公开(公告)号：CN117702079A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311168322.2

申请日：2023-09-11

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： I·尤丹诺夫 ,  C·沃克霍文 ,  L·Y·王 ,  I·J·拉伊杰马克斯 ,  O·卡利尔

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

摘要： 提供了一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备中的反应室部件。该部件可以具有部分涂覆有第一材料衬里的基底材料。该部件可以在第一材料衬里的顶部具有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。这在用于去除在使用反应室部件期间沉积的相同第一材料的寄生涂层的去除过程中可能是有用的。

公开(公告)号：CN118116841A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311597167.6

申请日：2023-11-27

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： H·马萨德 ,  I·J·拉伊杰马克斯 ,  林兴 ,  王文涛 ,  H·特霍斯特

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 描述了用于生长碳化硅外延层的方法和系统。在一示例中，具有多个反应器模块的反应器系统可以包括加热装载/锁定室和冷却装载/锁定室。在另一示例中，反应器可以通过单独的线圈组感应加热基座来加热，基座加热一个或多个晶片附近的石墨。多个高温计可以测量不同位置的石墨壁的温度。基于温度差和/或温度梯度，温度控制器可以调节提供给一组或多组线圈的功率。在又一示例中，可以调整晶片载体和晶片之间的间隔。