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公开(公告)号:CN113228222B
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN201980087240.0
申请日:2019-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 提供了一种用于校准诸如扫描电子显微镜(SEM)的扫描带电粒子显微镜的方法。该方法包括:将晶片划分为多个区域;在多个区域中的每个区域上制备包括与第二周期性结构交错的第一周期性结构的图案,第一周期性结构和第二周期性结构具有诱导偏移;确定第一周期性结构和第二周期性结构的实际节距,并且从而确定多个区域中的每个区域上的实际诱导偏移;从多个区域中选择多个区域;通过SEM测量多个区域中的每个区域上的第一周期性结构和第二周期性结构的节距;以及基于确定和测量来对SEM执行线性校准。
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公开(公告)号:CN118511130A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202280087564.6
申请日:2022-12-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: 苏静 , V·E·卡拉多 , S·G·J·马西森 , 邹毅 , W·L·范米罗 , K·W·C·A·范德斯特拉顿 , 曹佩根 , P·D·恩布卢姆 , W·T·特尔 , K·S·涅恰 , R·阿努恩西亚多 , H·A·迪伦 , A·史拉奇特
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种对用于在光刻过程中图案化衬底的基本上不规则的图案布局的图案特征进行分组的方法。该方法包括:获得至少一个基本上不规则的图案表示,至少一个基本上不规则的图案表示中的每个基本上不规则的图案表示都与相应的感兴趣层相关;基于几何形状和/或与处理性能相关的至少一个处理属性,将被包括在基本上不规则的图案表示内的多个图案特征分组为多个组,每个组都包括在几何形状和/或至少一个处理属性方面相似的多个图案特征;以及导出与多个组中的一个或更多个组相关联的感兴趣参数。
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公开(公告)号:CN119343697A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202380043609.4
申请日:2023-05-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: P·O·斯普拉 , V·E·卡拉多 , H·A·迪伦 , 范期翔 , M·D·陆 , W·T·特尔 , W·L·范迈罗 , 叶芸伶 , 尹炜华 , 余奕贤 , 孙岩 , M·J·基亚
IPC: G06T7/00 , H01J37/147 , H01J37/22
Abstract: 一种用于调整图像中的失真的系统、装置和方法。各实施例包括:获得多个图像;确定多个图像上的多个特征和与多个图像相对应的布局数据中的对应特征之间的对准差异;对该对准差异进行建模;以及使用建模来调整以下各项中的至少一项:与获得多个图像相对应的机器设置;或多个图像中的至少一个图像上的多个特征中的至少一个特征。
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公开(公告)号:CN113508338B
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202080015560.8
申请日:2020-02-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 该文档中提供了一种确定用于在衬底上制造特征的一个或多个工艺的特性的方法,该方法包括:获取衬底上的至少一个区域的至少部分上的多个特征的图像数据;使用图像数据以获取多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据;确定取决于多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据的变化的统计参数;根据图像数据中的缺陷特征的确定数目,确定特征的缺陷制造的概率;并且确定具有特征的缺陷制造的概率和统计参数的一个或多个工艺的特性。
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公开(公告)号:CN113544595A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202080019477.8
申请日:2020-02-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 用于估计能够用于制造半导体器件的衬底的表面的形状的至少一部分的方法和设备。所述方法包括:获得由检查设备所测量的所述衬底的所述表面的至少一个聚焦位置,所述至少一个聚焦位置用于在所述检查设备的光学器件的聚焦范围内将目标置于所述衬底上或所述衬底中;和基于所述至少一个聚焦位置来确定所述衬底的所述表面的形状的至少一部分。
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公开(公告)号:CN116209958A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202180065781.0
申请日:2021-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种衬底,包括形成在至少两个层中的目标结构。所述目标结构包括:第一区,所述第一区包括能够使用光学量测来测量的在所述层中的每个层中的周期性重复特征;和第二区,所述第二区包括在所述层中的每个层的一个或更多个产品特征的重复,所述重复足以用于随机分析以确定至少一个局部变化指标。所述方法也包括一种基于对这种目标结构的测量来确定用于控制光刻过程的校正的方法。
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公开(公告)号:CN115066657A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202180013688.5
申请日:2021-01-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括:获得与所述过程相关的过程数据,以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定,并且所述校正基于所述概率和至少第二控制目标来调整,所述第二控制目标与所述第一控制目标相比具有可实现的第二概率。
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公开(公告)号:CN111886548A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201980020816.1
申请日:2019-03-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种用于确定与特征的边缘有关的边缘位置的方法和相关装置,特征被包括在包括噪声的图像(诸如扫描电子显微镜图像)内。该方法包括从图像确定参考信号;以及确定相对于上述参考信号的边缘位置。通过在与估计边缘位置的初始轮廓平行的方向上应用图像至一维低通滤波器,可以从图像确定参考信号。
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