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公开(公告)号：CN115066657A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013688.5
申请日：2021-01-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括：获得与所述过程相关的过程数据，以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定，并且所述校正基于所述概率和至少第二控制目标来调整，所述第二控制目标与所述第一控制目标相比具有可实现的第二概率。
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公开(公告)号：CN115066657B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202180013688.5
申请日：2021-01-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括：获得与所述过程相关的过程数据，以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定，并且所述校正基于所述概率和至少第二控制目标来调整，所述第二控制目标与所述第一控制目标相比具有可实现的第二概率。
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