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公开(公告)号：CN118778161A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410964720.3
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种隔膜、掩模组件以及光刻设备。隔膜具有至少0.1的IR辐射发射率，并且对于EUV辐射是基本上透射的。隔膜包括：核心层，所述核心层对于EUV辐射是基本上透射的，并且具有60nm或更小的厚度，和用于改进的IR发射率的盖层，包括吸收IR辐射且具有为20nm或更小的厚度的材料，其中所述盖层被选择为使得，所述隔膜的所述IR发射率比所述核心层的IR发射率大。
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公开(公告)号：CN102460129A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080027901.X
申请日：2010-04-13
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G01N21/94 , G01N21/956
CPC分类号： G03F1/84 , G01N21/94 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G03H1/0443 , G03H2001/0264 , G03H2001/0447 , G03H2001/0456 , G03H2001/0458 , G03H2222/43 , G03H2223/12 , G03H2223/55
摘要： 本发明公开用于物体检查的系统和方法，尤其是用在光刻过程中的掩模版检查。所述方法包括用干涉测量法结合参照辐射束与探测辐射束；和存储它们的复场图像。然后将一个物体的复场图像与参照物体的复场图像对比，以确定差值或差异。所述系统和方法在掩模版的缺陷检查中尤其有用。
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公开(公告)号：CN110501769B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910757335.0
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN102472962B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080034422.0
申请日：2010-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F1/84 , G01N21/6408 , G01N21/6489 , G01N21/65 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G03F1/24
摘要： 用于物体检查的方法和系统包括基于不想要的微粒与将要被检查的物体相比由于其不同的材料带来的不同的响应，使用分光技术检查物体表面上的不想要的微粒。使用来自物体表面的次级光子发射的能量分辨光谱术和/或时间分辨光谱术获得拉曼和光致发光光谱。将要被检查的物体可以例如是在光刻过程中使用的图案形成装置，诸如掩模版，在这种情况下，可以检测例如金属、金属氧化物或有机物微粒的存在。方法和设备非常敏感，因而能够检测EUV掩模版的图案侧上的小的微粒(例如亚100nm，其至亚50nm)。
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公开(公告)号：CN102460129B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080027901.X
申请日：2010-04-13
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G01N21/94 , G01N21/956
CPC分类号： G03F1/84 , G01N21/94 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G03H1/0443 , G03H2001/0264 , G03H2001/0447 , G03H2001/0456 , G03H2001/0458 , G03H2222/43 , G03H2223/12 , G03H2223/55
摘要： 本发明公开用于物体检查的系统和方法，尤其是用在光刻过程中的掩模版检查。所述方法包括用干涉测量法结合参照辐射束与探测辐射束；和存储它们的复场图像。然后将一个物体的复场图像与参照物体的复场图像对比，以确定差值或差异。所述系统和方法在掩模版的缺陷检查中尤其有用。
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公开(公告)号：CN101995408B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010262277.3
申请日：2010-08-19
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G03F1/84
CPC分类号： G01N21/95623
摘要： 本发明公开了一种检查方法和设备。具体地，在一方面中，公开一种用于探测物体上存在缺陷或不存在缺陷的检查方法，所述物体包括具有物理深度的凹陷。所述方法包括：将辐射引导到所述物体上，所述辐射具有基本上等于所述凹陷的光学深度的两倍的波长；探测被所述物体或所述物体上的缺陷改变方向的辐射；和由所述改变方向的辐射确定存在缺陷或不存在缺陷。
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公开(公告)号：CN102804070A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080028143.3
申请日：2010-05-20
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70925 , B08B5/02 , B08B7/0042 , G03F7/708 , H01L21/02046
摘要： 一种光刻投影设备可以包括一种激光清洁装置。所述激光清洁装置构造且布置成清洁表面。所述激光清洁装置包括：激光源，构造成且布置成产生辐射；和光学元件，构造成且布置成将所述辐射聚焦到焦点上，用于在所述表面的上方在背景气体中产生清洁等离子体。所述激光清洁装置还设置有气体供给装置，所述气体供给装置构造成且布置成在靠近所述等离子体的位置处产生保护气体的射流。
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公开(公告)号：CN114035254B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111335991.5
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN110501769A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910757335.0
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN106489084A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036687.7
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩 , 洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔 , 普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁 , 因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅 , 佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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