用于控制制造过程的方法和关联设备

    公开(公告)号:CN115066657A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202180013688.5

    申请日:2021-01-14

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括:获得与所述过程相关的过程数据,以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定,并且所述校正基于所述概率和至少第二控制目标来调整,所述第二控制目标与所述第一控制目标相比具有可实现的第二概率。

    量测方法和设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116830043A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202180091907.1

    申请日:2021-12-23

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 公开了一种确定性能参数或从所述性能参数导出的参数的方法,所述性能参数与用于在经受光刻过程的衬底上形成一个或更多个结构的所述光刻过程的性能相关联。所述方法包括:获得包括所述性能参数的多个概率描述的概率描述分布,每个概率描述对应于所述衬底上的不同位置;和将每个概率描述分解成多个分量概率描述以获得多个分量概率描述分布。针对所述多个分量概率描述中的每个来确定分量跨越衬底区域模型,分量跨越衬底区域模型在整个衬底区域上对所述分量跨越衬底区域模型的对应的分量概率描述进行建模;并且基于所述分量跨越衬底区域模型来确定所述性能参数或从所述性能参数导出的参数的值。