用于校准扫描带电粒子显微镜的方法

    公开(公告)号:CN113228222B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN201980087240.0

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 提供了一种用于校准诸如扫描电子显微镜(SEM)的扫描带电粒子显微镜的方法。该方法包括:将晶片划分为多个区域;在多个区域中的每个区域上制备包括与第二周期性结构交错的第一周期性结构的图案,第一周期性结构和第二周期性结构具有诱导偏移;确定第一周期性结构和第二周期性结构的实际节距,并且从而确定多个区域中的每个区域上的实际诱导偏移;从多个区域中选择多个区域;通过SEM测量多个区域中的每个区域上的第一周期性结构和第二周期性结构的节距;以及基于确定和测量来对SEM执行线性校准。

    用于估计衬底形状的方法和设备

    公开(公告)号:CN113544595A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202080019477.8

    申请日:2020-02-06

    Abstract: 用于估计能够用于制造半导体器件的衬底的表面的形状的至少一部分的方法和设备。所述方法包括:获得由检查设备所测量的所述衬底的所述表面的至少一个聚焦位置,所述至少一个聚焦位置用于在所述检查设备的光学器件的聚焦范围内将目标置于所述衬底上或所述衬底中;和基于所述至少一个聚焦位置来确定所述衬底的所述表面的形状的至少一部分。

    目标结构以及相关联的方法和设备

    公开(公告)号:CN116209958A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202180065781.0

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 披露了一种衬底,包括形成在至少两个层中的目标结构。所述目标结构包括:第一区,所述第一区包括能够使用光学量测来测量的在所述层中的每个层中的周期性重复特征;和第二区,所述第二区包括在所述层中的每个层的一个或更多个产品特征的重复,所述重复足以用于随机分析以确定至少一个局部变化指标。所述方法也包括一种基于对这种目标结构的测量来确定用于控制光刻过程的校正的方法。

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