-
公开(公告)号:CN118522635A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410177165.X
申请日:2024-02-08
申请人: ASM IP私人控股有限公司
发明人: V·马德希瓦拉 , V·万达伦 , N·V·斯里纳思 , E·托伊斯 , 邓少任 , D·基亚佩 , M·图米恩 , C·德泽拉 , 韩镕圭 , K·K·威蒂尤拉 , G·威尔克 , D·赞德斯 , A·M·卡罗
摘要: 本公开涉及通过循环气相沉积技术选择性地沉积金属氧化物的方法和处理组件。这种方法可以用于例如处理半导体衬底。更具体地,本公开涉及用于选择性地沉积金属氧化物层的方法和组件。本公开的各种实施例涉及金属氧化物层的选择性沉积,例如介电层、蚀刻停止层和阈值电压偏移层。具体而言,本公开涉及通过循环气相沉积过程沉积金属氧化物层,例如氧化钇(Y2O3)和掺杂金属氧化物层,例如掺杂钇氧化铝(AlYOx)。