公开(公告)号：CN106489084A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580036687.7

申请日：2015-07-02

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩 ,  洛夫 ,  V·Y·班尼恩 ,  约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔 ,  普 ,  阿尔扬·布格阿德 ,  弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁 ,  因 ,  阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅 ,  佐夫 ,  玛丽亚·皮特 ,  L·斯卡克卡巴拉兹 ,  威廉·琼·范德赞德 ,  彼得-詹·范兹沃勒 ,  A·M·雅库尼恩

IPC分类号： G02B5/20 ,  G03F7/20

摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。