公开(公告)号：CN118854254A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410503959.0

申请日：2024-04-25

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： D·普罗塞尔皮奥 ,  T·G·M·奥斯特拉肯 ,  H·特霍斯特 ,  D·厄尔努尔

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C14/24

摘要： 公开了固体源化学蒸发器、固体源化学蒸发器组件、包括固体源化学蒸发器或组件的衬底处理系统以及形成层的方法。目前描述的固体源化学蒸发器的实施例包括容器、气体入口、气体出口和通道。

公开(公告)号：CN118116841A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311597167.6

申请日：2023-11-27

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： H·马萨德 ,  I·J·拉伊杰马克斯 ,  林兴 ,  王文涛 ,  H·特霍斯特

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 描述了用于生长碳化硅外延层的方法和系统。在一示例中，具有多个反应器模块的反应器系统可以包括加热装载/锁定室和冷却装载/锁定室。在另一示例中，反应器可以通过单独的线圈组感应加热基座来加热，基座加热一个或多个晶片附近的石墨。多个高温计可以测量不同位置的石墨壁的温度。基于温度差和/或温度梯度，温度控制器可以调节提供给一组或多组线圈的功率。在又一示例中，可以调整晶片载体和晶片之间的间隔。

公开(公告)号：CN117954301A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311404901.2

申请日：2023-10-25

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： T·G·M·奥斯特拉肯 ,  K·侯本 ,  H·特霍斯特 ,  C·赫布施莱布

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 公开了气体注射器组件和包括该气体注射器组件的衬底处理设备。目前描述的气体注射器组件的实施例包括气体注射器、第一前体气体供应导管和第二前体气体供应导管。第一前体气体供应导管的尺寸大于第二前体气体供应导管的尺寸。