层和主体层的特性以使得可以提高总层的质量。衬底上的层可以用于制造半导体装置。

公开(公告)号：CN109423617B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN201811002058.4

申请日：2018-08-30

申请人： ASM IP控股有限公司

发明人： B·佐普 ,  K·史瑞斯萨 ,  S·斯瓦弥纳杉 ,  朱驰宇 ,  H·T·A·朱希拉 ,  谢琦

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

摘要： 本发明公开了通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构。所述方法可以包括：把包括电介质表面的衬底放到反应室中；在所述电介质表面上直接沉积成核膜；然后在所述成核膜上直接沉积钼金属膜，其中沉积所述钼金属膜包括：使所述衬底与包含钼卤化物前体的第一气相反应物接触；然后使所述衬底与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了包括利用中间的成核膜设置在电介质材料的表面上的钼金属膜的半导体器件结构。