公开(公告)号：CN114787710A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080078841.8

申请日：2020-10-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 林庆煌 ,  G·里斯朋斯

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明涉及使用高敏感度极紫外(EUV)抗蚀剂来制造例如集成电路的器件的改进方法。本发明还涉及用于执行这种方法的集成晶片处理系统。该方法包括制造器件，该方法包括：a.将极紫外(EUV)抗蚀剂晶片曝光于EUV辐射，以生产经曝光的EUV抗蚀剂晶片；b.在富氧气体环境中在约20℃至约450℃的范围的温度烘烤经曝光的EUV抗蚀剂晶片；c.处理经曝光的EUV抗蚀剂晶片以生产器件；其中，富氧气体环境包括大于约21.0％体积的氧含量，并且其中，EUV抗蚀剂包括Sn、Sb、Cd、Cr、Zn、Hf、Po、Pd和Te中的一种或多种。

公开(公告)号：CN114830031A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080079572.7

申请日：2020-10-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 林庆煌 ,  R·C·马斯 ,  S·F·伍伊斯特

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 提供了一种在集成电路的制造中用作抗蚀剂的聚合物。还提供了一种非化学放大抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个断裂部分的聚合物，该至少一个断裂部分包括被配置成在抗蚀剂组合物曝光于电磁辐射时优先断裂的可光裂解化学连结。还提供了这种抗蚀剂组合物或聚合物的用途以及包括这种组合物或聚合物的光刻方法。