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公开(公告)号：CN113253578B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110601260.4
申请日：2017-10-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。
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公开(公告)号：CN115066657A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013688.5
申请日：2021-01-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括：获得与所述过程相关的过程数据，以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定，并且所述校正基于所述概率和至少第二控制目标来调整，所述第二控制目标与所述第一控制目标相比具有可实现的第二概率。
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公开(公告)号：CN110036347B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201780074864.X
申请日：2017-11-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·J·F·范哈恩 , V·E·卡拉多 , L·P·范戴克 , R·沃克曼 , E·C·摩斯 , J·S·威尔登伯格 , M·乔詹姆森 , B·拉贾塞克兰 , E·詹森 , A·J·乌尔班奇克
Abstract: 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
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公开(公告)号：CN113253578A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110601260.4
申请日：2017-10-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。
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公开(公告)号：CN110168447A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006505.5
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
IPC: G03F7/20 , G05B13/04 , G05B19/418 , H01L21/66
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113376976A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110789512.0
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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公开(公告)号：CN110168447B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201880006505.5
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
IPC: G03F7/20 , G05B13/04 , G05B19/418 , H01L21/66
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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公开(公告)号：CN110036347A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780074864.X
申请日：2017-11-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·J·F·范哈恩 , V·E·卡拉多 , L·P·范戴克 , R·沃克曼 , E·C·摩斯 , J·S·威尔登伯格 , M·乔詹姆森 , B·拉贾塞克兰 , E·詹森 , A·J·乌尔班奇克
Abstract: 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
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公开(公告)号：CN109891324A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066481.8
申请日：2017-10-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。
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公开(公告)号：CN114137803B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202111513976.5
申请日：2017-11-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·J·F·范哈恩 , V·E·卡拉多 , L·P·范戴克 , R·沃克曼 , E·C·摩斯 , J·S·威尔登伯格 , M·乔詹姆森 , B·拉贾塞克兰 , E·詹森 , A·J·乌尔班奇克
IPC: G03F7/20 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
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