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发明公开
改进的高次谐波生成装置审中-实审

公开(公告)号：CN114342564A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062427.8

申请日：2020-09-04

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·J·H·薛乐肯 , D·奥德怀尔 , 林楠 , G·J·H·布鲁塞尔

IPC分类号： H05G2/00

摘要： 一种用于生成高次谐波辐射的高次谐波生成组件和方法。所述组件包括空腔，被配置为接收输入辐射，并且增加所述空腔内的所述输入辐射的所述强度，以形成适合用于高次谐波生成的驱动辐射。所述组件还包括：所述空腔内的相互作用区域，在使用中，所述相互作用区域存在介质，所述介质被配置为当所述驱动辐射被入射到其上时通过高次谐波生成来生成谐波辐射；以及光学组件，被配置为引导所述驱动辐射穿过所述相互作用区域，并且包括输出耦合器，所述输出耦合器包括孔径，通过所述孔径所生成的谐波辐射的至少一部分能够离开所述空腔。所述光学组件还被配置为在所述驱动辐射穿过所述相互作用区域之前将所述驱动辐射整形为会聚的中空束。