公开(公告)号：CN112969968B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201980073547.5

申请日：2019-10-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 黄文谨 ,  李红梅 ,  徐慧娜 ,  B·拉方丹

IPC: G03F7/20

Abstract: 本文中描述的是一种用于确定概率模型的方法，该概率模型被配置为预测受图案化处理的衬底的图案的特性(例如，缺陷、CD等)。该方法包括获取与衬底上的图案的特性相对应的残差的分布的空间图，基于在空间图内的残差的分布的变化来确定空间图的区域，以及基于区域和区域内的衬底上的残差的值的分布或图案的特性的值的分布来确定概率模型。

公开(公告)号：CN103246175A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049438.4

申请日：2013-02-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·M·克劳斯 ,  Y·J·L·M·凡达麦乐恩 ,  刘鹏 ,  刘华玉 ,  蒋爱琴 ,  黄文谨

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70891

Abstract: 本发明公开一种用于先进光刻术的透镜加热感知的源掩模优化，具体地公开了一种用于改善通过使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上的光刻过程的计算机执行的方法，光刻投影设备包括照射源和投影光学装置，所述方法包括步骤：计算作为光刻过程的特性的多个设计变量的多变量价值函数，所述设计变量中的至少一些设计变量是照射源和所述设计布局的特性，多变量价值函数的计算考虑使用照射源通过投影光学装置成像所述设计布局的所述部分而引入的对投影光学装置的光学特性的影响；和通过调节所述设计变量直到预定终止条件被满足来重构所述光刻过程的特性。

公开(公告)号：CN112969968A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201980073547.5

申请日：2019-10-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 黄文谨 ,  李红梅 ,  徐慧娜 ,  B·拉方丹

IPC: G03F7/20

Abstract: 本文中描述的是一种用于确定概率模型的方法，该概率模型被配置为预测受图案化处理的衬底的图案的特性(例如，缺陷、CD等)。该方法包括获取与衬底上的图案的特性相对应的残差的分布的空间图，基于在空间图内的残差的分布的变化来确定空间图的区域，以及基于区域和区域内的衬底上的残差的值的分布或图案的特性的值的分布来确定概率模型。

公开(公告)号：CN103246175B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310049438.4

申请日：2013-02-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·M·克劳斯 ,  Y·J·L·M·凡达麦乐恩 ,  刘鹏 ,  刘华玉 ,  蒋爱琴 ,  黄文谨

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70891

Abstract: 本发明公开一种用于先进光刻术的透镜加热感知的源掩模优化，具体地公开了一种用于改善通过使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上的光刻过程的计算机执行的方法，光刻投影设备包括照射源和投影光学装置，所述方法包括步骤：计算作为光刻过程的特性的多个设计变量的多变量价值函数，所述设计变量中的至少一些设计变量是照射源和所述设计布局的特性，多变量价值函数的计算考虑使用照射源通过投影光学装置成像所述设计布局的所述部分而引入的对投影光学装置的光学特性的影响；和通过调节所述设计变量直到预定终止条件被满足来重构所述光刻过程的特性。